트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
DMC25D0UVT-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 25V/30V TSOT26 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V, 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 400mA, 3.2A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.7nC @ 8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 26.2pF @ 10V 전력-최대: 1.2W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 공급자 장치 패키지: TSOT-26	재고 있음8,892
DMC25D0UVT-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 25V/30V TSOT26 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V, 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 400mA, 3.2A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.7nC @ 8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 26.2pF @ 10V 전력-최대: 1.2W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 공급자 장치 패키지: TSOT-26	재고 있음171
DMC25D1UVT-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 25V/12V TSOT26 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V, 12V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 500mA, 3.9A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.9nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 27.6pF @ 10V 전력-최대: 1.3W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 공급자 장치 패키지: TSOT-26	재고 있음6,192
DMC25D1UVT-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 25V/12V TSOT26 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V, 12V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 500mA, 3.9A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.9nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 27.6pF @ 10V 전력-최대: 1.3W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 공급자 장치 패키지: TSOT-26	재고 있음44,549
DMC2700UDM-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 20V SOT26 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.34A, 1.14A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.74nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 60.67pF @ 16V 전력-최대: 1.12W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-23-6 공급자 장치 패키지: SOT-26	재고 있음3,348,336
DMC2700UDMQ-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET BVDSS: 8V24V SOT26 T&R 3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: Automotive, AEC-Q101 FET 유형: N and P-Channel Complementary FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.34A (Ta), 1.14A (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V, 700mOhm @ 430mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.74nC @ 4.5V, 0.62nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 60.67pF @ 16V, 59.76pF @ 16V 전력-최대: 1.12W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-23-6 공급자 장치 패키지: SOT-26	재고 있음3,546
DMC2710UDW-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT363 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: * FET 유형: - FET 기능: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음4,428
DMC2710UDW-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT363 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: * FET 유형: - FET 기능: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음4,122
DMC2710UV-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT563 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: * FET 유형: - FET 기능: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,996
DMC2710UV-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT563 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: * FET 유형: - FET 기능: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음7,380
DMC2710UVT-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET BVDSS: 8V-24V TSOT26 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: * FET 유형: - FET 기능: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음2,052
DMC2710UVT-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET BVDSS: 8V-24V TSOT26 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: * FET 유형: - FET 기능: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음4,032
DMC2990UDJ-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 20V SOT963 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 450mA, 310mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: 990mOhm @ 100mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.5nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 27.6pF @ 15V 전력-최대: 350mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-963 공급자 장치 패키지: SOT-963	재고 있음1,264,812
DMC2990UDJQ-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET BVDSS: 8V 24V SOT963 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: Automotive, AEC-Q101 FET 유형: N and P-Channel Complementary FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 450mA (Ta), 310mA (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 990mOhm @ 100mA, 4.5V, 1.9Ohm @ 100mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.5nC @ 4.5V, 0.4nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 27.6pF @ 15V, 28.7pF @ 15V 전력-최대: 350mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-963 공급자 장치 패키지: SOT-963	재고 있음4,968
DMC2990UDJQ-7B Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET BVDSS: 8V 24V SOT963 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: Automotive, AEC-Q101 FET 유형: N and P-Channel Complementary FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 450mA (Ta), 310mA (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 990mOhm @ 100mA, 4.5V, 1.9Ohm @ 100mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.5nC @ 4.5V, 0.4nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 27.6pF @ 15V, 28.7pF @ 15V 전력-최대: 350mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-963 공급자 장치 패키지: SOT-963	재고 있음4,140
DMC3016LDV-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI333 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: Automotive, AEC-Q101 FET 유형: N and P-Channel Complementary FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 21A (Tc), 15A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 7A, 10V, 25mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9.5nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1184pF @ 15V, 1188pF @ 15V 전력-최대: 900mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN 공급자 장치 패키지: PowerDI3333-8	재고 있음4,914
