트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
CSD86356Q5DT Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 SYNCHRONOUS BUCK NEXFET POWER BL 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge) FET 기능: Logic Level Gate, 5V Drive 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 40A (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 5V, 0.8mOhm @ 20A, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.85V @ 250µA, 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.9nC @ 4.5V, 19.3nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1.04nF @ 12.5V, 2.51nF @ 12.5V 전력-최대: 12W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN 공급자 장치 패키지: 8-VSON-CLIP (5x6)	재고 있음13,116
CSD86360Q5D Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 25V 50A 8SON 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50A Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12.6nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2060pF @ 12.5 전력-최대: 13W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerLDFN 공급자 장치 패키지: 8-LSON (5x6)	재고 있음2,614
CSD87312Q3E Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 27A 8VSON 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Source FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 27A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 7A , 8V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.2nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1250pF @ 15V 전력-최대: 2.5W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN 공급자 장치 패키지: 8-VSON (3.3x3.3)	재고 있음20,724
CSD87313DMS Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2 N-CHANNEL 30V 8WSON 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: 1.25V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 28nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4290pF @ 15V 전력-최대: - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN 공급자 장치 패키지: 8-WSON (3.3x3.3)	재고 있음12,182
CSD87313DMST Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2 N-CHANNEL 30V 8WSON 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 28nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4290pF @ 15V 전력-최대: 2.7W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN 공급자 장치 패키지: 8-WSON (3.3x3.3)	재고 있음19,896
CSD87330Q3D Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 20A 8SON 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.8nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 900pF @ 15V 전력-최대: 6W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerLDFN 공급자 장치 패키지: 8-LSON (3.3x3.3)	재고 있음634,104
CSD87331Q3D Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 15A 8SON 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V, 1.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.2nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 518pF @ 15V 전력-최대: 6W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerLDFN 공급자 장치 패키지: 8-LSON (5x6)	재고 있음227,310
CSD87333Q3D Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 15A 8SON 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical FET 기능: Logic Level Gate, 5V Drive 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14.3mOhm @ 4A, 8V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.6nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 662pF @ 15V 전력-최대: 6W 작동 온도: 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN 공급자 장치 패키지: 8-VSON (3.3x3.3)	재고 있음90,492
CSD87333Q3DT Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 15A 8SON 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical FET 기능: Logic Level Gate, 5V Drive 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14.3mOhm @ 4A, 8V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.6nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 662pF @ 15V 전력-최대: 6W 작동 온도: 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN 공급자 장치 패키지: 8-VSON (3.3x3.3)	재고 있음16,176
CSD87334Q3D Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 20A 8SON 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 12A, 8V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.3nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1260pF @ 15V 전력-최대: 6W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN 공급자 장치 패키지: 8-VSON (3.3x3.3)	재고 있음18,624
CSD87334Q3DT Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 20A 8SON 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 12A, 8V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.3nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1260pF @ 15V 전력-최대: 6W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN 공급자 장치 패키지: 8-VSON (3.3x3.3)	재고 있음12,756
CSD87335Q3D Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N-CH 30V POWERBLOCK 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: 1.9V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.4nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1050pF @ 15V 전력-최대: 6W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerLDFN 공급자 장치 패키지: 8-LSON (3.3x3.3)	재고 있음46,733
CSD87335Q3DT Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 25A 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 25A Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: 1.9V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.4nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1050pF @ 15V 전력-최대: 6W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerLDFN 공급자 장치 패키지: 8-LSON (3.3x3.3)	재고 있음14,808
CSD87350Q5D Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 40A 8LSON 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 40A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 20A, 8V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10.9nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1770pF @ 15V 전력-최대: 12W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerLDFN 공급자 장치 패키지: 8-LSON (5x6)	재고 있음8,172
CSD87351Q5D Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 32A 8LSON 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 32A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 20A, 8V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.7nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1255pF @ 15V 전력-최대: 12W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerLDFN 공급자 장치 패키지: 8-LSON (5x6)	재고 있음23,694
CSD87351ZQ5D Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 32A 8LSON 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 32A Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.7nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1255pF @ 15V 전력-최대: 12W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerLDFN 공급자 장치 패키지: 8-LSON (5x6)	재고 있음4,230
CSD87352Q5D Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 25A 8SON 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 25A Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: 1.15V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12.5nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1800pF @ 15V 전력-최대: 8.5W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerLDFN 공급자 장치 패키지: 8-LSON (5x6)	재고 있음291,192
CSD87353Q5D Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 40A 8LSON 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 40A Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 19nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3190pF @ 15V 전력-최대: 12W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerLDFN 공급자 장치 패키지: 8-LSON (5x6)	재고 있음2,941
CSD87355Q5D Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 8LSON 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: 1.9V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13.7nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1860pF @ 15V 전력-최대: 12W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerLDFN 공급자 장치 패키지: 8-LSON (5x6)	재고 있음8,640
CSD87355Q5DT Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 45A 8LSON 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical FET 기능: Logic Level Gate, 5V Drive 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 45A Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: 1.9V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13.7nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1860pF @ 15V 전력-최대: 2.8W 작동 온도: -55°C ~ 155°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerLDFN 공급자 장치 패키지: 8-LSON (5x6)	재고 있음6,768
CSD87381P Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 15A 5PTAB 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 16.3mOhm @ 8A, 8V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.9V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 564pF @ 15V 전력-최대: 4W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 5-LGA 공급자 장치 패키지: 5-PTAB (3x2.5)	재고 있음12,932
CSD87381PT Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 15A 5PTAB 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 16.3mOhm @ 8A, 8V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.9V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 564pF @ 15V 전력-최대: 4W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 5-LGA 공급자 장치 패키지: 5-PTAB (3x2.5)	재고 있음33,930
CSD87384M Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 30A 5PTAB 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 25A, 8V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.9V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9.2nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1150pF @ 15V 전력-최대: 8W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 5-LGA 공급자 장치 패키지: 5-PTAB (5x3.5)	재고 있음8,964
CSD87384MT Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 30A 5PTAB 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 25A, 8V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.9V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9.2nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1150pF @ 15V 전력-최대: 8W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 5-LGA 공급자 장치 패키지: 5-PTAB (5x3.5)	재고 있음7,572
CSD87501L Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 10PICOSTAR 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 40nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: 2.5W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 10-XFLGA 공급자 장치 패키지: 10-Picostar (3.37x1.47)	재고 있음4,572
CSD87501LT Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 10PICOSTAR 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 40nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: 2.5W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 10-XFLGA 공급자 장치 패키지: 10-Picostar (3.37x1.47)	재고 있음13,176
CSD87502Q2 Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 5A 6WSON 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 32.4mOhm @ 4A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 353pF @ 15V 전력-최대: 2.3W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-WDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 6-WSON (2x2)	재고 있음23,544
CSD87502Q2T Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 5A 6WSON 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate, 5V Drive 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 32.4mOhm @ 4A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 353pF @ 15V 전력-최대: 2.3W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-WDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 6-WSON (2x2)	재고 있음144,294
CSD87503Q3E Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2 N-CHANNEL 30V 10A 8SON 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Source FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17.4nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1020pF @ 15V 전력-최대: 15.6W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN 공급자 장치 패키지: 8-VSON (3.3x3.3)	재고 있음9
CSD87503Q3ET Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 30-V DUAL N-CHANNEL MOSFET, COMM 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Source FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17.4nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1020pF @ 15V 전력-최대: 15.6W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN 공급자 장치 패키지: 8-VSON (3.3x3.3)	재고 있음5,796

