트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
UNR411800A Panasonic Electronic Components	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 300MW NS-B1 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 510 Ohms 저항-이미 터베이스 (R2): 5.1 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 80MHz 전력-최대: 300mW 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 3-SSIP 공급자 장치 패키지: NS-B1	재고 있음5,760
UNR411900A Panasonic Electronic Components	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 300MW NS-B1 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 1 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 80MHz 전력-최대: 300mW 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 3-SSIP 공급자 장치 패키지: NS-B1	재고 있음6,156
UNR411E00A Panasonic Electronic Components	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 300MW NS-B1 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 47 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 22 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 80MHz 전력-최대: 300mW 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 3-SSIP 공급자 장치 패키지: NS-B1	재고 있음7,956
UNR411F00A Panasonic Electronic Components	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 300MW NS-B1 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 80MHz 전력-최대: 300mW 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 3-SSIP 공급자 장치 패키지: NS-B1	재고 있음4,572
UNR411H00A Panasonic Electronic Components	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 300MW NS-B1 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 2.2 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 80MHz 전력-최대: 300mW 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 3-SSIP 공급자 장치 패키지: NS-B1	재고 있음3,420
UNR411L00A Panasonic Electronic Components	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 300MW NS-B1 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 4.7 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 80MHz 전력-최대: 300mW 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 3-SSIP 공급자 장치 패키지: NS-B1	재고 있음8,208
UNR412100A Panasonic Electronic Components	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 300MW NS-B1 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 2.2 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 2.2 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 100mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 1µA 주파수-전환: 200MHz 전력-최대: 300mW 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 3-SSIP 공급자 장치 패키지: NS-A1	재고 있음2,322
UNR412200A Panasonic Electronic Components	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 300MW NS-B1 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 4.7 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 1µA 주파수-전환: 200MHz 전력-최대: 300mW 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 3-SSIP 공급자 장치 패키지: NS-A1	재고 있음8,928
UNR412300A Panasonic Electronic Components	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 300MW NS-B1 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 10 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 100mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 1µA 주파수-전환: 200MHz 전력-최대: 300mW 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 3-SSIP 공급자 장치 패키지: NS-A1	재고 있음6,138
UNR412400A Panasonic Electronic Components	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 300MW NS-B1 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 2.2 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 100mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 1µA 주파수-전환: 200MHz 전력-최대: 300mW 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 3-SSIP 공급자 장치 패키지: NS-A1	재고 있음2,754
UNR42100RA Panasonic Electronic Components	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS NPN 300MW NS-B1 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 47 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 150MHz 전력-최대: 300mW 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 3-SSIP 공급자 장치 패키지: NS-B1	재고 있음6,444
UNR421100A Panasonic Electronic Components	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS NPN 300MW NS-B1 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 10 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 150MHz 전력-최대: 300mW 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 3-SSIP 공급자 장치 패키지: NS-B1	재고 있음4,986
UNR421200A Panasonic Electronic Components	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS NPN 300MW NS-B1 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 22 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 22 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 150MHz 전력-최대: 300mW 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 3-SSIP 공급자 장치 패키지: NS-B1	재고 있음2,898
UNR421300A Panasonic Electronic Components	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS NPN 300MW NS-B1 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 47 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 150MHz 전력-최대: 300mW 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 3-SSIP 공급자 장치 패키지: NS-B1	재고 있음2,412
UNR421400A Panasonic Electronic Components	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS NPN 300MW NS-B1 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 10 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 150MHz 전력-최대: 300mW 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 3-SSIP 공급자 장치 패키지: NS-B1	재고 있음2,268
UNR42160RA Panasonic Electronic Components	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS NPN 300MW NS-B1 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 150MHz 전력-최대: 300mW 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 3-SSIP 공급자 장치 패키지: NS-B1	재고 있음6,498
UNR42170RA Panasonic Electronic Components	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS NPN 300MW NS-B1 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 22 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 150MHz 전력-최대: 300mW 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 3-SSIP 공급자 장치 패키지: NS-B1	재고 있음2,232
UNR421800A Panasonic Electronic Components	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS NPN 300MW NS-B1 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 510 Ohms 저항-이미 터베이스 (R2): 5.1 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 150MHz 전력-최대: 300mW 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 3-SSIP 공급자 장치 패키지: NS-B1	재고 있음46,788
UNR421900A Panasonic Electronic Components	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS NPN 300MW NS-B1 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 1 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 150MHz 전력-최대: 300mW 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 3-SSIP 공급자 장치 패키지: NS-B1	재고 있음4,266
UNR421D00A Panasonic Electronic Components	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS NPN 300MW NS-B1 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 47 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 150MHz 전력-최대: 300mW 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 3-SSIP 공급자 장치 패키지: NS-B1	재고 있음7,722
UNR421F00A Panasonic Electronic Components	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS NPN 300MW NS-B1 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 150MHz 전력-최대: 300mW 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 3-SSIP 공급자 장치 패키지: NS-B1	재고 있음8,460
UNR421K00A Panasonic Electronic Components	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS NPN 300MW NS-B1 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 10 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 4.7 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 150MHz 전력-최대: 300mW 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 3-SSIP 공급자 장치 패키지: NS-B1	재고 있음36,846
UNR421L00A Panasonic Electronic Components	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS NPN 300MW NS-B1 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 4.7 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 150MHz 전력-최대: 300mW 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 3-SSIP 공급자 장치 패키지: NS-B1	재고 있음3,708
UNR422100A Panasonic Electronic Components	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS NPN 300MW NS-B1 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 2.2 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 2.2 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 100mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 1µA 주파수-전환: 200MHz 전력-최대: 300mW 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 3-SSIP 공급자 장치 패키지: NS-B1	재고 있음3,654
UNR422200A Panasonic Electronic Components	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS NPN 300MW NS-B1 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 4.7 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 1µA 주파수-전환: 200MHz 전력-최대: 300mW 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 3-SSIP 공급자 장치 패키지: NS-B1	재고 있음2,700
UNR422300A Panasonic Electronic Components	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS NPN 300MW NS-B1 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 10 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 100mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 1µA 주파수-전환: 200MHz 전력-최대: 300mW 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 3-SSIP 공급자 장치 패키지: NS-B1	재고 있음4,446
UNR422400A Panasonic Electronic Components	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS NPN 300MW NS-B1 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 2.2 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 100mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 1µA 주파수-전환: 200MHz 전력-최대: 300mW 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 3-SSIP 공급자 장치 패키지: NS-B1	재고 있음2,196
UNR511000L Panasonic Electronic Components	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 150MW SMINI3 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 47 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 80MHz 전력-최대: 150mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: SMini3-G1	재고 있음102,366
UNR511100L Panasonic Electronic Components	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 150MW SMINI3 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 10 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 80MHz 전력-최대: 150mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: SMini3-G1	재고 있음7,722
UNR5111G0L Panasonic Electronic Components	트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 TRANS PREBIAS PNP 150MW SMINI3 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V 저항-베이스 (R1): 10 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA 주파수-전환: 80MHz 전력-최대: 150mW 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-85 공급자 장치 패키지: SMini3-F2	재고 있음8,658

