트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
DDTC144VE-7-F Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS NPN 150MW SOT523 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 47 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 33 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 250MHz 전력-최대: 150mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-523 공급자 장치 패키지: SOT-523	재고 있음8,784
DDTC144VKA-7-F Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS NPN 200MW SC59-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 47 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 33 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 250MHz 전력-최대: 200mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SC-59-3	재고 있음8,190
DDTC144VUA-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 47 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 33 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 250MHz 전력-최대: 200mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: SOT-323	재고 있음5,040
DDTC144VUA-7-F Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 47 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 33 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 250MHz 전력-최대: 200mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: SOT-323	재고 있음5,310
DDTC144WCA-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 47 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 22 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 250MHz 전력-최대: 200mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3	재고 있음6,264
DDTC144WCA-7-F Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 47 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 22 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 250MHz 전력-최대: 200mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3	재고 있음3,726
DDTC144WE-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS NPN 150MW SOT523 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 47 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 22 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 250MHz 전력-최대: 150mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-523 공급자 장치 패키지: SOT-523	재고 있음2,556
DDTC144WE-7-F Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS NPN 150MW SOT523 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 47 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 22 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 250MHz 전력-최대: 150mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-523 공급자 장치 패키지: SOT-523	재고 있음46,530
DDTC144WKA-7-F Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS NPN 200MW SC59-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 47 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 22 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 250MHz 전력-최대: 200mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SC-59-3	재고 있음6,714
DDTC144WUA-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 47 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 22 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 250MHz 전력-최대: 200mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: SOT-323	재고 있음8,118
DDTC144WUA-7-F Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 47 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 22 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 250MHz 전력-최대: 200mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: SOT-323	재고 있음29,046
DDTD113EC-7-F Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 1 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 1 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 33 @ 50mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 200MHz 전력-최대: 200mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3	재고 있음70,074
DDTD113EU-7-F Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 1 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 1 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 33 @ 50mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 200MHz 전력-최대: 200mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: SOT-323	재고 있음4,266
DDTD113ZC-7-F Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 1 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 200MHz 전력-최대: 200mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3	재고 있음5,931,000
DDTD113ZU-7-F Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 1 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 200MHz 전력-최대: 200mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: SOT-323	재고 있음7,794
DDTD114EC-7-F Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 10 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 200MHz 전력-최대: 200mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3	재고 있음92,490
DDTD114EU-7-F Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 10 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 200MHz 전력-최대: 200mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: SOT-323	재고 있음4,680
DDTD114GC-7-F Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): - 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO) 주파수-전환: 200MHz 전력-최대: 200mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3	재고 있음6,552
DDTD114GU-7-F Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): - 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO) 주파수-전환: 200MHz 전력-최대: 200mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: SOT-323	재고 있음3,942
DDTD114TC-7-F Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 10 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO) 주파수-전환: 200MHz 전력-최대: 200mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3	재고 있음6,084
DDTD114TU-7-F Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 10 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO) 주파수-전환: 200MHz 전력-최대: 200mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: SOT-323	재고 있음2,268
DDTD122JC-7-F Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 220 Ohms 저항-이미 터베이스 (R2): 4.7 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 47 @ 50mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 200MHz 전력-최대: 200mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3	재고 있음4,914
DDTD122JU-7-F Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 220 Ohms 저항-이미 터베이스 (R2): 4.7 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 47 @ 50mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 200MHz 전력-최대: 200mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: SOT-323	재고 있음2,790
DDTD122LC-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 220 Ohms 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 200MHz 전력-최대: 200mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3	재고 있음8,082
DDTD122LC-7-F Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 220 Ohms 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 200MHz 전력-최대: 200mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3	재고 있음5,166
DDTD122LU-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 220 Ohms 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 200MHz 전력-최대: 200mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: SOT-323	재고 있음4,554
DDTD122LU-7-F Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 220 Ohms 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 200MHz 전력-최대: 200mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: SOT-323	재고 있음6,354
DDTD122TC-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 220 Ohms 저항-이미 터베이스 (R2): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO) 주파수-전환: 200MHz 전력-최대: 200mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3	재고 있음4,518
DDTD122TC-7-F Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 220 Ohms 저항-이미 터베이스 (R2): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO) 주파수-전환: 200MHz 전력-최대: 200mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3	재고 있음4,788
DDTD122TU-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 220 Ohms 저항-이미 터베이스 (R2): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO) 주파수-전환: 200MHz 전력-최대: 200mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: SOT-323	재고 있음8,514