DMC3016LDV-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI333 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: Automotive, AEC-Q101 FET 유형: N and P-Channel Complementary FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 21A (Tc), 15A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 7A, 10V, 25mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9.5nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1184pF @ 15V, 1188pF @ 15V 전력-최대: 900mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN 공급자 장치 패키지: PowerDI3333-8	재고 있음5,598
DMC3016LNS-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI333 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: Automotive, AEC-Q101 FET 유형: N and P-Channel Complementary FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9A (Ta), 6.8A (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 7A, 10V, 28mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9.5nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1184pF @ 15V, 1188pF @ 15V 전력-최대: 1.3W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN 공급자 장치 패키지: PowerDI3333-8	재고 있음3,096
DMC3016LNS-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI333 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: Automotive, AEC-Q101 FET 유형: N and P-Channel Complementary FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9A (Ta), 6.8A (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 7A, 10V, 28mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9.5nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1184pF @ 15V, 1188pF @ 15V 전력-최대: 1.3W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN 공급자 장치 패키지: PowerDI3333-8	재고 있음4,235
DMC3016LSD-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 30V 8.2A/6.2A 8SO 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8.2A, 6.2A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 25.1nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1415pF @ 15V 전력-최대: 1.2W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음41,340
DMC3018LSD-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 30V 9.1A/6A 8-SOIC 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.1A, 6A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6.9A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12.4nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 631pF @ 15V 전력-최대: 2.5W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOP	재고 있음5,778
DMC3021LK4-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 30V TO252-4L 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: N and P-Channel, Common Drain FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.4A, 6.8A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17.4nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 751pF @ 10V 전력-최대: 2.7W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD 공급자 장치 패키지: TO-252-4L	재고 있음19,506
DMC3021LSD-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A 8SO 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8.5A, 7A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 16.1nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 767pF @ 10V 전력-최대: 2.5W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음3,222
DMC3021LSDQ-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A 8-SO 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8.5A, 7A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 16.1nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 767pF @ 10V 전력-최대: 2.5W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음5,994
DMC3025LDV-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 15A POWERDI3333-8 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: Automotive, AEC-Q101 FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.6nC @ 4.5V, 9.5nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 500pF @ 15V, 1188pF @ 15V 전력-최대: - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN 공급자 장치 패키지: PowerDI3333-8 (Type UXC)	재고 있음5,112
DMC3025LDV-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 15A POWERDI3333-8 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: Automotive, AEC-Q101 FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.6nC @ 4.5V, 9.5nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 500pF @ 15V, 1188pF @ 15V 전력-최대: - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN 공급자 장치 패키지: PowerDI3333-8	재고 있음3,816
DMC3025LNS-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI333 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: Automotive, AEC-Q101 FET 유형: N and P-Channel Complementary FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.2A (Ta), 6.8A (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7A, 10V, 28mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.6nC @ 4.5V, 9.5nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 500pF @ 15V, 1188pF @ 15V 전력-최대: 1.2W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN 공급자 장치 패키지: PowerDI3333-8	재고 있음4,302
DMC3025LNS-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI333 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: Automotive, AEC-Q101 FET 유형: N and P-Channel Complementary FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.2A (Ta), 6.8A (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7A, 10V, 28mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.6nC @ 4.5V, 9.5nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 500pF @ 15V, 1188pF @ 15V 전력-최대: 1.2W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN 공급자 장치 패키지: PowerDI3333-8	재고 있음4,086
DMC3025LSD-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 30V 6.5A/4.2A 8SO 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.5A, 4.2A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7.4A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9.8nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 501pF @ 15V 전력-최대: 1.2W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음26,178
DMC3025LSDQ-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFETN/P-CH30VSO-8 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: Automotive, AEC-Q101 FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.5A (Ta), 4.2A (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7.4A, 10V, 45mOhm @ 5.2A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.6nC, 5.1nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 501pF, 590pF @ 15V, 25V 전력-최대: 1.2W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음5,022

