트랜지스터

APTMC120TAM33CTPAG

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 6N-CH 1200V 78A SP6-P

• 제조업체: Microsemi Corporation
• 시리즈: -
• FET 유형: 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
• FET 기능: Silicon Carbide (SiC)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V (1.2kV)
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 78A (Tc)
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 60A, 20V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 3mA (Typ)
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 148nC @ 20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2850pF @ 1000V
• 전력-최대: 370W
• 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Chassis Mount
• 패키지 / 케이스: SP6
• 공급자 장치 패키지: SP6-P

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APTMC120TAM34CT3AG

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

POWER MODULE - SIC MOSFET

• 제조업체: Microsemi Corporation
• 시리즈: -
• FET 유형: 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
• FET 기능: Silicon Carbide (SiC)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V (1.2kV)
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 74A (Tc)
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 50A, 20V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 15mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 161nC @ 5V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2788pF @ 1000V
• 전력-최대: 375W
• 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Chassis Mount
• 패키지 / 케이스: Module
• 공급자 장치 패키지: SP3

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APTMC170AM30CT1AG

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 1700V 106A SP1

• 제조업체: Microsemi Corporation
• 시리즈: -
• FET 유형: 2 N Channel (Phase Leg)
• FET 기능: Silicon Carbide (SiC)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 1700V (1.7kV)
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc)
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 100A, 20V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 5mA (Typ)
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 380nC @ 20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6160pF @ 1000V
• 전력-최대: 700W
• 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Chassis Mount
• 패키지 / 케이스: SP1
• 공급자 장치 패키지: SP1

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APTMC170AM60CT1AG

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 1700V 53A SP1

• 제조업체: Microsemi Corporation
• 시리즈: -
• FET 유형: 2 N Channel (Phase Leg)
• FET 기능: Silicon Carbide (SiC)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 1700V (1.7kV)
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50A (Tc)
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 50A, 20V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 2.5mA (Typ)
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 190nC @ 20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3080pF @ 1000V
• 전력-최대: 350W
• 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Chassis Mount
• 패키지 / 케이스: SP1
• 공급자 장치 패키지: SP1

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APTMC60TL11CT3AG

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 4N-CH 1200V 28A SP3

• 제조업체: Microsemi Corporation
• 시리즈: -
• FET 유형: 4 N-Channel (Three Level Inverter)
• FET 기능: Silicon Carbide (SiC)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V (1.2kV)
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 28A (Tc)
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 20A, 20V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 49nC @ 20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 950pF @ 1000V
• 전력-최대: 125W
• 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Chassis Mount
• 패키지 / 케이스: SP3
• 공급자 장치 패키지: SP3

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APTMC60TLM14CAG

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 4N-CH 1200V 219A SP6C

• 제조업체: Microsemi Corporation
• 시리즈: -
• FET 유형: 4 N-Channel (Three Level Inverter)
• FET 기능: Silicon Carbide (SiC)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V (1.2kV)
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 219A (Tc)
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 150A, 20V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 30mA (Typ)
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 483nC @ 20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 8400pF @ 1000V
• 전력-최대: 925W
• 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Chassis Mount
• 패키지 / 케이스: SP6
• 공급자 장치 패키지: SP6

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APTMC60TLM55CT3AG

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 4N-CH 1200V 55A SP3F

• 제조업체: Microsemi Corporation
• 시리즈: -
• FET 유형: 4 N-Channel (Three Level Inverter)
• FET 기능: Silicon Carbide (SiC)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V (1.2kV)
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 48A (Tc)
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 40A, 20V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 2mA (Typ)
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 98nC @ 20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1900pF @ 1000V
• 전력-최대: 250W
• 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Chassis Mount
• 패키지 / 케이스: SP3
• 공급자 장치 패키지: SP3

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APTML1002U60R020T3AG

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 1000V 20A SP3

• 제조업체: Microsemi Corporation
• 시리즈: -
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Standard
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V (1kV)
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 720mOhm @ 10A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 2.5mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6000pF @ 25V
• 전력-최대: 520W
• 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Chassis Mount
• 패키지 / 케이스: SP3
• 공급자 장치 패키지: SP3

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APTML102UM09R004T3AG

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 100V 154A SP3

• 제조업체: Microsemi Corporation
• 시리즈: -
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Standard
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 154A (Tc)
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 69.5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 2.5mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 9875pF @ 25V
• 전력-최대: 480W
• 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Chassis Mount
• 패키지 / 케이스: SP3
• 공급자 장치 패키지: SP3

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APTML202UM18R010T3AG

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 200V 109A SP3

• 제조업체: Microsemi Corporation
• 시리즈: -
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Standard
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 109A (Tc)
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 50A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 2.5mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 9880pF @ 25V
• 전력-최대: 480W
• 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Chassis Mount
• 패키지 / 케이스: SP3
• 공급자 장치 패키지: SP3

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APTML502UM90R020T3AG

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 500V 52A SP3

• 제조업체: Microsemi Corporation
• 시리즈: -
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Standard
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 52A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 108mOhm @ 26A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 2.5mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7600pF @ 25V
• 전력-최대: 568W
• 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Chassis Mount
• 패키지 / 케이스: SP3
• 공급자 장치 패키지: SP3

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APTML602U12R020T3AG

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 600V 45A SP3

• 제조업체: Microsemi Corporation
• 시리즈: -
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Standard
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 45A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 22.5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 2.5mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7600pF @ 25V
• 전력-최대: 568W
• 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Chassis Mount
• 패키지 / 케이스: SP3
• 공급자 장치 패키지: SP3

