트랜지스터

BUK9K6R2-40E,115

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 40V 40A LFPAK56D

• 제조업체: Nexperia USA Inc.
• 시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 40A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 25A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 35.4nC @ 10V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3281pF @ 25V
• 전력-최대: 68W
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: SOT-1205, 8-LFPAK56
• 공급자 장치 패키지: LFPAK56D

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BUK9K6R8-40EX

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 40V 40A 56LFPAK

• 제조업체: Nexperia USA Inc.
• 시리즈: -
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 40A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 10A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22.2nC @ 5V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3000pF @ 25V
• 전력-최대: 64W
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: SOT-1205, 8-LFPAK56
• 공급자 장치 패키지: LFPAK56D

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BUK9K89-100E,115

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 100V 12.5A LFPAK56D

• 제조업체: Nexperia USA Inc.
• 시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12.5A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 16.8nC @ 10V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1108pF @ 25V
• 전력-최대: 38W
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: SOT-1205, 8-LFPAK56
• 공급자 장치 패키지: LFPAK56D

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BUK9K8R7-40EX

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 40V 30A 56LFPAK

• 제조업체: Nexperia USA Inc.
• 시리즈: TrenchMOS™
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 10A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15.7nC @ 5V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2110pF @ 25V
• 전력-최대: 53W
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: SOT-1205, 8-LFPAK56
• 공급자 장치 패키지: LFPAK56D

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BUK9MFF-65PSS,518

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

9605 AUTO TRENCH PLUS

• 제조업체: Nexperia USA Inc.
• 시리즈: TrenchPLUS
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 65V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13.6A (Tc)
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 10A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 40.2nC @ 5V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3052pF @ 25V
• 전력-최대: 4.75W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 20-SO

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BUK9MGP-55PTS,518

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

9648 MISC TRENCHFET

• 제조업체: Nexperia USA Inc.
• 시리즈: TrenchPLUS
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16.9A (Tc), 9.16A (Tc)
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 10A, 10V, 22.6mOhm @ 5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 54nC @ 5V, 23nC @ 5V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5178pF @ 25V, 2315pF @ 25V
• 전력-최대: 5.2W (Tc), 3.9W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 20-SO

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BUK9MHH-65PNN,518

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

9605 AUTO TRENCH PLUS

• 제조업체: Nexperia USA Inc.
• 시리즈: TrenchPLUS
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 65V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A (Tc)
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 10A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 44.6nC @ 5V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3643pF @ 25V
• 전력-최대: 5W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 20-SO

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BUK9MJJ-65PLL,518

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

9605 AUTO TRENCH PLUS

• 제조업체: Nexperia USA Inc.
• 시리즈: TrenchPLUS
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 65V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11.6A (Tc)
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 10A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 30.8nC @ 5V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2660pF @ 25V
• 전력-최대: 4.4W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 20-SO

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BUK9MJT-55PRF,518

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 55V 20SOIC

• 제조업체: Nexperia USA Inc.
• 시리즈: -
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 13.8mOhm @ 10A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: -
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
• 전력-최대: -
• 작동 온도: -
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 20-SO

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BUK9MNN-65PKK,518

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

9605 AUTO TRENCH PLUS

• 제조업체: Nexperia USA Inc.
• 시리즈: TrenchPLUS
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 65V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.1A (Tc)
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 32.8mOhm @ 5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 5V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1180pF @ 25V
• 전력-최대: 3.57W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 20-SO

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BUK9MRR-65PKK,518

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

9605 AUTO TRENCH PLUS

• 제조업체: Nexperia USA Inc.
• 시리즈: TrenchPLUS
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 65V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.8A (Tc)
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 60.7mOhm @ 3A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.8nC @ 5V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 712pF @ 25V
• 전력-최대: 3.2W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 20-SO

