트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
CMLDM7003T TR Central Semiconductor Corp	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT563 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 50V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 280mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 50mA, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.76nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 50pF @ 25V 전력-최대: 350mW 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지: SOT-563	재고 있음4,086
CMLDM7484 TR Central Semiconductor Corp	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 30V 0.45A SOT-563 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - FET 유형: N and P-Channel Complementary FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 450mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 200mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.79nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 45pF @ 25V 전력-최대: 150mW 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지: SOT-563	재고 있음246,954
CMLDM7585 TR Central Semiconductor Corp	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 20V 0.65A SOT563 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 650mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 600mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.58nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 100pF @ 16V 전력-최대: 350mW 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지: SOT-563	재고 있음6,048
CMLDM8002AG TR Central Semiconductor Corp	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 50V 0.28A SOT563 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 50V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 280mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.72nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 70pF @ 25V 전력-최대: 350mW 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지: SOT-563	재고 있음8,532
CMLDM8005 TR Central Semiconductor Corp	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 20V 0.65A SOT563 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 650mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 350mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.2nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 100pF @ 16V 전력-최대: 350mW 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지: SOT-563	재고 있음21,954
CMRDM3575 TR Central Semiconductor Corp	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 20V SOT963 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 160mA, 140mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 100mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.46nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 9pF @ 15V 전력-최대: 125mW 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-963 공급자 장치 패키지: SOT-963	재고 있음8,604
CMXDM7002A TR Central Semiconductor Corp	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 60V 0.28A SOT26 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 280mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.59nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 50pF @ 25V 전력-최대: 350mW 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-23-6 공급자 장치 패키지: SOT-26	재고 있음8,478
CPH5617-TL-E ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 0.15A CPH5 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 150mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.7Ohm @ 80mA, 4V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.58nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7pF @ 10V 전력-최대: 250mW 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 5-SMD, Gull Wing 공급자 장치 패키지: 5-CPH	재고 있음5,238
CPH6635-TL-H ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 30V/20V CPH6 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 400mA, 1.5A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.7Ohm @ 80mA, 4V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.58nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7pF @ 10V 전력-최대: 800mW 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 공급자 장치 패키지: 6-CPH	재고 있음5,004
CPH6636R-TL-W ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 24V 6A CPH6 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET 기능: Logic Level Gate, 2.5V Drive 드레인-소스 전압 (Vdss): 24V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 3A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: 900mW 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 공급자 장치 패키지: 6-CPH	재고 있음145,074
CSD75204W15 Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 3A 9DSBGA 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: 900mV @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.9nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 410pF @ 10V 전력-최대: 700mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 9-UFBGA, DSBGA 공급자 장치 패키지: 9-DSBGA	재고 있음8,010
CSD75205W1015 Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 20V 1.2A 6DSBGA 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.2A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 1A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 850mV @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.2nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 265pF @ 10V 전력-최대: 750mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-UFBGA, DSBGA 공급자 장치 패키지: 6-DSBGA (1x1.5)	재고 있음4,068
CSD75207W15 Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 3.9A 9DSBGA 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.9A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 162mOhm @ 1A, 1.8V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.7nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 595pF @ 10V 전력-최대: 700mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 9-UFBGA, DSBGA 공급자 장치 패키지: 9-DSBGA	재고 있음140,652
CSD75208W1015 Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 20V 1.6A 6WLP 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: 2 P-Channel (Dual) Common Source FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.6A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 1A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 410pF @ 10V 전력-최대: 750mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-UFBGA, DSBGA 공급자 장치 패키지: 6-DSBGA	재고 있음1,381
CSD75208W1015T Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 20V 1.6A 6WLP 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: 2 P-Channel (Dual) Common Source FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.6A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 1A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 410pF @ 10V 전력-최대: 750mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-UFBGA, DSBGA 공급자 장치 패키지: 6-DSBGA	재고 있음70,140