DMC25D0UVT-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 25V/30V TSOT26

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V, 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 400mA, 3.2A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.7nC @ 8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 26.2pF @ 10V
전력-최대: 1.2W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
공급자 장치 패키지: TSOT-26

재고 있음8,892

DMC25D0UVT-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 25V/30V TSOT26

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V, 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 400mA, 3.2A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.7nC @ 8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 26.2pF @ 10V
전력-최대: 1.2W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
공급자 장치 패키지: TSOT-26

재고 있음171

DMC25D1UVT-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 25V/12V TSOT26

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V, 12V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 500mA, 3.9A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.9nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 27.6pF @ 10V
전력-최대: 1.3W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
공급자 장치 패키지: TSOT-26

재고 있음6,192

DMC25D1UVT-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 25V/12V TSOT26

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V, 12V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 500mA, 3.9A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.9nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 27.6pF @ 10V
전력-최대: 1.3W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
공급자 장치 패키지: TSOT-26

재고 있음44,549

DMC2700UDM-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 20V SOT26

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.34A, 1.14A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.74nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 60.67pF @ 16V
전력-최대: 1.12W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-23-6
공급자 장치 패키지: SOT-26

재고 있음3,348,336

DMC2700UDMQ-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET BVDSS: 8V24V SOT26 T&R 3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: Automotive, AEC-Q101
FET 유형: N and P-Channel Complementary
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.34A (Ta), 1.14A (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V, 700mOhm @ 430mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.74nC @ 4.5V, 0.62nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 60.67pF @ 16V, 59.76pF @ 16V
전력-최대: 1.12W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-23-6
공급자 장치 패키지: SOT-26

재고 있음3,546

DMC2710UDW-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT363

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: *
FET 유형: -
FET 기능: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음4,428

DMC2710UDW-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT363

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: *
FET 유형: -
FET 기능: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음4,122

DMC2710UV-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT563

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: *
FET 유형: -
FET 기능: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음3,996

DMC2710UV-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT563

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: *
FET 유형: -
FET 기능: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음7,380

DMC2710UVT-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET BVDSS: 8V-24V TSOT26

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: *
FET 유형: -
FET 기능: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음2,052

DMC2710UVT-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET BVDSS: 8V-24V TSOT26

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: *
FET 유형: -
FET 기능: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음4,032

DMC2990UDJ-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 20V SOT963

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 450mA, 310mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 990mOhm @ 100mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.5nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 27.6pF @ 15V
전력-최대: 350mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-963
공급자 장치 패키지: SOT-963

재고 있음1,264,812

DMC2990UDJQ-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET BVDSS: 8V 24V SOT963

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: Automotive, AEC-Q101
FET 유형: N and P-Channel Complementary
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 450mA (Ta), 310mA (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 990mOhm @ 100mA, 4.5V, 1.9Ohm @ 100mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.5nC @ 4.5V, 0.4nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 27.6pF @ 15V, 28.7pF @ 15V
전력-최대: 350mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-963
공급자 장치 패키지: SOT-963

재고 있음4,968

DMC2990UDJQ-7B

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET BVDSS: 8V 24V SOT963

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: Automotive, AEC-Q101
FET 유형: N and P-Channel Complementary
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 450mA (Ta), 310mA (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 990mOhm @ 100mA, 4.5V, 1.9Ohm @ 100mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.5nC @ 4.5V, 0.4nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 27.6pF @ 15V, 28.7pF @ 15V
전력-최대: 350mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-963
공급자 장치 패키지: SOT-963

재고 있음4,140

DMC3016LDV-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI333

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: Automotive, AEC-Q101
FET 유형: N and P-Channel Complementary
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 21A (Tc), 15A (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 7A, 10V, 25mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9.5nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1184pF @ 15V, 1188pF @ 15V
전력-최대: 900mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN
공급자 장치 패키지: PowerDI3333-8