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BUK9MTT-65PBB,518

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

9605 AUTO TRENCH PLUS

• 제조업체: Nexperia USA Inc.
• 시리즈: TrenchPLUS
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 65V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.8A (Tc)
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 90.4mOhm @ 3A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.3nC @ 5V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 535pF @ 25V
• 전력-최대: 3.15W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 20-SO

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CAB450M12XM3

Cree/Wolfspeed

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

1.2KV 450A SIC HALF BRIDGE MOD

• 제조업체: Cree/Wolfspeed
• 시리즈: -
• FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge)
• FET 기능: Silicon Carbide (SiC)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 450A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 450A, 15V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.6V @ 132mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1330nC @ 15V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 38000pF @ 800V
• 전력-최대: 50mW
• 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Chassis Mount
• 패키지 / 케이스: Module
• 공급자 장치 패키지: Module

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CAS100H12AM1

Cree/Wolfspeed

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 1200V 168A MODULE

• 제조업체: Cree/Wolfspeed
• 시리즈: Z-FET™
• FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge)
• FET 기능: Standard
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V (1.2kV)
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 168A
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 20A, 20V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.1V @ 50mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 9500pF @ 800V
• 전력-최대: 568W
• 작동 온도: -
• 장착 유형: Chassis Mount
• 패키지 / 케이스: Module
• 공급자 장치 패키지: Module

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CAS120M12BM2

Cree/Wolfspeed

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 1200V 193A MODULE

• 제조업체: Cree/Wolfspeed
• 시리즈: Z-Rec®
• FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge)
• FET 기능: Silicon Carbide (SiC)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V (1.2kV)
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 193A (Tc)
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 120A, 20V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.6V @ 6mA (Typ)
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 378nC @ 20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6300pF @ 1000V
• 전력-최대: 925W
• 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Chassis Mount
• 패키지 / 케이스: Module
• 공급자 장치 패키지: Module

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CAS300M12BM2

Cree/Wolfspeed

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 1200V 404A MODULE

• 제조업체: Cree/Wolfspeed
• 시리즈: Z-FET™
• FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge)
• FET 기능: Silicon Carbide (SiC)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V (1.2kV)
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 423A (Tc)
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 300A, 20V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 15mA (Typ)
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1025nC @ 20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 11700pF @ 600V
• 전력-최대: 1660W
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Chassis Mount
• 패키지 / 케이스: Module, Screw Terminals
• 공급자 장치 패키지: Module

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CAS300M17BM2

Cree/Wolfspeed

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 1700V 325A MODULE

• 제조업체: Cree/Wolfspeed
• 시리즈: Z-Rec®
• FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge)
• FET 기능: Silicon Carbide (SiC)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 1700V (1.7kV)
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 325A (Tc)
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 225A, 20V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 15mA (Typ)
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1076nC @ 20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 20000pF @ 1000V
• 전력-최대: 1760W
• 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Chassis Mount
• 패키지 / 케이스: Module
• 공급자 장치 패키지: Module

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CAS325M12HM2

Cree/Wolfspeed

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 1200V 444A MODULE

• 제조업체: Cree/Wolfspeed
• 시리즈: Z-REC™
• FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge)
• FET 기능: Silicon Carbide (SiC)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V (1.2kV)
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 444A (Tc)
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 400A, 20V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 105mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1127nC @ 20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
• 전력-최대: 3000W
• 작동 온도: 175°C (TJ)
• 장착 유형: -
• 패키지 / 케이스: Module
• 공급자 장치 패키지: Module

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CCS020M12CM2

Cree/Wolfspeed

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 6N-CH 1200V 29.5A MODULE

• 제조업체: Cree/Wolfspeed
• 시리즈: Z-Rec®
• FET 유형: 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
• FET 기능: Silicon Carbide (SiC)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V (1.2kV)
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 29.5A (Tc)
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 20A, 20V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 1mA (Typ)
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 61.5nC @ 20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 900pF @ 800V
• 전력-최대: 167W
• 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Chassis Mount
• 패키지 / 케이스: Module
• 공급자 장치 패키지: Module