CSD75211W1723 Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 20V 4.5A 12DSBGA 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.5A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 2A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.9nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 600pF @ 10V 전력-최대: 1.5W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 12-UFBGA, DSBGA 공급자 장치 패키지: 12-DSBGA	재고 있음8,028
CSD75301W1015 Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 20V 1.2A 6DSBGA 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.2A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.1nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 195pF @ 10V 전력-최대: 800mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-UFBGA, DSBGA 공급자 장치 패키지: 6-DSBGA (1x1.5)	재고 있음4,284
CSD83325L Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 12V 6PICOSTAR 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: 1.25V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10.9nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: 2.3W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-XFBGA 공급자 장치 패키지: 6-PicoStar	재고 있음6,030
CSD83325LT Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 12V 6PICOSTAR 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: 1.25V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10.9nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: 2.3W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-XFBGA 공급자 장치 패키지: 6-PicoStar	재고 있음23,262
CSD85301Q2 Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 20V 5A 6WSON 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate, 5V Drive 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.4nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 469pF @ 10V 전력-최대: 2.3W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-WDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 6-WSON (2x2)	재고 있음106,585
CSD85301Q2T Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 20V 5A 6WSON 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate, 5V Drive 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.4nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 469pF @ 10V 전력-최대: 2.3W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-WDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 6-WSON (2x2)	재고 있음30,162
CSD85302L Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 20V 5A 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.8nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: 1.7W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 4-XFLGA 공급자 장치 패키지: 4-Picostar (1.31x1.31)	재고 있음44,002
CSD85302LT Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.8nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: 1.7W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 4-XFLGA 공급자 장치 패키지: 4-Picostar (1.31x1.31)	재고 있음41,118
CSD85312Q3E Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 20V 39A 8VSON 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Source FET 기능: Logic Level Gate, 5V Drive 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 39A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12.4mOhm @ 10A, 8V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15.2nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2390pF @ 10V 전력-최대: 2.5W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN 공급자 장치 패키지: 8-VSON (3.3x3.3)	재고 있음2,238
CSD86311W1723 Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 25V 4.5A 12DSBGA 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.5A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 2A, 8V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 585pF @ 12.5V 전력-최대: 1.5W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 12-UFBGA, DSBGA 공급자 장치 패키지: 12-DSBGA	재고 있음6,066
CSD86330Q3D Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 25V 20A 8SON 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 14A, 8V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.2nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 920pF @ 12.5V 전력-최대: 6W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerLDFN 공급자 장치 패키지: 8-LSON (3.3x3.3)	재고 있음6,998
CSD86336Q3D Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 25V POWERBLOCK N CH MOSFET 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge) FET 기능: Logic Level Gate, 5V Drive 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 20A, 5V, 3.4mOhm @ 20A, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.9V @ 250µA, 1.6V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.8nC @ 45V, 7.4nC @ 45V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 494pF @ 12.5V, 970pF @ 12.5V 전력-최대: 6W 작동 온도: -55°C ~ 125°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN 공급자 장치 패키지: 8-VSON (3.3x3.3)	재고 있음7,974
CSD86336Q3DT Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 SYNCHRONOUS BUCK NEXFET POWER BL 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge) FET 기능: Logic Level Gate, 5V Drive 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 20A, 5V, 3.4mOhm @ 20A, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.9V @ 250µA, 1.6V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.8nC @ 45V, 7.4nC @ 45V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 494pF @ 12.5V, 970pF @ 12.5V 전력-최대: 6W 작동 온도: -55°C ~ 125°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN 공급자 장치 패키지: 8-VSON (3.3x3.3)	재고 있음11,160
CSD86350Q5D Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 25V 40A 8SON 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 40A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 8V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10.7nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1870pF @ 12.5V 전력-최대: 13W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerLDFN 공급자 장치 패키지: 8-LSON (5x6)	재고 있음102,906
CSD86356Q5D Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 25V POWERBLOCK N CH MOSFET 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge) FET 기능: Logic Level Gate, 5V Drive 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 40A (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 5V, 0.8mOhm @ 20A, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.85V @ 250µA, 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.9nC @ 4.5V, 19.3nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1.04nF @ 12.5V, 2.51nF @ 12.5V 전력-최대: 12W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN 공급자 장치 패키지: 8-VSON-CLIP (5x6)	재고 있음4,014