DDTC144VE-7-F

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 150MW SOT523

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 47 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 33 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 250MHz
전력-최대: 150mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-523
공급자 장치 패키지: SOT-523

재고 있음8,784

DDTC144VKA-7-F

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 200MW SC59-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 47 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 33 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 250MHz
전력-최대: 200mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SC-59-3

재고 있음8,190

DDTC144VUA-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 47 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 33 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 250MHz
전력-최대: 200mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: SOT-323

재고 있음5,040

DDTC144VUA-7-F

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 47 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 33 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 250MHz
전력-최대: 200mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: SOT-323

재고 있음5,310

DDTC144WCA-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 47 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 22 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 250MHz
전력-최대: 200mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3

재고 있음6,264

DDTC144WCA-7-F

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 47 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 22 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 250MHz
전력-최대: 200mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3

재고 있음3,726

DDTC144WE-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 150MW SOT523

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 47 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 22 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 250MHz
전력-최대: 150mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-523
공급자 장치 패키지: SOT-523

재고 있음2,556

DDTC144WE-7-F

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 150MW SOT523

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 47 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 22 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 250MHz
전력-최대: 150mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-523
공급자 장치 패키지: SOT-523

재고 있음46,530

DDTC144WKA-7-F

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 200MW SC59-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 47 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 22 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 250MHz
전력-최대: 200mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SC-59-3

재고 있음6,714

DDTC144WUA-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 47 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 22 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 250MHz
전력-최대: 200mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: SOT-323

재고 있음8,118

DDTC144WUA-7-F

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 47 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 22 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 250MHz
전력-최대: 200mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: SOT-323

재고 있음29,046

DDTD113EC-7-F

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 1 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 1 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 33 @ 50mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 200MHz
전력-최대: 200mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3

재고 있음70,074

DDTD113EU-7-F

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 1 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 1 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 33 @ 50mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 200MHz
전력-최대: 200mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: SOT-323

재고 있음4,266

DDTD113ZC-7-F

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 1 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 200MHz
전력-최대: 200mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3

재고 있음5,931,000

DDTD113ZU-7-F

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 1 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 200MHz
전력-최대: 200mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: SOT-323

재고 있음7,794

DDTD114EC-7-F

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 10 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 200MHz
전력-최대: 200mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3

재고 있음92,490

DDTD114EU-7-F

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 10 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 200MHz
전력-최대: 200mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: SOT-323

재고 있음4,680

DDTD114GC-7-F

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): -
저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO)
주파수-전환: 200MHz
전력-최대: 200mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3

재고 있음6,552

DDTD114GU-7-F

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): -
저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO)
주파수-전환: 200MHz
전력-최대: 200mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: SOT-323

재고 있음3,942

DDTD114TC-7-F

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 10 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO)
주파수-전환: 200MHz
전력-최대: 200mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3

재고 있음6,084

DDTD114TU-7-F

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 10 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO)
주파수-전환: 200MHz
전력-최대: 200mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: SOT-323

재고 있음2,268

DDTD122JC-7-F

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 220 Ohms
저항-이미 터베이스 (R2): 4.7 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 47 @ 50mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 200MHz
전력-최대: 200mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3

재고 있음4,914

DDTD122JU-7-F

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 220 Ohms
저항-이미 터베이스 (R2): 4.7 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 47 @ 50mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 200MHz
전력-최대: 200mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: SOT-323

재고 있음2,790

DDTD122LC-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 220 Ohms
저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 200MHz
전력-최대: 200mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3

재고 있음8,082

DDTD122LC-7-F

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 220 Ohms
저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 200MHz
전력-최대: 200mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3

재고 있음5,166

DDTD122LU-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 220 Ohms
저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 200MHz
전력-최대: 200mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: SOT-323

재고 있음4,554

DDTD122LU-7-F

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 220 Ohms
저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 200MHz
전력-최대: 200mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: SOT-323

재고 있음6,354

DDTD122TC-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 220 Ohms
저항-이미 터베이스 (R2): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO)
주파수-전환: 200MHz
전력-최대: 200mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3

재고 있음4,518

DDTD122TC-7-F

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 220 Ohms
저항-이미 터베이스 (R2): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO)
주파수-전환: 200MHz
전력-최대: 200mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3

재고 있음4,788

DDTD122TU-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 220 Ohms
저항-이미 터베이스 (R2): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO)
주파수-전환: 200MHz
전력-최대: 200mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: SOT-323

재고 있음8,514

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