UNR411800A

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 300MW NS-B1

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 510 Ohms
저항-이미 터베이스 (R2): 5.1 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 80MHz
전력-최대: 300mW
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 3-SSIP
공급자 장치 패키지: NS-B1

재고 있음5,760

UNR411900A

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 300MW NS-B1

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 1 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 80MHz
전력-최대: 300mW
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 3-SSIP
공급자 장치 패키지: NS-B1

재고 있음6,156

UNR411E00A

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 300MW NS-B1

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 47 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 22 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 80MHz
전력-최대: 300mW
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 3-SSIP
공급자 장치 패키지: NS-B1

재고 있음7,956

UNR411F00A

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 300MW NS-B1

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 80MHz
전력-최대: 300mW
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 3-SSIP
공급자 장치 패키지: NS-B1

재고 있음4,572

UNR411H00A

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 300MW NS-B1

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 2.2 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 80MHz
전력-최대: 300mW
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 3-SSIP
공급자 장치 패키지: NS-B1

재고 있음3,420

UNR411L00A

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트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 300MW NS-B1

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 4.7 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 80MHz
전력-최대: 300mW
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 3-SSIP
공급자 장치 패키지: NS-B1

재고 있음8,208

UNR412100A

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 300MW NS-B1

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 2.2 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 2.2 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 100mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 1µA
주파수-전환: 200MHz
전력-최대: 300mW
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 3-SSIP
공급자 장치 패키지: NS-A1

재고 있음2,322

UNR412200A

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 300MW NS-B1

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 4.7 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 1µA
주파수-전환: 200MHz
전력-최대: 300mW
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 3-SSIP
공급자 장치 패키지: NS-A1