CSD86356Q5DT

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

SYNCHRONOUS BUCK NEXFET POWER BL

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge)
FET 기능: Logic Level Gate, 5V Drive
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 40A (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 5V, 0.8mOhm @ 20A, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.85V @ 250µA, 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.9nC @ 4.5V, 19.3nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1.04nF @ 12.5V, 2.51nF @ 12.5V
전력-최대: 12W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
공급자 장치 패키지: 8-VSON-CLIP (5x6)

재고 있음13,116

CSD86360Q5D

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 25V 50A 8SON

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12.6nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2060pF @ 12.5
전력-최대: 13W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerLDFN
공급자 장치 패키지: 8-LSON (5x6)

재고 있음2,614

CSD87312Q3E

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 27A 8VSON

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Source
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 27A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 7A , 8V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.2nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1250pF @ 15V
전력-최대: 2.5W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
공급자 장치 패키지: 8-VSON (3.3x3.3)

재고 있음20,724

CSD87313DMS

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2 N-CHANNEL 30V 8WSON

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.25V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 28nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4290pF @ 15V
전력-최대: -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN
공급자 장치 패키지: 8-WSON (3.3x3.3)

재고 있음12,182

CSD87313DMST

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2 N-CHANNEL 30V 8WSON

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 28nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4290pF @ 15V
전력-최대: 2.7W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN
공급자 장치 패키지: 8-WSON (3.3x3.3)

재고 있음19,896

CSD87330Q3D

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 20A 8SON

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.8nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 900pF @ 15V
전력-최대: 6W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerLDFN
공급자 장치 패키지: 8-LSON (3.3x3.3)

재고 있음634,104

CSD87331Q3D

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 15A 8SON

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V, 1.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.2nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 518pF @ 15V
전력-최대: 6W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerLDFN
공급자 장치 패키지: 8-LSON (5x6)

재고 있음227,310

CSD87333Q3D

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 15A 8SON

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET 기능: Logic Level Gate, 5V Drive
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14.3mOhm @ 4A, 8V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.6nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 662pF @ 15V
전력-최대: 6W
작동 온도: 125°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
공급자 장치 패키지: 8-VSON (3.3x3.3)

재고 있음90,492

CSD87333Q3DT

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 15A 8SON

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET 기능: Logic Level Gate, 5V Drive
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14.3mOhm @ 4A, 8V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.6nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 662pF @ 15V
전력-최대: 6W
작동 온도: 125°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
공급자 장치 패키지: 8-VSON (3.3x3.3)

