트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
CSD87588N Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 25A 5PTAB 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 25A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.9V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.1nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 736pF @ 15V 전력-최대: 6W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 5-XFLGA 공급자 장치 패키지: 5-PTAB (3x2.5)	재고 있음2,643
CSD87588NT Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 25A 5PTAB 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 25A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.9V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.1nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 736pF @ 15V 전력-최대: 6W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 5-LGA 공급자 장치 패키지: 5-PTAB (5x3.5)	재고 있음47,136
CSD88537ND Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.6V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1400pF @ 30V 전력-최대: 2.1W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음17,254
CSD88537NDT Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.6V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1400pF @ 30V 전력-최대: 2.1W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음31,752
CSD88539ND Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.6V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9.4nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 741pF @ 30V 전력-최대: 2.1W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음11,697
CSD88539NDT Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.6V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9.4nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 741pF @ 30V 전력-최대: 2.1W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음18,738
CSD88584Q5DC Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2 N-CH 40V 22-VSON-CLIP 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: 0.95mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 88nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 12400pF @ 20V 전력-최대: 12W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 22-PowerTFDFN 공급자 장치 패키지: 22-VSON-CLIP (5x6)	재고 있음3,420
CSD88584Q5DCT Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2 N-CH 40V 22-VSON-CLIP 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: 0.95mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 88nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 12400pF @ 20V 전력-최대: 12W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 22-PowerTFDFN 공급자 장치 패키지: 22-VSON-CLIP (5x6)	재고 있음18,078
CSD88599Q5DC Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2 N-CH 60V 22-VSON-CLIP 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 27nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4840pF @ 30V 전력-최대: 12W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 22-PowerTFDFN 공급자 장치 패키지: 22-VSON-CLIP (5x6)	재고 있음3,096
CSD88599Q5DCT Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2 N-CH 60V 22-VSON-CLIP 제조업체: 시리즈: NexFET™ FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 27nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4840pF @ 30V 전력-최대: 12W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 22-PowerTFDFN 공급자 장치 패키지: 22-VSON-CLIP (5x6)	재고 있음7,290
CTLDM303N-M832DS BK Central Semiconductor Corp	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET DUAL N-CHANNEL 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.6A (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 1.8A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.25V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 590pF @ 10V 전력-최대: 1.65W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-TDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: TLM832DS	재고 있음4,194
CTLDM303N-M832DS TR Central Semiconductor Corp	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 3.6A TLM832DS 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.6A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 1.8A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 590pF @ 10V 전력-최대: 1.65W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-TDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: TLM832DS	재고 있음2,772
CTLDM304P-M832DS TR Central Semiconductor Corp	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 30V 4.2A TLM832DS 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.2A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 4.2A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.4nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 760pF @ 15V 전력-최대: 1.65W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-TDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: TLM832DS	재고 있음2,502
CTLDM7120-M832DS BK Central Semiconductor Corp	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET DUAL N-CHANNEL 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1A (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 500mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.4nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 220pF @ 10V 전력-최대: 1.65W 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-TDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: TLM832DS	재고 있음6,192
CTLDM7120-M832DS TR Central Semiconductor Corp	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 20V 1A 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1A (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 500mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.4nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 220pF @ 10V 전력-최대: 1.65W 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-TDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: TLM832DS	재고 있음4,248
CTLDM8120-M832DS BK Central Semiconductor Corp	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET DUAL N-CHANNEL 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 860mA (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 950mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.56nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 200pF @ 16V 전력-최대: 1.65W 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-TDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: TLM832DS	재고 있음2,718
CTLDM8120-M832DS TR Central Semiconductor Corp	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET DUAL N-CHANNEL 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 860mA (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 950mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.56nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 200pF @ 16V 전력-최대: 1.65W 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-TDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: TLM832DS	재고 있음3,942
CWDM305ND TR13 Central Semiconductor Corp	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8SOIC 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.8A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 2.9A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.3nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 560pF @ 10V 전력-최대: 2W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음5,148
CWDM305PD TR13 Central Semiconductor Corp	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 30V 5.3A 8SOIC 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.3A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 2.7A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 590pF @ 10V 전력-최대: 2W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음7,650
DF11MR12W1M1B11BOMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET MODULE 1200V 50A 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolSiC™+ FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Silicon Carbide (SiC) 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V (1.2kV) 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 50A, 15V Vgs (th) (최대) @ Id: 5.5V @ 20mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 125nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3950pF @ 800V 전력-최대: 20mW 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음3,978
DF11MR12W1M1B11BPSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET MOD 1200V 50A 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolSiC™+ FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Silicon Carbide (SiC) 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50A (Tj) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 22.5mOhm @ 50A, 15V Vgs (th) (최대) @ Id: 5.55V @ 20mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 124nC @ 15V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3680pF @ 800V 전력-최대: 20mW 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: AG-EASY1BM-2	재고 있음7,542
DF23MR12W1M1B11BOMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET MODULE 1200V 25A 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolSiC™+ FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Silicon Carbide (SiC) 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V (1.2kV) 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 25A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 25A, 15V Vgs (th) (최대) @ Id: 5.5V @ 10mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 620nC @ 15V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2000pF @ 800V 전력-최대: 20mW 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음2,610
DF23MR12W1M1B11BPSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET MOD 1200V 25A 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolSiC™+ FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Silicon Carbide (SiC) 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 25A (Tj) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 25A, 15V (Typ) Vgs (th) (최대) @ Id: 5.55V @ 10mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 62nC @ 15V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1840pF @ 800V 전력-최대: 20mW 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: AG-EASY1BM-2	재고 있음6,696
DI9942T Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 20V 2.5A 8-SOIC 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.5A Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: 1.6W 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOP	재고 있음3,078
DI9945T Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8-SOIC 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.5A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 30nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 435pF @ 25V 전력-최대: 2W 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOP	재고 있음5,220
DI9952T Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 30V 2.9A 8-SOIC 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.9A Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: 2W 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOP	재고 있음5,814
DI9956T Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 3.7A 8-SOIC 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.7A Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: 2W 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOP	재고 있음7,272
DMC1015UPD-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 8V 24V POWERDI5060-8 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.5A, 6.9A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 11.8A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15.6nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1495pF @ 6V 전력-최대: 2.3W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN 공급자 장치 패키지: PowerDI5060-8	재고 있음19,632
DMC1016UPD-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 8V 24V POWERDI5060-8 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V, 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.5A, 8.7A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 11.8A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 32nC @ 8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1454pF @ 6V 전력-최대: 2.3W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN 공급자 장치 패키지: PowerDI5060-8	재고 있음5,490
DMC1017UPD-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 12V 9.5A/6.9A SMD 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: Automotive, AEC-Q101 FET 유형: N and P-Channel Complementary FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13A (Ta), 9.4A (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 11.8A, 4.5V, 32mOhm @ 8.9A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18.6nC @ 4.5V, 23.7nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1787pF @ 6V, 2100pF @ 6V 전력-최대: 2.3W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN 공급자 장치 패키지: PowerDI5060-8	재고 있음4,104

