트랜지스터

BSM120D12P2C005

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 1200V 120A MODULE

• 제조업체: Rohm Semiconductor
• 시리즈: -
• FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge)
• FET 기능: Silicon Carbide (SiC)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V (1.2kV)
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 120A (Tc)
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.7V @ 22mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 14000pF @ 10V
• 전력-최대: 780W
• 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: -
• 패키지 / 케이스: Module
• 공급자 장치 패키지: Module

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BSM180D12P2C101

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULE

• 제조업체: Rohm Semiconductor
• 시리즈: -
• FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge)
• FET 기능: Silicon Carbide (SiC)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V (1.2kV)
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 204A (Tc)
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 35.2mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 23000pF @ 10V
• 전력-최대: 1130W
• 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: -
• 패키지 / 케이스: Module
• 공급자 장치 패키지: Module

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BSM180D12P3C007

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

SIC POWER MODULE

• 제조업체: Rohm Semiconductor
• 시리즈: -
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Silicon Carbide (SiC)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V (1.2kV)
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 180A (Tc)
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
• Vgs (th) (최대) @ Id: 5.6V @ 50mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 900pF @ 10V
• 전력-최대: 880W
• 작동 온도: 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: Module
• 공급자 장치 패키지: Module

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BSM250D17P2E004

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

HALF BRIDGE MODULE CONSISTING OF

• 제조업체: Rohm Semiconductor
• 시리즈: -
• FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge)
• FET 기능: Silicon Carbide (SiC)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 1700V (1.7kV)
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 250A (Tc)
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 66mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 30000pF @ 10V
• 전력-최대: 1800W (Tc)
• 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Chassis Mount
• 패키지 / 케이스: Module
• 공급자 장치 패키지: Module

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BSM300D12P2E001

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 1200V 300A

• 제조업체: Rohm Semiconductor
• 시리즈: -
• FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge)
• FET 기능: Silicon Carbide (SiC)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V (1.2kV)
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 300A (Tc)
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 68mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 35000pF @ 10V
• 전력-최대: 1875W
• 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Chassis Mount
• 패키지 / 케이스: Module
• 공급자 장치 패키지: Module

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BSO150N03

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 7.6A 8DSO

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: OptiMOS™
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Standard
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.6A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 9.1A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 25µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 5V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1890pF @ 15V
• 전력-최대: 1.4W
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 공급자 장치 패키지: PG-DSO-8

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BSO150N03MDGXUMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 8A 8DSO

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: OptiMOS™
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 9.3A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 10V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1300pF @ 15V
• 전력-최대: 1.4W
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 공급자 장치 패키지: PG-DSO-8

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BSO200N03

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 6.6A 8DSO

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: OptiMOS™
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.6A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7.9A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 13µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8nC @ 5V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1010pF @ 15V
• 전력-최대: 1.4W
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 공급자 장치 패키지: PG-DSO-8

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BSO203PHXUMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 20V 7A 8DSO

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: OptiMOS™
• FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8.2A, 4.5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 100µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 39nC @ 4.5V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3750pF @ 15V
• 전력-최대: 1.6W
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 공급자 장치 패키지: P-DSO-8

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BSO203PNTMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 20V 8.2A 8SOIC

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: OptiMOS™
• FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8.2A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8.2A, 4.5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 100µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 48.6nC @ 4.5V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2242pF @ 15V
• 전력-최대: 2W
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 공급자 장치 패키지: P-DSO-8

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BSO204PNTMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 20V 7A 8SOIC

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: OptiMOS™
• FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7A, 4.5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 60µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 35.8nC @ 4.5V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1513pF @ 15V
• 전력-최대: 2W
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 공급자 장치 패키지: P-DSO-8

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BSO207PHXUMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 20V 5A 8DSO

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: OptiMOS™
• FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5.7A, 4.5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 44µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 16nC @ 4.5V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1650pF @ 15V
• 전력-최대: 1.6W
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 공급자 장치 패키지: PG-DSO-8

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BSO207PNTMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 20V 5.7A 8SOIC

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: OptiMOS™
• FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.7A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5.7A, 4.5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 40µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 23.4nC @ 4.5V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1013pF @ 15V
• 전력-최대: 2W
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 공급자 장치 패키지: P-DSO-8

