트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
FMC6AT148 Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SC74A 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 100kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 250µA 전류-수집기 차단 (최대): - 주파수-전환: 250MHz 전력-최대: 300mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-74A, SOT-753 공급자 장치 패키지: SMT5	재고 있음4,014
FMG11AT148 Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMT5 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 2.2kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 250MHz 전력-최대: 300mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-74A, SOT-753 공급자 장치 패키지: SMT5	재고 있음5,454
FMG1AT148 Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMT5 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 22kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 22kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 250MHz 전력-최대: 300mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-74A, SOT-753 공급자 장치 패키지: SMT5	재고 있음3,006
FMG2AT148 Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMT5 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 47kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 250MHz 전력-최대: 300mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-74A, SOT-753 공급자 장치 패키지: SMT5	재고 있음28,278
FMG3AT148 Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMT5 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 4.7kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO) 주파수-전환: 250MHz 전력-최대: 300mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-74A, SOT-753 공급자 장치 패키지: SMT5	재고 있음7,866
FMG4AT148 Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMT5 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 10kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): - 주파수-전환: 250MHz 전력-최대: 300mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-74A, SOT-753 공급자 장치 패키지: SMT5	재고 있음4,932
FMG5AT148 Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMT5 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 10kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 250MHz 전력-최대: 300mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-74A, SOT-753 공급자 장치 패키지: SMT5	재고 있음8,388
FMG6AT148 Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMT5 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 47kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): - 주파수-전환: 250MHz 전력-최대: 300mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-74A, SOT-753 공급자 장치 패키지: SMT5	재고 있음8,424
FMG8AT148 Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMT5 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 4.7kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 250MHz 전력-최대: 300mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-74A, SOT-753 공급자 장치 패키지: SMT5	재고 있음275,904
FMG9AT148 Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMT5 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 10kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 10kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 250MHz 전력-최대: 300mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-74A, SOT-753 공급자 장치 패키지: SMT5	재고 있음3,006
FMG9AT248 Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMT5 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 10kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 10kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 250MHz 전력-최대: 300mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-74A, SOT-753 공급자 장치 패키지: SMT5	재고 있음3,276
HD1A3M(0)-T1-AZ Renesas Electronics America	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANSISTOR NPN SC62-3 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: HD1 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V 저항-베이스 (R1): 1kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 1kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) 주파수-전환: - 전력-최대: 2W 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-243AA 공급자 장치 패키지: SC-62	재고 있음5,850
IMB10AT110 Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 2.2kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 250MHz 전력-최대: 300mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457 공급자 장치 패키지: SMT6	재고 있음28,044
IMB11AT110 Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 10kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 10kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 250MHz 전력-최대: 300mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457 공급자 장치 패키지: SMT6	재고 있음22,116
IMB1AT110 Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 22kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 22kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: - 전력-최대: 300mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457 공급자 장치 패키지: SMT6	재고 있음2,736
IMB2AT110 Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 47kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 250MHz 전력-최대: 300mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457 공급자 장치 패키지: SMT6	재고 있음6,534
IMB3AT110 Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 4.7kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 5mA 전류-수집기 차단 (최대): - 주파수-전환: 250MHz 전력-최대: 300mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457 공급자 장치 패키지: SMT6	재고 있음5,058
IMB4AT110 Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 10kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): - 주파수-전환: 250MHz 전력-최대: 300mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457 공급자 장치 패키지: SMT6	재고 있음5,958
IMB5AT108 Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC74 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 22kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 22kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - 주파수-전환: - 전력-최대: - 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457 공급자 장치 패키지: SMT6	재고 있음7,092
IMB7AT108 Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SOT457 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 4.7kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 전류-수집기 차단 (최대): - 주파수-전환: - 전력-최대: 300mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-457 공급자 장치 패키지: SOT-457	재고 있음7,002
IMB9AT110 Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 10kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 250MHz 전력-최대: 300mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457 공급자 장치 패키지: SMT6	재고 있음28,926
IMD10AMT1G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS NPN/PNP PREBIAS SC74R 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 13kOhms, 130Ohms 저항-이미 터베이스 (R2): 10kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V / 68 @ 100mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: - 전력-최대: 285mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 공급자 장치 패키지: SC-74R	재고 있음3,420
IMD10AT108 Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA, 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 10kOhms, 100Ohms 저항-이미 터베이스 (R2): 10kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V / 68 @ 100mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA / 300mV @ 5mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 250MHz, 200MHz 전력-최대: 300mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457 공급자 장치 패키지: SMT6	재고 있음29,268
IMD14T108 Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 220Ohms 저항-이미 터베이스 (R2): 10kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 82 @ 100mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 250MHz 전력-최대: 300mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457 공급자 장치 패키지: SMT6	재고 있음5,490
IMD16AT108 Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA, 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 100kOhms, 2.2kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 22kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V / 82 @ 50mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA / 300mV @ 100µA, 1mA 전류-수집기 차단 (최대): - 주파수-전환: 250MHz 전력-최대: 300mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457 공급자 장치 패키지: SMT6	재고 있음21,672
IMD1AT108 Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 22kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA 전류-수집기 차단 (최대): - 주파수-전환: 250MHz 전력-최대: 300mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457 공급자 장치 패키지: SMT6	재고 있음5,004
IMD23T108 Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SC74 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA, 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 1kOhms, 10kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 10kOhms, 10kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V, 30 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 2.5mA, 300mV @ 10mA, 500µA 전류-수집기 차단 (최대): - 주파수-전환: 200MHz, 250MHz 전력-최대: 300mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457 공급자 장치 패키지: SMT6	재고 있음2,106
IMD2AT108 Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 22kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 22kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 250MHz 전력-최대: 300mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457 공급자 장치 패키지: SMT6	재고 있음6,588
IMD3AT108 Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 10kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 10kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 250MHz 전력-최대: 300mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457 공급자 장치 패키지: SMT6	재고 있음3,996
IMD6AT108 Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 4.7kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO) 주파수-전환: 250MHz 전력-최대: 300mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457 공급자 장치 패키지: SMT6	재고 있음4,500