재고 있음4,914

DMC3016LDV-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI333

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: Automotive, AEC-Q101
FET 유형: N and P-Channel Complementary
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 21A (Tc), 15A (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 7A, 10V, 25mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9.5nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1184pF @ 15V, 1188pF @ 15V
전력-최대: 900mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN
공급자 장치 패키지: PowerDI3333-8

재고 있음5,598

DMC3016LNS-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI333

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: Automotive, AEC-Q101
FET 유형: N and P-Channel Complementary
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9A (Ta), 6.8A (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 7A, 10V, 28mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9.5nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1184pF @ 15V, 1188pF @ 15V
전력-최대: 1.3W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN
공급자 장치 패키지: PowerDI3333-8

재고 있음3,096

DMC3016LNS-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI333

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: Automotive, AEC-Q101
FET 유형: N and P-Channel Complementary
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9A (Ta), 6.8A (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 7A, 10V, 28mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9.5nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1184pF @ 15V, 1188pF @ 15V
전력-최대: 1.3W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN
공급자 장치 패키지: PowerDI3333-8

재고 있음4,235

DMC3016LSD-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 30V 8.2A/6.2A 8SO

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8.2A, 6.2A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 25.1nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1415pF @ 15V
전력-최대: 1.2W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SO

재고 있음41,340

DMC3018LSD-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 30V 9.1A/6A 8-SOIC

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.1A, 6A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6.9A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12.4nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 631pF @ 15V
전력-최대: 2.5W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOP

재고 있음5,778

DMC3021LK4-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 30V TO252-4L

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: N and P-Channel, Common Drain
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.4A, 6.8A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17.4nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 751pF @ 10V
전력-최대: 2.7W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
공급자 장치 패키지: TO-252-4L

재고 있음19,506

DMC3021LSD-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A 8SO

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8.5A, 7A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 16.1nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 767pF @ 10V
전력-최대: 2.5W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SO

재고 있음3,222

DMC3021LSDQ-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A 8-SO

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8.5A, 7A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 16.1nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 767pF @ 10V
전력-최대: 2.5W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SO

재고 있음5,994

DMC3025LDV-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 15A POWERDI3333-8

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: Automotive, AEC-Q101
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.6nC @ 4.5V, 9.5nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 500pF @ 15V, 1188pF @ 15V
전력-최대: -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN
공급자 장치 패키지: PowerDI3333-8 (Type UXC)

재고 있음5,112

DMC3025LDV-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 15A POWERDI3333-8

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: Automotive, AEC-Q101
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.6nC @ 4.5V, 9.5nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 500pF @ 15V, 1188pF @ 15V
전력-최대: -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN
공급자 장치 패키지: PowerDI3333-8

재고 있음3,816

DMC3025LNS-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI333

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: Automotive, AEC-Q101
FET 유형: N and P-Channel Complementary
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.2A (Ta), 6.8A (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7A, 10V, 28mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.6nC @ 4.5V, 9.5nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 500pF @ 15V, 1188pF @ 15V
전력-최대: 1.2W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN
공급자 장치 패키지: PowerDI3333-8

재고 있음4,302

DMC3025LNS-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI333

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: Automotive, AEC-Q101
FET 유형: N and P-Channel Complementary
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.2A (Ta), 6.8A (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7A, 10V, 28mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.6nC @ 4.5V, 9.5nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 500pF @ 15V, 1188pF @ 15V
전력-최대: 1.2W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN
공급자 장치 패키지: PowerDI3333-8

재고 있음4,086

DMC3025LSD-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 30V 6.5A/4.2A 8SO

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.5A, 4.2A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7.4A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9.8nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 501pF @ 15V
전력-최대: 1.2W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SO

재고 있음26,178

DMC3025LSDQ-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFETN/P-CH30VSO-8

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: Automotive, AEC-Q101
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.5A (Ta), 4.2A (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7.4A, 10V, 45mOhm @ 5.2A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.6nC, 5.1nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 501pF, 590pF @ 15V, 25V
전력-최대: 1.2W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SO

재고 있음5,022

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