트랜지스터

BSD235N L6327

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 20V 0.95A SOT363

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: OptiMOS™
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 950mA
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 950mA, 4.5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 1.6µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.32nC @ 4.5V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 63pF @ 10V
• 전력-최대: 500mW
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
• 공급자 장치 패키지: PG-SOT363-6

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BSD340NH6327XTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

SMALL SIGNAL+P-CH

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: *
• FET 유형: -
• FET 기능: -
• 드레인-소스 전압 (Vdss): -
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
• Vgs (th) (최대) @ Id: -
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
• 전력-최대: -
• 작동 온도: -
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
• 공급자 장치 패키지: PG-SOT363-6

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BSD840NH6327XTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 20V 0.88A SOT363

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: OptiMOS™
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 880mA
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 880mA, 2.5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 750mV @ 1.6µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.26nC @ 2.5V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 78pF @ 10V
• 전력-최대: 500mW
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
• 공급자 장치 패키지: PG-SOT363-6

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BSD840N L6327

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 20V 0.88A SOT363

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: OptiMOS™
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 880mA
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 880mA, 2.5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 750mV @ 1.6µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.26nC @ 2.5V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 78pF @ 10V
• 전력-최대: 500mW
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
• 공급자 장치 패키지: PG-SOT363-6

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BSG0810NDIATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 25V 19A/39A 8TISON

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: OptiMOS™
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
• FET 기능: Logic Level Gate, 4.5V Drive
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 19A, 39A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.4nC @ 4.5V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1040pF @ 12V
• 전력-최대: 2.5W
• 작동 온도: -55°C ~ 155°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
• 공급자 장치 패키지: PG-TISON-8

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BSG0811NDATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 25V 19A/41A 8TISON

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: OptiMOS™
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
• FET 기능: Logic Level Gate, 4.5V Drive
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 19A, 41A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.4nC @ 4.5V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1100pF @ 12V
• 전력-최대: 2.5W
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
• 공급자 장치 패키지: PG-TISON-8

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BSG0813NDIATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 25V 19A/33A 8TISON

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: -
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
• FET 기능: Logic Level Gate, 4.5V Drive
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 19A, 33A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.4nC @ 4.5V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1100pF @ 12V
• 전력-최대: 2.5W
• 작동 온도: -55°C ~ 155°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
• 공급자 장치 패키지: PG-TISON-8

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BSL205NH6327XTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 20V 2.5A 6TSOP

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Logic Level Gate, 4.5V Drive
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.5A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.5A, 4.5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 11µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.2nC @ 4.5V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 419pF @ 10V
• 전력-최대: 500mW
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
• 공급자 장치 패키지: PG-TSOP-6-6

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BSL205NL6327HTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 20V 2.5A 6TSOP

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: OptiMOS™
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.5A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.5A, 4.5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 11µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.2nC @ 4.5V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 419pF @ 10V
• 전력-최대: 500mW
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
• 공급자 장치 패키지: PG-TSOP-6-6

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BSL207NH6327XTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 20V 2.1A 6TSOP

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Logic Level Gate, 2.5V Drive
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.1A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2.1A, 4.5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 11µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.1nC @ 4.5V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 419pF @ 10V
• 전력-최대: 500mW
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
• 공급자 장치 패키지: PG-TSOP-6-1

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BSL207NL6327HTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 20V 2.1A 6TSOP

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: OptiMOS™
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.1A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2.1A, 4.5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 11µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.1nC @ 4.5V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 419pF @ 10V
• 전력-최대: 500mW
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
• 공급자 장치 패키지: PG-TSOP-6-6

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BSL214NH6327XTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 20V 1.5A 6TSOP

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Logic Level Gate, 2.5V Drive
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.5A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 4.5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 3.7µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.8nC @ 5V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 143pF @ 10V
• 전력-최대: 500mW
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
• 공급자 장치 패키지: PG-TSOP-6-6

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BSL214NL6327HTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 20V 1.5A 6TSOP

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: OptiMOS™
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.5A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 4.5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 3.7µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.8nC @ 5V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 143pF @ 10V
• 전력-최대: 500mW
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
• 공급자 장치 패키지: PG-TSOP-6-6

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BSL215CH6327XTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 20V 1.5A TSOP-6

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
• FET 유형: N and P-Channel Complementary
• FET 기능: Logic Level Gate, 2.5V Drive
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.5A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 4.5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 3.7µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.73nC @ 4.5V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 143pF @ 10V
• 전력-최대: 500mW
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
• 공급자 장치 패키지: PG-TSOP-6-6

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BSL215CL6327HTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 20V 1.5A TSOP-6

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: OptiMOS™
• FET 유형: N and P-Channel
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.5A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 4.5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 3.7µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.73nC @ 4.5V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 143pF @ 10V
• 전력-최대: 500mW
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
• 공급자 장치 패키지: PG-TSOP-6-6