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APTSM120AM08CT6AG

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

POWER MODULE - SIC

• 제조업체: Microsemi Corporation
• 시리즈: -
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual), Schottky
• FET 기능: Silicon Carbide (SiC)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V (1.2kV)
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 370A (Tc)
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 200A, 20V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 10mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1360nC @ 20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
• 전력-최대: 2300W
• 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Chassis Mount
• 패키지 / 케이스: SP6
• 공급자 장치 패키지: SP6

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APTSM120AM09CD3AG

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2 N-CH 1200V 337A MODULE

• 제조업체: Microsemi Corporation
• 시리즈: -
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Silicon Carbide (SiC)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V (1.2kV)
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 337A (Tc)
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 180A, 20V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 9mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1224nC @ 20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 23000pF @ 1000V
• 전력-최대: -
• 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Chassis Mount
• 패키지 / 케이스: Module
• 공급자 장치 패키지: Module

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

APTSM120AM14CD3AG

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

POWER MODULE - SIC

• 제조업체: Microsemi Corporation
• 시리즈: -
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual), Schottky
• FET 기능: Silicon Carbide (SiC)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V (1.2kV)
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 337A (Tc)
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 180A, 20V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 9mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1224nC @ 20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 23000pF @ 1000V
• 전력-최대: 2140W
• 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Chassis Mount
• 패키지 / 케이스: Module
• 공급자 장치 패키지: Module

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

APTSM120AM25CT3AG

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

POWER MODULE - SIC

• 제조업체: Microsemi Corporation
• 시리즈: -
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual), Schottky
• FET 기능: Silicon Carbide (SiC)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V (1.2kV)
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 148A (Tc)
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 80A, 20V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 4mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 544nC @ 20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 10200pF @ 1000V
• 전력-최대: 937W
• 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Chassis Mount
• 패키지 / 케이스: SP3
• 공급자 장치 패키지: SP3

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

APTSM120AM55CT1AG

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

POWER MODULE - SIC

• 제조업체: Microsemi Corporation
• 시리즈: -
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual), Schottky
• FET 기능: Silicon Carbide (SiC)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V (1.2kV)
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 74A (Tc)
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 40A, 20V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 2mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 272nC @ 20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5120pF @ 1000V
• 전력-최대: 470W
• 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Chassis Mount
• 패키지 / 케이스: SP1
• 공급자 장치 패키지: SP1

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

APTSM120TAM33CTPAG

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

POWER MODULE - SIC

• 제조업체: Microsemi Corporation
• 시리즈: -
• FET 유형: 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
• FET 기능: Silicon Carbide (SiC)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V (1.2kV)
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 112A (Tc)
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 60A, 20V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 3mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 408nC @ 20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7680pF @ 1000V
• 전력-최대: 714W
• 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Chassis Mount
• 패키지 / 케이스: SP6
• 공급자 장치 패키지: SP6

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AUIRF7103Q

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 50V 3A 8SOIC

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: HEXFET®
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Standard
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 50V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 10V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 255pF @ 25V
• 전력-최대: 2.4W
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 8-SO

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AUIRF7103QTR

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 50V 3A 8SOIC

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: Automotive, AEC-Q101, HEXFET®
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Standard
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 50V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 10V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 255pF @ 25V
• 전력-최대: 2.4W
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 8-SO

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

AUIRF7303Q

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 5.3A 8SOIC

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: HEXFET®
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.3A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.7A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 100µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 21nC @ 10V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 515pF @ 25V
• 전력-최대: 2.4W
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 8-SO

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

AUIRF7303QTR

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 5.3A 8SOIC

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: HEXFET®
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.3A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.7A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 100µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 21nC @ 10V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 515pF @ 25V
• 전력-최대: 2.4W
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 8-SO

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

AUIRF7304Q

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: HEXFET®
• FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.3A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.2A, 4.5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22nC @ 4.5V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 610pF @ 15V
• 전력-최대: 2W
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 8-SO

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

AUIRF7304QTR

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: HEXFET®
• FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.3A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.2A, 4.5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22nC @ 4.5V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 610pF @ 15V
• 전력-최대: 2W
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 8-SO

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AUIRF7309Q

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SOIC

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: HEXFET®
• FET 유형: N and P-Channel
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A, 3A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.4A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 25nC @ 4.5V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 520pF @ 15V
• 전력-최대: 1.4W
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 8-SO

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AUIRF7309QTR

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SOIC

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: HEXFET®
• FET 유형: N and P-Channel
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A, 3A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.4A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 25nC @ 4.5V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 520pF @ 15V
• 전력-최대: 1.4W
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 8-SO

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AUIRF7313Q

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SOIC

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: HEXFET®
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.9A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6.9A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 33nC @ 10V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 755pF @ 25V
• 전력-최대: 2.4W
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 8-SO

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AUIRF7313QTR

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SOIC

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: HEXFET®
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.9A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6.9A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 33nC @ 10V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 755pF @ 25V
• 전력-최대: 2.4W
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 8-SO

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AUIRF7316Q

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8SOIC

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: HEXFET®
• FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4.9A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 34nC @ 10V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 710pF @ 25V
• 전력-최대: 2W
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 8-SO

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AUIRF7316QTR

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8SOIC

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: HEXFET®
• FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4.9A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 34nC @ 10V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 710pF @ 25V
• 전력-최대: 2W
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 8-SO

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