CMLDM7003T TR

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT563

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 50V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 280mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 50mA, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.76nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 50pF @ 25V
전력-최대: 350mW
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지: SOT-563

재고 있음4,086

CMLDM7484 TR

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 30V 0.45A SOT-563

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
FET 유형: N and P-Channel Complementary
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 450mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 200mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.79nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 45pF @ 25V
전력-최대: 150mW
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지: SOT-563

재고 있음246,954

CMLDM7585 TR

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 20V 0.65A SOT563

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 650mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.58nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 100pF @ 16V
전력-최대: 350mW
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지: SOT-563

재고 있음6,048

CMLDM8002AG TR

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 50V 0.28A SOT563

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 50V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 280mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.72nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 70pF @ 25V
전력-최대: 350mW
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지: SOT-563

재고 있음8,532

CMLDM8005 TR

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 20V 0.65A SOT563

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 650mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 350mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.2nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 100pF @ 16V
전력-최대: 350mW
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지: SOT-563

재고 있음21,954

CMRDM3575 TR

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 20V SOT963

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 160mA, 140mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 100mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.46nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 9pF @ 15V
전력-최대: 125mW
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-963
공급자 장치 패키지: SOT-963

재고 있음8,604

CMXDM7002A TR

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 60V 0.28A SOT26

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 280mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.59nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 50pF @ 25V
전력-최대: 350mW
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-23-6
공급자 장치 패키지: SOT-26

재고 있음8,478

CPH5617-TL-E

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 0.15A CPH5

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 150mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.7Ohm @ 80mA, 4V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.58nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7pF @ 10V
전력-최대: 250mW
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 5-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지: 5-CPH

재고 있음5,238

CPH6635-TL-H

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 30V/20V CPH6

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V, 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 400mA, 1.5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.7Ohm @ 80mA, 4V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.58nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7pF @ 10V
전력-최대: 800mW
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
공급자 장치 패키지: 6-CPH

재고 있음5,004

CPH6636R-TL-W

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 24V 6A CPH6

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET 기능: Logic Level Gate, 2.5V Drive
드레인-소스 전압 (Vdss): 24V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: 900mW
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
공급자 장치 패키지: 6-CPH

재고 있음145,074

CSD75204W15

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 3A 9DSBGA

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: 900mV @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.9nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 410pF @ 10V
전력-최대: 700mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 9-UFBGA, DSBGA
공급자 장치 패키지: 9-DSBGA

재고 있음8,010

CSD75205W1015

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 20V 1.2A 6DSBGA

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.2A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 850mV @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.2nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 265pF @ 10V
전력-최대: 750mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-UFBGA, DSBGA
공급자 장치 패키지: 6-DSBGA (1x1.5)

재고 있음4,068

CSD75207W15

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 3.9A 9DSBGA

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.9A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 162mOhm @ 1A, 1.8V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.7nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 595pF @ 10V
전력-최대: 700mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 9-UFBGA, DSBGA
공급자 장치 패키지: 9-DSBGA

재고 있음140,652

CSD75208W1015

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 20V 1.6A 6WLP

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: 2 P-Channel (Dual) Common Source
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.6A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 410pF @ 10V
전력-최대: 750mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-UFBGA, DSBGA
공급자 장치 패키지: 6-DSBGA

재고 있음1,381

CSD75208W1015T

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 20V 1.6A 6WLP

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: 2 P-Channel (Dual) Common Source
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.6A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 410pF @ 10V
전력-최대: 750mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-UFBGA, DSBGA
공급자 장치 패키지: 6-DSBGA

재고 있음70,140

CSD75211W1723

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 20V 4.5A 12DSBGA

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.9nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 600pF @ 10V
전력-최대: 1.5W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 12-UFBGA, DSBGA
공급자 장치 패키지: 12-DSBGA