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

BSO211PHXUMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 20V 4A 8DSO

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: OptiMOS™
• FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 4.6A, 4.5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 25µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1095pF @ 15V
• 전력-최대: 1.6W
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 공급자 장치 패키지: PG-DSO-8

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

BSO211PNTMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 20V 4.7A 8SOIC

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: OptiMOS™
• FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.7A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 4.7A, 4.5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 25µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 23.9nC @ 4.5V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 920pF @ 15V
• 전력-최대: 2W
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 공급자 장치 패키지: P-DSO-8

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BSO215C

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 20V 3.7A 8SOIC

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: SIPMOS®
• FET 유형: N and P-Channel
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.7A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3.7A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 10µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11.5nC @ 10V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 246pF @ 25V
• 전력-최대: 2W
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 8-SO

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

BSO220N03MDGXUMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 6A 8DSO

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: OptiMOS™
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.7A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10nC @ 10V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 800pF @ 15V
• 전력-최대: 1.4W
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 공급자 장치 패키지: PG-DSO-8

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

BSO303PHXUMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 30V 7A 8DSO

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: OptiMOS™
• FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8.2A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 100µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 49nC @ 10V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2678pF @ 25V
• 전력-최대: 2W
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 공급자 장치 패키지: PG-DSO-8

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

BSO303PNTMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 30V 8.2A 8DSO

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: OptiMOS™
• FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8.2A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8.2A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 100µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 72.5nC @ 10V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1761pF @ 25V
• 전력-최대: 2W
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 공급자 장치 패키지: P-DSO-8

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

BSO330N02KGFUMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 20V 5.4A 8DSO

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: OptiMOS™
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.4A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6.5A, 4.5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 20µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.9nC @ 4.5V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 730pF @ 10V
• 전력-최대: 1.4W
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 공급자 장치 패키지: PG-DSO-8

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

BSO350N03

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 5A 8DSO

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: OptiMOS™
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 6µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.7nC @ 5V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 480pF @ 15V
• 전력-최대: 1.4W
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 공급자 장치 패키지: PG-DSO-8

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

BSO4804

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: OptiMOS™
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 30µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 5V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 870pF @ 25V
• 전력-최대: 2W
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 8-SO

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BSO4804HUMA2

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2 N-CH 30V 8A DSO8

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: -
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A (Ta)
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 30µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 5V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 870pF @ 25V
• 전력-최대: 2W
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 공급자 장치 패키지: PG-DSO-8

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BSO4804T

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: OptiMOS™
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 30µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 5V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 870pF @ 25V
• 전력-최대: 2W
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 8-SO

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BSO604NS2XUMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 55V 5A 8DSO

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: OptiMOS™
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 2.5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 30µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 26nC @ 10V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 870pF @ 25V
• 전력-최대: 2W
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 공급자 장치 패키지: P-DSO-8

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BSO612CV

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 60V 3A/2A 8SOIC

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: SIPMOS®
• FET 유형: N and P-Channel
• FET 기능: Standard
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A, 2A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 20µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15.5nC @ 10V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 340pF @ 25V
• 전력-최대: 2W
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 공급자 장치 패키지: P-DSO-8

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BSO612CVGHUMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 60V 2A 8-SOIC

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: SIPMOS®
• FET 유형: N and P-Channel
• FET 기능: Standard
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A, 2A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 20µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15.5nC @ 10V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 340pF @ 25V
• 전력-최대: 2W
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 공급자 장치 패키지: PG-DSO-8

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BSO615CGHUMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2A 8SOIC

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: SIPMOS®
• FET 유형: N and P-Channel
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.1A, 2A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3.1A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 20µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22.5nC @ 10V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 380pF @ 25V
• 전력-최대: 2W
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 공급자 장치 패키지: PG-DSO-8

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BSO615CT

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2A 8SOIC

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: SIPMOS®
• FET 유형: N and P-Channel
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.1A, 2A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3.1A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 20µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22.5nC @ 10V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 380pF @ 25V
• 전력-최대: 2W
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 공급자 장치 패키지: PG-DSO-8

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BSO615N

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8SOIC

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: SIPMOS®
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.6A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.6A, 4.5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 20µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 10V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 380pF @ 25V
• 전력-최대: 2W
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 공급자 장치 패키지: PG-DSO-8

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