CSD87588N

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 25A 5PTAB

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 25A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.9V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.1nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 736pF @ 15V
전력-최대: 6W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 5-XFLGA
공급자 장치 패키지: 5-PTAB (3x2.5)

재고 있음2,643

CSD87588NT

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 25A 5PTAB

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 25A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.9V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.1nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 736pF @ 15V
전력-최대: 6W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 5-LGA
공급자 장치 패키지: 5-PTAB (5x3.5)

재고 있음47,136

CSD88537ND

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.6V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1400pF @ 30V
전력-최대: 2.1W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음17,254

CSD88537NDT

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.6V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1400pF @ 30V
전력-최대: 2.1W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SO

재고 있음31,752

CSD88539ND

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.6V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9.4nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 741pF @ 30V
전력-최대: 2.1W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음11,697

CSD88539NDT

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.6V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9.4nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 741pF @ 30V
전력-최대: 2.1W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SO

재고 있음18,738

CSD88584Q5DC

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2 N-CH 40V 22-VSON-CLIP

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 0.95mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 88nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 12400pF @ 20V
전력-최대: 12W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 22-PowerTFDFN
공급자 장치 패키지: 22-VSON-CLIP (5x6)

재고 있음3,420

CSD88584Q5DCT

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2 N-CH 40V 22-VSON-CLIP

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 0.95mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 88nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 12400pF @ 20V
전력-최대: 12W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 22-PowerTFDFN
공급자 장치 패키지: 22-VSON-CLIP (5x6)

재고 있음18,078

CSD88599Q5DC

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2 N-CH 60V 22-VSON-CLIP

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 27nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4840pF @ 30V
전력-최대: 12W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 22-PowerTFDFN
공급자 장치 패키지: 22-VSON-CLIP (5x6)

재고 있음3,096

CSD88599Q5DCT

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2 N-CH 60V 22-VSON-CLIP

제조업체:
시리즈: NexFET™
FET 유형: 2 N-Channel (Half Bridge)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 27nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4840pF @ 30V
전력-최대: 12W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 22-PowerTFDFN
공급자 장치 패키지: 22-VSON-CLIP (5x6)

