트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
DDTA144TKA-7-F Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 200MW SC59-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 47 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 2.5mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO) 주파수-전환: 250MHz 전력-최대: 200mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SC-59-3	재고 있음7,524
DDTA144TUA-7-F Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 47 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 2.5mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO) 주파수-전환: 250MHz 전력-최대: 200mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: SOT-323	재고 있음3,330
DDTA144VCA-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 47 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 33 @ 10mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 250MHz 전력-최대: 200mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3	재고 있음2,376
DDTA144VCA-7-F Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 47 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 33 @ 10mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 250MHz 전력-최대: 200mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3	재고 있음24,528
DDTA144VE-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 150MW SOT523 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 47 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 33 @ 10mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 250MHz 전력-최대: 150mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-523 공급자 장치 패키지: SOT-523	재고 있음2,250
DDTA144VE-7-F Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 150MW SOT523 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 47 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 33 @ 10mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 250MHz 전력-최대: 150mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-523 공급자 장치 패키지: SOT-523	재고 있음48,258
DDTA144VKA-7-F Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 200MW SC59-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 47 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 33 @ 10mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 250MHz 전력-최대: 200mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SC-59-3	재고 있음5,886
DDTA144VUA-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 47 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 33 @ 10mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 250MHz 전력-최대: 200mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: SOT-323	재고 있음6,804
DDTA144VUA-7-F Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 47 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 33 @ 10mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 250MHz 전력-최대: 200mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: SOT-323	재고 있음5,688
DDTA144WCA-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 47 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 22 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 56 @ 10mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 250MHz 전력-최대: 200mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3	재고 있음2,520
DDTA144WCA-7-F Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 47 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 22 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 56 @ 10mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 250MHz 전력-최대: 200mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3	재고 있음4,428
DDTA144WE-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 150MW SOT523 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 47 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 22 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 56 @ 10mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 250MHz 전력-최대: 150mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-523 공급자 장치 패키지: SOT-523	재고 있음6,678
DDTA144WE-7-F Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 150MW SOT523 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 47 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 22 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 56 @ 10mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 250MHz 전력-최대: 150mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-523 공급자 장치 패키지: SOT-523	재고 있음23,496
DDTA144WKA-7-F Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 200MW SC59-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 47 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 22 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 56 @ 10mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 250MHz 전력-최대: 200mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SC-59-3	재고 있음5,094
DDTA144WUA-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 47 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 22 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 56 @ 10mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 250MHz 전력-최대: 200mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: SOT-323	재고 있음8,748
DDTA144WUA-7-F Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 47 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 22 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 56 @ 10mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 250MHz 전력-최대: 200mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: SOT-323	재고 있음6,552
DDTB113EC-7-F Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 1 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 1 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 33 @ 50mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 200MHz 전력-최대: 200mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3	재고 있음5,652
DDTB113EU-7-F Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 1 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 1 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 33 @ 50mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 200MHz 전력-최대: 200mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: SOT-323	재고 있음2,034
DDTB113ZC-7-F Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 1 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 200MHz 전력-최대: 200mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3	재고 있음54,150
DDTB113ZU-7-F Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 1 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 200MHz 전력-최대: 200mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: SOT-323	재고 있음8,334
DDTB114EC-7-F Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 10 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 200MHz 전력-최대: 200mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3	재고 있음4,914
DDTB114EU-7-F Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 10 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 200MHz 전력-최대: 200mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: SOT-323	재고 있음6,138
DDTB114GC-7-F Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): - 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO) 주파수-전환: 200MHz 전력-최대: 200mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3	재고 있음4,284
DDTB114GU-7-F Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): - 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO) 주파수-전환: 200MHz 전력-최대: 200mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: SOT-323	재고 있음3,060
DDTB114TC-7-F Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 10 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO) 주파수-전환: 200MHz 전력-최대: 200mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3	재고 있음4,140
DDTB114TU-7-F Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 10 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO) 주파수-전환: 200MHz 전력-최대: 200mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: SOT-323	재고 있음5,760
DDTB122JC-7-F Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 220 Ohms 저항-이미 터베이스 (R2): 4.7 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 47 @ 50mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 200MHz 전력-최대: 200mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3	재고 있음7,380
DDTB122JU-7-F Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 220 Ohms 저항-이미 터베이스 (R2): 4.7 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 47 @ 50mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 200MHz 전력-최대: 200mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: SOT-323	재고 있음4,572
DDTB122LC-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 220 Ohms 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 200MHz 전력-최대: 200mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3	재고 있음8,532
DDTB122LC-7-F Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 220 Ohms 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 200MHz 전력-최대: 200mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3	재고 있음25,176