재고 있음16,176

CSD87334Q3D

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 20A 8SON

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 12A, 8V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.3nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1260pF @ 15V
전력-최대: 6W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
공급자 장치 패키지: 8-VSON (3.3x3.3)

재고 있음18,624

CSD87334Q3DT

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 20A 8SON

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 12A, 8V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.3nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1260pF @ 15V
전력-최대: 6W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
공급자 장치 패키지: 8-VSON (3.3x3.3)

재고 있음12,756

CSD87335Q3D

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N-CH 30V POWERBLOCK

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.9V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.4nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1050pF @ 15V
전력-최대: 6W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerLDFN
공급자 장치 패키지: 8-LSON (3.3x3.3)

재고 있음46,733

CSD87335Q3DT

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 25A

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 25A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.9V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.4nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1050pF @ 15V
전력-최대: 6W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerLDFN
공급자 장치 패키지: 8-LSON (3.3x3.3)

재고 있음14,808

CSD87350Q5D

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 40A 8LSON

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 40A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 20A, 8V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10.9nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1770pF @ 15V
전력-최대: 12W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerLDFN
공급자 장치 패키지: 8-LSON (5x6)

재고 있음8,172

CSD87351Q5D

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 32A 8LSON

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 32A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 20A, 8V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.7nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1255pF @ 15V
전력-최대: 12W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerLDFN
공급자 장치 패키지: 8-LSON (5x6)

재고 있음23,694

CSD87351ZQ5D

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 32A 8LSON

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 32A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.7nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1255pF @ 15V
전력-최대: 12W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerLDFN
공급자 장치 패키지: 8-LSON (5x6)

재고 있음4,230

CSD87352Q5D

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 25A 8SON

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 25A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.15V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12.5nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1800pF @ 15V
전력-최대: 8.5W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerLDFN
공급자 장치 패키지: 8-LSON (5x6)

재고 있음291,192

CSD87353Q5D

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 40A 8LSON

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 40A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 19nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3190pF @ 15V
전력-최대: 12W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerLDFN
공급자 장치 패키지: 8-LSON (5x6)

재고 있음2,941

CSD87355Q5D

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 8LSON

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.9V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13.7nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1860pF @ 15V
전력-최대: 12W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerLDFN
공급자 장치 패키지: 8-LSON (5x6)

재고 있음8,640

CSD87355Q5DT

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 45A 8LSON

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET 기능: Logic Level Gate, 5V Drive
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 45A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.9V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13.7nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1860pF @ 15V
전력-최대: 2.8W
작동 온도: -55°C ~ 155°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerLDFN
공급자 장치 패키지: 8-LSON (5x6)

재고 있음6,768

CSD87381P

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 15A 5PTAB

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 16.3mOhm @ 8A, 8V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.9V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 564pF @ 15V
전력-최대: 4W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 5-LGA
공급자 장치 패키지: 5-PTAB (3x2.5)

재고 있음12,932

CSD87381PT

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 15A 5PTAB

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 16.3mOhm @ 8A, 8V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.9V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 564pF @ 15V
전력-최대: 4W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 5-LGA
공급자 장치 패키지: 5-PTAB (3x2.5)

재고 있음33,930

CSD87384M

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 30A 5PTAB

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 25A, 8V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.9V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9.2nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1150pF @ 15V
전력-최대: 8W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 5-LGA
공급자 장치 패키지: 5-PTAB (5x3.5)

재고 있음8,964

CSD87384MT

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 30A 5PTAB

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 25A, 8V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.9V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9.2nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1150pF @ 15V
전력-최대: 8W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 5-LGA
공급자 장치 패키지: 5-PTAB (5x3.5)

재고 있음7,572

CSD87501L

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 10PICOSTAR

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 40nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: 2.5W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 10-XFLGA
공급자 장치 패키지: 10-Picostar (3.37x1.47)

재고 있음4,572

CSD87501LT

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 10PICOSTAR

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 40nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: 2.5W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 10-XFLGA
공급자 장치 패키지: 10-Picostar (3.37x1.47)

재고 있음13,176

CSD87502Q2

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 5A 6WSON

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 32.4mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 353pF @ 15V
전력-최대: 2.3W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-WDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: 6-WSON (2x2)

재고 있음23,544

CSD87502Q2T

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 5A 6WSON

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate, 5V Drive
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 32.4mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 353pF @ 15V
전력-최대: 2.3W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-WDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: 6-WSON (2x2)

재고 있음144,294

CSD87503Q3E

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2 N-CHANNEL 30V 10A 8SON

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Source
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17.4nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1020pF @ 15V
전력-최대: 15.6W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN
공급자 장치 패키지: 8-VSON (3.3x3.3)

재고 있음9

CSD87503Q3ET

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

30-V DUAL N-CHANNEL MOSFET, COMM

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Source
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17.4nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1020pF @ 15V
전력-최대: 15.6W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN
공급자 장치 패키지: 8-VSON (3.3x3.3)

재고 있음5,796

Send Message

Certifications

자원

지원

Social Media

Need Help?
Send Message