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CCS050M12CM2

Cree/Wolfspeed

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 6N-CH 1200V 87A MODULE

• 제조업체: Cree/Wolfspeed
• 시리즈: Z-FET™ Z-Rec™
• FET 유형: 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
• FET 기능: Silicon Carbide (SiC)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V (1.2kV)
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 87A (Tc)
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 50A, 20V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 2.5mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 180nC @ 20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2.810nF @ 800V
• 전력-최대: 337W
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Chassis Mount
• 패키지 / 케이스: Module
• 공급자 장치 패키지: Module

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CJ3139KDW-G

Comchip Technology

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2PCH 20V 660MA SOT363

• 제조업체: Comchip Technology
• 시리즈: -
• FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
• FET 기능: Standard
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 660mA (Ta)
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 1A, 4.5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1.1V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 170pF @ 16V
• 전력-최대: 150mW
• 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
• 공급자 장치 패키지: SOT-363

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CMKDM8005 TR

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 20V 0.65A SOT363

• 제조업체: Central Semiconductor Corp
• 시리즈: -
• FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 650mA
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 350mA, 4.5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.2nC @ 4.5V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 100pF @ 16V
• 전력-최대: 350mW
• 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
• 공급자 장치 패키지: SOT-363

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CMLDM3737 TR

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT563

• 제조업체: Central Semiconductor Corp
• 시리즈: -
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 540mA
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.58nC @ 4.5V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 150pF @ 16V
• 전력-최대: 350mW
• 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
• 공급자 장치 패키지: SOT-563

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CMLDM3757 TR

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 20V SOT563

• 제조업체: Central Semiconductor Corp
• 시리즈: -
• FET 유형: N and P-Channel
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 540mA, 430mA
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.58nC @ 4.5V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 150pF @ 16V
• 전력-최대: 350mW
• 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
• 공급자 장치 패키지: SOT-563

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CMLDM5757 TR

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 20V 430MA SOT563

• 제조업체: Central Semiconductor Corp
• 시리즈: -
• FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
• FET 기능: Logic Level Gate
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 430mA
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 430mA, 4.5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.2nC @ 4.5V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 175pF @ 16V
• 전력-최대: 350mW
• 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
• 공급자 장치 패키지: SOT-563

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CMLDM7002AG TR

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 60V 0.28A SOT563

• 제조업체: Central Semiconductor Corp
• 시리즈: -
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Standard
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 280mA
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.59nC @ 4.5V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 50pF @ 25V
• 전력-최대: 350mW
• 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
• 공급자 장치 패키지: SOT-563

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CMLDM7002AJ TR

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 60V 0.28A SOT563

• 제조업체: Central Semiconductor Corp
• 시리즈: -
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Standard
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 280mA
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.59nC @ 4.5V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 50pF @ 25V
• 전력-최대: 350mW
• 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
• 공급자 장치 패키지: SOT-563

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CMLDM7003G TR

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT563

• 제조업체: Central Semiconductor Corp
• 시리즈: -
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Standard
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 50V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 280mA
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.76nC @ 4.5V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 50pF @ 25V
• 전력-최대: 350mW
• 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
• 공급자 장치 패키지: SOT-563

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CMLDM7003TG TR

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT563

• 제조업체: Central Semiconductor Corp
• 시리즈: -
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Standard
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 50V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 280mA
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 50mA, 5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.76nC @ 4.5V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 50pF @ 25V
• 전력-최대: 350mW
• 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
• 공급자 장치 패키지: SOT-563

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CMLDM7003 TR

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT563

• 제조업체: Central Semiconductor Corp
• 시리즈: -
• FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
• FET 기능: Standard
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 50V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 280mA
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.76nC @ 4.5V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 50pF @ 25V
• 전력-최대: 350mW
• 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
• 공급자 장치 패키지: SOT-563

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