재고 있음8,928

UNR412300A

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 300MW NS-B1

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 10 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 100mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 1µA
주파수-전환: 200MHz
전력-최대: 300mW
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 3-SSIP
공급자 장치 패키지: NS-A1

재고 있음6,138

UNR412400A

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 300MW NS-B1

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 2.2 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 100mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 1µA
주파수-전환: 200MHz
전력-최대: 300mW
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 3-SSIP
공급자 장치 패키지: NS-A1

재고 있음2,754

UNR42100RA

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 300MW NS-B1

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 47 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 150MHz
전력-최대: 300mW
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 3-SSIP
공급자 장치 패키지: NS-B1

재고 있음6,444

UNR421100A

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 300MW NS-B1

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 10 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 150MHz
전력-최대: 300mW
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 3-SSIP
공급자 장치 패키지: NS-B1

재고 있음4,986

UNR421200A

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 300MW NS-B1

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 22 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 22 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 150MHz
전력-최대: 300mW
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 3-SSIP
공급자 장치 패키지: NS-B1

재고 있음2,898

UNR421300A

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 300MW NS-B1

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 47 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 150MHz
전력-최대: 300mW
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 3-SSIP
공급자 장치 패키지: NS-B1

재고 있음2,412

UNR421400A

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 300MW NS-B1

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 10 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 47 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 150MHz
전력-최대: 300mW
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 3-SSIP
공급자 장치 패키지: NS-B1

재고 있음2,268

UNR42160RA

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 300MW NS-B1

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 150MHz
전력-최대: 300mW
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 3-SSIP
공급자 장치 패키지: NS-B1

재고 있음6,498

UNR42170RA

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 300MW NS-B1

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 22 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 150MHz
전력-최대: 300mW
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 3-SSIP
공급자 장치 패키지: NS-B1

재고 있음2,232

UNR421800A

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 300MW NS-B1

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 510 Ohms
저항-이미 터베이스 (R2): 5.1 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 150MHz
전력-최대: 300mW
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 3-SSIP
공급자 장치 패키지: NS-B1

재고 있음46,788

UNR421900A

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 300MW NS-B1

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 1 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 150MHz
전력-최대: 300mW
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 3-SSIP
공급자 장치 패키지: NS-B1

재고 있음4,266

UNR421D00A

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 300MW NS-B1

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 47 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 150MHz
전력-최대: 300mW
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 3-SSIP
공급자 장치 패키지: NS-B1

재고 있음7,722

UNR421F00A

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 300MW NS-B1

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 150MHz
전력-최대: 300mW
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 3-SSIP
공급자 장치 패키지: NS-B1

재고 있음8,460

UNR421K00A

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트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 300MW NS-B1

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 10 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 4.7 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 150MHz
전력-최대: 300mW
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 3-SSIP
공급자 장치 패키지: NS-B1

재고 있음36,846

UNR421L00A

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 300MW NS-B1

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 4.7 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 150MHz
전력-최대: 300mW
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 3-SSIP
공급자 장치 패키지: NS-B1

재고 있음3,708

UNR422100A

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 300MW NS-B1

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 2.2 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 2.2 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 100mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 1µA
주파수-전환: 200MHz
전력-최대: 300mW
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 3-SSIP
공급자 장치 패키지: NS-B1

재고 있음3,654

UNR422200A

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 300MW NS-B1

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 4.7 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 4.7 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 1µA
주파수-전환: 200MHz
전력-최대: 300mW
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 3-SSIP
공급자 장치 패키지: NS-B1

재고 있음2,700

UNR422300A

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 300MW NS-B1

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 10 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 100mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 1µA
주파수-전환: 200MHz
전력-최대: 300mW
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 3-SSIP
공급자 장치 패키지: NS-B1

재고 있음4,446

UNR422400A

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS NPN 300MW NS-B1

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 2.2 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 100mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 1µA
주파수-전환: 200MHz
전력-최대: 300mW
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 3-SSIP
공급자 장치 패키지: NS-B1

재고 있음2,196

UNR511000L

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 150MW SMINI3

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 47 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 80MHz
전력-최대: 150mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: SMini3-G1

재고 있음102,366

UNR511100L

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 150MW SMINI3

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 10 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 80MHz
전력-최대: 150mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: SMini3-G1

재고 있음7,722

UNR5111G0L

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스

TRANS PREBIAS PNP 150MW SMINI3

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
저항-베이스 (R1): 10 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2): 10 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
주파수-전환: 80MHz
전력-최대: 150mW
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-85
공급자 장치 패키지: SMini3-F2

재고 있음8,658

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