DDTA144TKA-7-F

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 200MW SC59-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 47 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 2.5mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO)
주파수-전환: 250MHz
전력-최대: 200mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SC-59-3

재고 있음7,524

DDTA144TUA-7-F

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 47 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 2.5mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO)
주파수-전환: 250MHz
전력-최대: 200mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: SOT-323

재고 있음3,330

DDTA144VCA-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 47 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 33 @ 10mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 250MHz
전력-최대: 200mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3

재고 있음2,376

DDTA144VCA-7-F

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 47 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 33 @ 10mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 250MHz
전력-최대: 200mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3

재고 있음24,528

DDTA144VE-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 150MW SOT523

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 47 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 33 @ 10mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 250MHz
전력-최대: 150mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-523
공급자 장치 패키지: SOT-523

재고 있음2,250

DDTA144VE-7-F

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 150MW SOT523

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 47 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 33 @ 10mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 250MHz
전력-최대: 150mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-523
공급자 장치 패키지: SOT-523

재고 있음48,258

DDTA144VKA-7-F

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 200MW SC59-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 47 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 33 @ 10mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 250MHz
전력-최대: 200mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SC-59-3

재고 있음5,886

DDTA144VUA-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 47 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 33 @ 10mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 250MHz
전력-최대: 200mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: SOT-323

재고 있음6,804

DDTA144VUA-7-F

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 47 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 33 @ 10mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 250MHz
전력-최대: 200mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: SOT-323

재고 있음5,688

DDTA144WCA-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 47 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 22 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 56 @ 10mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 250MHz
전력-최대: 200mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3

재고 있음2,520

DDTA144WCA-7-F

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 47 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 22 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 56 @ 10mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 250MHz
전력-최대: 200mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3

재고 있음4,428

DDTA144WE-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 150MW SOT523

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 47 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 22 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 56 @ 10mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 250MHz
전력-최대: 150mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-523
공급자 장치 패키지: SOT-523

재고 있음6,678

DDTA144WE-7-F

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 150MW SOT523

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 47 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 22 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 56 @ 10mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 250MHz
전력-최대: 150mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-523
공급자 장치 패키지: SOT-523

재고 있음23,496

DDTA144WKA-7-F

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 200MW SC59-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 47 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 22 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 56 @ 10mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 250MHz
전력-최대: 200mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SC-59-3

재고 있음5,094

DDTA144WUA-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 47 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 22 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 56 @ 10mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 250MHz
전력-최대: 200mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: SOT-323

재고 있음8,748

DDTA144WUA-7-F

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 47 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 22 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 56 @ 10mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 250MHz
전력-최대: 200mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: SOT-323

재고 있음6,552

DDTB113EC-7-F

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 1 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 1 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 33 @ 50mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 200MHz
전력-최대: 200mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3

재고 있음5,652

DDTB113EU-7-F

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 1 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 1 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 33 @ 50mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 200MHz
전력-최대: 200mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: SOT-323

재고 있음2,034

DDTB113ZC-7-F

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 1 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 200MHz
전력-최대: 200mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3

재고 있음54,150

DDTB113ZU-7-F

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 1 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 200MHz
전력-최대: 200mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: SOT-323

재고 있음8,334

DDTB114EC-7-F

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 10 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 200MHz
전력-최대: 200mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3

재고 있음4,914

DDTB114EU-7-F

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 10 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 200MHz
전력-최대: 200mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: SOT-323

재고 있음6,138

DDTB114GC-7-F

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): -
저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO)
주파수-전환: 200MHz
전력-최대: 200mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3

재고 있음4,284

DDTB114GU-7-F

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): -
저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO)
주파수-전환: 200MHz
전력-최대: 200mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: SOT-323

재고 있음3,060

DDTB114TC-7-F

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 10 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO)
주파수-전환: 200MHz
전력-최대: 200mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3

재고 있음4,140

DDTB114TU-7-F

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 10 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO)
주파수-전환: 200MHz
전력-최대: 200mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: SOT-323

재고 있음5,760

DDTB122JC-7-F

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 220 Ohms
저항-이미 터베이스 (R2): 4.7 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 47 @ 50mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 200MHz
전력-최대: 200mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3

재고 있음7,380

DDTB122JU-7-F

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 220 Ohms
저항-이미 터베이스 (R2): 4.7 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 47 @ 50mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 200MHz
전력-최대: 200mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: SOT-323

재고 있음4,572

DDTB122LC-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 220 Ohms
저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 200MHz
전력-최대: 200mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3

재고 있음8,532

DDTB122LC-7-F

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 220 Ohms
저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 200MHz
전력-최대: 200mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3

재고 있음25,176

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