FMC6AT148

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SC74A

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 100kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 250µA
전류-수집기 차단 (최대): -
주파수-전환: 250MHz
전력-최대: 300mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-74A, SOT-753
공급자 장치 패키지: SMT5

재고 있음4,014

FMG11AT148

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMT5

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 2.2kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 250MHz
전력-최대: 300mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-74A, SOT-753
공급자 장치 패키지: SMT5

재고 있음5,454

FMG1AT148

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMT5

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 22kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 22kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 250MHz
전력-최대: 300mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-74A, SOT-753
공급자 장치 패키지: SMT5

재고 있음3,006

FMG2AT148

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMT5

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 47kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 250MHz
전력-최대: 300mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-74A, SOT-753
공급자 장치 패키지: SMT5

재고 있음28,278

FMG3AT148

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMT5

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 4.7kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO)
주파수-전환: 250MHz
전력-최대: 300mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-74A, SOT-753
공급자 장치 패키지: SMT5

재고 있음7,866

FMG4AT148

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMT5

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 10kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): -
주파수-전환: 250MHz
전력-최대: 300mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-74A, SOT-753
공급자 장치 패키지: SMT5

재고 있음4,932

FMG5AT148

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMT5

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 10kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 250MHz
전력-최대: 300mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-74A, SOT-753
공급자 장치 패키지: SMT5

재고 있음8,388

FMG6AT148

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMT5

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 47kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): -
주파수-전환: 250MHz
전력-최대: 300mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-74A, SOT-753
공급자 장치 패키지: SMT5

재고 있음8,424

FMG8AT148

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMT5

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 4.7kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 250MHz
전력-최대: 300mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-74A, SOT-753
공급자 장치 패키지: SMT5

재고 있음275,904

FMG9AT148

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMT5

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 10kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 10kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 250MHz
전력-최대: 300mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-74A, SOT-753
공급자 장치 패키지: SMT5

재고 있음3,006

FMG9AT248

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMT5

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 10kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 10kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 250MHz
전력-최대: 300mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-74A, SOT-753
공급자 장치 패키지: SMT5