재고 있음8,028

CSD75301W1015

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 20V 1.2A 6DSBGA

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.2A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.1nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 195pF @ 10V
전력-최대: 800mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-UFBGA, DSBGA
공급자 장치 패키지: 6-DSBGA (1x1.5)

재고 있음4,284

CSD83325L

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 12V 6PICOSTAR

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 12V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.25V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10.9nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: 2.3W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-XFBGA
공급자 장치 패키지: 6-PicoStar

재고 있음6,030

CSD83325LT

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 12V 6PICOSTAR

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 12V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.25V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10.9nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: 2.3W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-XFBGA
공급자 장치 패키지: 6-PicoStar

재고 있음23,262

CSD85301Q2

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 20V 5A 6WSON

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate, 5V Drive
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.4nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 469pF @ 10V
전력-최대: 2.3W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-WDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: 6-WSON (2x2)

재고 있음106,585

CSD85301Q2T

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 20V 5A 6WSON

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate, 5V Drive
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.4nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 469pF @ 10V
전력-최대: 2.3W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-WDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: 6-WSON (2x2)

재고 있음30,162

CSD85302L

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 20V 5A

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.8nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: 1.7W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 4-XFLGA
공급자 장치 패키지: 4-Picostar (1.31x1.31)

재고 있음44,002

CSD85302LT

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.8nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: 1.7W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 4-XFLGA
공급자 장치 패키지: 4-Picostar (1.31x1.31)

재고 있음41,118

CSD85312Q3E

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 20V 39A 8VSON

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Source
FET 기능: Logic Level Gate, 5V Drive
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 39A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12.4mOhm @ 10A, 8V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15.2nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2390pF @ 10V
전력-최대: 2.5W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN
공급자 장치 패키지: 8-VSON (3.3x3.3)

재고 있음2,238

CSD86311W1723

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 25V 4.5A 12DSBGA

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 2A, 8V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 585pF @ 12.5V
전력-최대: 1.5W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 12-UFBGA, DSBGA
공급자 장치 패키지: 12-DSBGA

재고 있음6,066

CSD86330Q3D

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 25V 20A 8SON

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 14A, 8V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.2nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 920pF @ 12.5V
전력-최대: 6W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerLDFN
공급자 장치 패키지: 8-LSON (3.3x3.3)

재고 있음6,998

CSD86336Q3D

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

25V POWERBLOCK N CH MOSFET

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge)
FET 기능: Logic Level Gate, 5V Drive
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 20A, 5V, 3.4mOhm @ 20A, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.9V @ 250µA, 1.6V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.8nC @ 45V, 7.4nC @ 45V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 494pF @ 12.5V, 970pF @ 12.5V
전력-최대: 6W
작동 온도: -55°C ~ 125°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
공급자 장치 패키지: 8-VSON (3.3x3.3)

재고 있음7,974

CSD86336Q3DT

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

SYNCHRONOUS BUCK NEXFET POWER BL

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge)
FET 기능: Logic Level Gate, 5V Drive
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 20A, 5V, 3.4mOhm @ 20A, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.9V @ 250µA, 1.6V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.8nC @ 45V, 7.4nC @ 45V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 494pF @ 12.5V, 970pF @ 12.5V
전력-최대: 6W
작동 온도: -55°C ~ 125°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
공급자 장치 패키지: 8-VSON (3.3x3.3)

재고 있음11,160

CSD86350Q5D

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 25V 40A 8SON

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 40A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 8V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10.7nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1870pF @ 12.5V
전력-최대: 13W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerLDFN
공급자 장치 패키지: 8-LSON (5x6)

재고 있음102,906

CSD86356Q5D

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

25V POWERBLOCK N CH MOSFET

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge)
FET 기능: Logic Level Gate, 5V Drive
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 40A (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 5V, 0.8mOhm @ 20A, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.85V @ 250µA, 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.9nC @ 4.5V, 19.3nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1.04nF @ 12.5V, 2.51nF @ 12.5V
전력-최대: 12W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
공급자 장치 패키지: 8-VSON-CLIP (5x6)

재고 있음4,014

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