재고 있음7,290

CTLDM303N-M832DS BK

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET DUAL N-CHANNEL

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.6A (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 1.8A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.25V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 590pF @ 10V
전력-최대: 1.65W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-TDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: TLM832DS

재고 있음4,194

CTLDM303N-M832DS TR

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 3.6A TLM832DS

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.6A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 1.8A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 590pF @ 10V
전력-최대: 1.65W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-TDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: TLM832DS

재고 있음2,772

CTLDM304P-M832DS TR

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 30V 4.2A TLM832DS

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.2A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 4.2A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.4nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 760pF @ 15V
전력-최대: 1.65W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-TDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: TLM832DS

재고 있음2,502

CTLDM7120-M832DS BK

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET DUAL N-CHANNEL

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1A (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.4nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 220pF @ 10V
전력-최대: 1.65W
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-TDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: TLM832DS

재고 있음6,192

CTLDM7120-M832DS TR

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 20V 1A

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1A (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.4nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 220pF @ 10V
전력-최대: 1.65W
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-TDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: TLM832DS

재고 있음4,248

CTLDM8120-M832DS BK

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET DUAL N-CHANNEL

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 860mA (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 950mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.56nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 200pF @ 16V
전력-최대: 1.65W
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-TDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: TLM832DS

재고 있음2,718

CTLDM8120-M832DS TR

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET DUAL N-CHANNEL

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 860mA (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 950mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.56nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 200pF @ 16V
전력-최대: 1.65W
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-TDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: TLM832DS

재고 있음3,942

CWDM305ND TR13

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8SOIC

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.8A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 2.9A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.3nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 560pF @ 10V
전력-최대: 2W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음5,148

CWDM305PD TR13

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 30V 5.3A 8SOIC

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.3A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 2.7A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 590pF @ 10V
전력-최대: 2W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음7,650

DF11MR12W1M1B11BOMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET MODULE 1200V 50A

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolSiC™+
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Silicon Carbide (SiC)
드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V (1.2kV)
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 50A, 15V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5.5V @ 20mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 125nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3950pF @ 800V
전력-최대: 20mW
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음3,978

DF11MR12W1M1B11BPSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET MOD 1200V 50A

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolSiC™+
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Silicon Carbide (SiC)
드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50A (Tj)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 22.5mOhm @ 50A, 15V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5.55V @ 20mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 124nC @ 15V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3680pF @ 800V
전력-최대: 20mW
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: AG-EASY1BM-2

재고 있음7,542

DF23MR12W1M1B11BOMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET MODULE 1200V 25A

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolSiC™+
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Silicon Carbide (SiC)
드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V (1.2kV)
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 25A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 25A, 15V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5.5V @ 10mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 620nC @ 15V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2000pF @ 800V
전력-최대: 20mW
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음2,610

DF23MR12W1M1B11BPSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET MOD 1200V 25A

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolSiC™+
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Silicon Carbide (SiC)
드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 25A (Tj)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 25A, 15V (Typ)
Vgs (th) (최대) @ Id: 5.55V @ 10mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 62nC @ 15V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1840pF @ 800V
전력-최대: 20mW
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: AG-EASY1BM-2

재고 있음6,696

DI9942T

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 20V 2.5A 8-SOIC

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: 1.6W
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOP

재고 있음3,078

DI9945T

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8-SOIC

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 30nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 435pF @ 25V
전력-최대: 2W
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOP

재고 있음5,220

DI9952T

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 30V 2.9A 8-SOIC

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.9A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: 2W
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOP

재고 있음5,814

DI9956T

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 3.7A 8-SOIC

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.7A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: 2W
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOP

재고 있음7,272

DMC1015UPD-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 8V 24V POWERDI5060-8

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 12V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.5A, 6.9A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 11.8A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15.6nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1495pF @ 6V
전력-최대: 2.3W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
공급자 장치 패키지: PowerDI5060-8

재고 있음19,632

DMC1016UPD-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 8V 24V POWERDI5060-8

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 12V, 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.5A, 8.7A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 11.8A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 32nC @ 8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1454pF @ 6V
전력-최대: 2.3W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
공급자 장치 패키지: PowerDI5060-8

재고 있음5,490

DMC1017UPD-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 12V 9.5A/6.9A SMD

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: Automotive, AEC-Q101
FET 유형: N and P-Channel Complementary
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 12V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13A (Ta), 9.4A (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 11.8A, 4.5V, 32mOhm @ 8.9A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18.6nC @ 4.5V, 23.7nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1787pF @ 6V, 2100pF @ 6V
전력-최대: 2.3W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
공급자 장치 패키지: PowerDI5060-8

재고 있음4,104

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