재고 있음3,276

HD1A3M(0)-T1-AZ

Renesas Electronics America

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANSISTOR NPN SC62-3

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: HD1
트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
저항-베이스 (R1): 1kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 1kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
주파수-전환: -
전력-최대: 2W
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-243AA
공급자 장치 패키지: SC-62

재고 있음5,850

IMB10AT110

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 2.2kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 250MHz
전력-최대: 300mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457
공급자 장치 패키지: SMT6

재고 있음28,044

IMB11AT110

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 10kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 10kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 250MHz
전력-최대: 300mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457
공급자 장치 패키지: SMT6

재고 있음22,116

IMB1AT110

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 22kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 22kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: -
전력-최대: 300mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457
공급자 장치 패키지: SMT6

재고 있음2,736

IMB2AT110

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 47kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 250MHz
전력-최대: 300mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457
공급자 장치 패키지: SMT6

재고 있음6,534

IMB3AT110

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 4.7kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 5mA
전류-수집기 차단 (최대): -
주파수-전환: 250MHz
전력-최대: 300mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457
공급자 장치 패키지: SMT6

재고 있음5,058

IMB4AT110

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 10kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): -
주파수-전환: 250MHz
전력-최대: 300mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457
공급자 장치 패키지: SMT6

재고 있음5,958

IMB5AT108

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC74

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 22kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 22kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
주파수-전환: -
전력-최대: -
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457
공급자 장치 패키지: SMT6

재고 있음7,092

IMB7AT108

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SOT457

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 4.7kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
전류-수집기 차단 (최대): -
주파수-전환: -
전력-최대: 300mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-457
공급자 장치 패키지: SOT-457

재고 있음7,002

IMB9AT110

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 10kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 47kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 250MHz
전력-최대: 300mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457
공급자 장치 패키지: SMT6

재고 있음28,926

IMD10AMT1G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS NPN/PNP PREBIAS SC74R

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 13kOhms, 130Ohms
저항-이미 터베이스 (R2): 10kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V / 68 @ 100mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: -
전력-최대: 285mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
공급자 장치 패키지: SC-74R

재고 있음3,420

IMD10AT108

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA, 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 10kOhms, 100Ohms
저항-이미 터베이스 (R2): 10kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V / 68 @ 100mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA / 300mV @ 5mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 250MHz, 200MHz
전력-최대: 300mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457
공급자 장치 패키지: SMT6

재고 있음29,268

IMD14T108

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 220Ohms
저항-이미 터베이스 (R2): 10kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 82 @ 100mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 250MHz
전력-최대: 300mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457
공급자 장치 패키지: SMT6

재고 있음5,490

IMD16AT108

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA, 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 100kOhms, 2.2kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 22kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V / 82 @ 50mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA / 300mV @ 100µA, 1mA
전류-수집기 차단 (최대): -
주파수-전환: 250MHz
전력-최대: 300mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457
공급자 장치 패키지: SMT6

재고 있음21,672

IMD1AT108

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 22kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
전류-수집기 차단 (최대): -
주파수-전환: 250MHz
전력-최대: 300mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457
공급자 장치 패키지: SMT6

재고 있음5,004

IMD23T108

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SC74

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA, 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 1kOhms, 10kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 10kOhms, 10kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V, 30 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 2.5mA, 300mV @ 10mA, 500µA
전류-수집기 차단 (최대): -
주파수-전환: 200MHz, 250MHz
전력-최대: 300mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457
공급자 장치 패키지: SMT6

재고 있음2,106

IMD2AT108

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 22kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 22kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 250MHz
전력-최대: 300mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457
공급자 장치 패키지: SMT6

재고 있음6,588

IMD3AT108

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 10kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 10kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 250MHz
전력-최대: 300mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457
공급자 장치 패키지: SMT6

재고 있음3,996

IMD6AT108

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 4.7kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO)
주파수-전환: 250MHz
전력-최대: 300mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-74, SOT-457
공급자 장치 패키지: SMT6

재고 있음4,500

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