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BSL215PL6327HTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 20V 1.5A TSOP-6

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: OptiMOS™
• FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.5A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.5A, 4.5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 11µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.55nC @ 4.5V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 346pF @ 15V
• 전력-최대: 500mW
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
• 공급자 장치 패키지: PG-TSOP-6-6

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BSL306NH6327XTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 2.3A 6TSOP

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Logic Level Gate, 4.5V Drive
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.3A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 2.3A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 11µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.6nC @ 5V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 275pF @ 15V
• 전력-최대: 500mW
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
• 공급자 장치 패키지: PG-TSOP-6-6

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BSL306NL6327HTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 2.3A 6TSOP

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: OptiMOS™
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.3A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 2.3A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 11µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.6nC @ 5V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 275pF @ 15V
• 전력-최대: 500mW
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
• 공급자 장치 패키지: PG-TSOP-6-6

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BSL308CH6327XTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 30V 2.3A/2A 6TSOP

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
• FET 유형: N and P-Channel Complementary
• FET 기능: Logic Level Gate, 4.5V Drive
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.3A, 2A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 2.3A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 11µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.5nC @ 10V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 275pF @ 15V
• 전력-최대: 500mW
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
• 공급자 장치 패키지: PG-TSOP-6-6

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BSL308CL6327HTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 30V 2.3A/2A 6TSOP

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: OptiMOS™
• FET 유형: N and P-Channel
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.3A, 2A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 11µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 500nC @ 10V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 275pF @ 15V
• 전력-최대: 500mW
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
• 공급자 장치 패키지: PG-TSOP-6-6

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BSL308PEH6327XTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 30V 2A 6TSOP

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
• FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
• FET 기능: Logic Level Gate, 4.5V Drive
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 11µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5nC @ 10V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 500pF @ 15V
• 전력-최대: 500mW
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
• 공급자 장치 패키지: PG-TSOP-6-6

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BSL308PEL6327HTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 30V 2A 6TSOP

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: OptiMOS™
• FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 11µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5nC @ 10V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 500pF @ 15V
• 전력-최대: 500mW
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
• 공급자 장치 패키지: PG-TSOP-6-6

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BSL314PEH6327XTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 30V 1.5A 6TSOP

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
• FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
• FET 기능: Logic Level Gate, 4.5V Drive
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.5A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 6.3µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.9nC @ 10V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 294pF @ 15V
• 전력-최대: 500mW
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
• 공급자 장치 패키지: PG-TSOP-6-6

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Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 30V 1.5A 6TSOP

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: OptiMOS™
• FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.5A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 6.3µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.9nC @ 10V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 294pF @ 15V
• 전력-최대: 500mW
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
• 공급자 장치 패키지: PG-TSOP-6-6

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Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 30V 1.5A TSOP-6

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: OptiMOS™
• FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.5A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 11µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.3nC @ 5V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 282pF @ 15V
• 전력-최대: 500mW
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
• 공급자 장치 패키지: PG-TSOP-6-6

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Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 30V 1.4A/1.5A TSOP

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
• FET 유형: N and P-Channel Complementary
• FET 기능: Logic Level Gate, 4.5V Drive
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.4A, 1.5A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.4A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 3.7µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.6nC @ 5V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 282pF @ 15V
• 전력-최대: 500mW
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
• 공급자 장치 패키지: PG-TSOP-6-6

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BSL316CL6327HTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 30V TSOP-6

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: OptiMOS™
• FET 유형: N and P-Channel
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.4A, 1.5A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.4A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 3.7µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.6nC @ 5V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 94pF @ 15V
• 전력-최대: 500mW
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
• 공급자 장치 패키지: PG-TSOP-6-6

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BSL806NH6327XTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2 N-CH 20V 2.3A TSOP6-6

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: OptiMOS™
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Logic Level Gate, 1.8V Drive
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.3A (Ta)
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 2.3A, 2.5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 750mV @ 11µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.7nC @ 2.5V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 259pF @ 10V
• 전력-최대: 500mW
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
• 공급자 장치 패키지: PG-TSOP-6-6

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BSL806NL6327HTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 20V 2.3A 6TSOP

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: OptiMOS™
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.3A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 2.3A, 2.5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 750mV @ 11µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.7nC @ 2.5V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 259pF @ 10V
• 전력-최대: 500mW
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
• 공급자 장치 패키지: PG-TSOP-6-6

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BSM080D12P2C008

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

SIC POWER MODULE-1200V-80A

• 제조업체: Rohm Semiconductor
• 시리즈: -
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Silicon Carbide (SiC)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V (1.2kV)
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc)
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 13.2mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 800pF @ 10V
• 전력-최대: 600W
• 작동 온도: 175°C (TJ)
• 장착 유형: Chassis Mount
• 패키지 / 케이스: Module
• 공급자 장치 패키지: Module

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