트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
DMC3026LSD-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 30V 6.5A/6.2A 8SO 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: Automotive, AEC-Q101 FET 유형: N and P-Channel Complementary FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8.2A (Ta), 8A (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6A, 10V, 28mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6nC @ 4.5V, 10.9nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 641pF @ 15V, 1241pF @ 15V 전력-최대: 1.6W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음3,312
DMC3028LSD-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 30V 6.6A/6.8A 8SO 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.6A, 6.8A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10.5nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 472pF @ 15V 전력-최대: 1.8W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음7,218
DMC3028LSDX-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 30V 5.5A/5.8A 8SO 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.5A, 5.8A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13.2nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 641pF @ 15V 전력-최대: 1.2W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음4,518
DMC3028LSDXQ-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.5A, 5.8A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13.2nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 641pF @ 15V 전력-최대: 1.2W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음21,684
DMC3032LSD-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 30V 8.1A/7A 8SOP 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8.1A, 7A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9.2nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 404.5pF @ 15V 전력-최대: 2.5W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음2,196
DMC3035LSD-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 30V 6.9A/5A 8-SOIC 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.9A, 5A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6.9A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.6nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 384pF @ 15V 전력-최대: 2W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOP	재고 있음5,238
DMC3036LSD-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A 8-SOIC 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A, 4.5A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 6.9A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.9nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 431pF @ 15V 전력-최대: 1.5W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOP	재고 있음3,580
DMC3060LVT-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET BVDSS: 25V-30V TSOT26 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: * FET 유형: - FET 기능: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음5,994
DMC3060LVT-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET BVDSS: 25V-30V TSOT26 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: * FET 유형: - FET 기능: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음4,032
DMC3061SVT-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET BVDSS: 25V-30V TSOT26 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: * FET 유형: - FET 기능: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음4,734
DMC3061SVT-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET BVDSS: 25V-30V TSOT26 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: * FET 유형: - FET 기능: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음5,832
DMC3071LVT-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET BVDSS: 25V-30V TSOT26 T&R 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: N and P-Channel Complementary FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.6A (Ta), 3.3A (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.5A, 10V, 95mOhm @ 3.8A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.5nC @ 10V, 6.5nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 190pF @ 15V, 254pF @ 15V 전력-최대: 700mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 공급자 장치 패키지: TSOT-26	재고 있음7,056
DMC3071LVT-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET BVDSS: 25V-30V TSOT26 T&R 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: N and P-Channel Complementary FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.6A (Ta), 3.3A (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.5A, 10V, 95mOhm @ 3.8A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.5nC @ 10V, 6.5nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 190pF @ 15V, 254pF @ 15V 전력-최대: 700mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 공급자 장치 패키지: TSOT-26	재고 있음6,516
DMC31D5UDA-7B Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET BVDSS: 25V-30V X2-DFN0806 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: * FET 유형: - FET 기능: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음8,244
DMC31D5UDJ-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 30V SOT963 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 220mA, 200mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.38nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 22.6pF @ 15V 전력-최대: 350mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-963 공급자 장치 패키지: SOT-963	재고 있음2,448
DMC31D5UDJ-7B Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 30V SOT963 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 220mA, 200mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.38nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 22.6pF @ 15V 전력-최대: 350mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-963 공급자 장치 패키지: SOT-963	재고 있음2,412
DMC3400SDW-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 30V SOT363 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 650mA, 450mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 590mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.6V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.4nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 55pF @ 15V 전력-최대: 310mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: SOT-363	재고 있음8,748
DMC3400SDW-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 30V SOT363 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 650mA, 450mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 590mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.6V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.4nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 55pF @ 15V 전력-최대: 310mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: SOT-363	재고 있음5,724
DMC3401LDW-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET BVDSS: 25V-30V SOT363 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: * FET 유형: - FET 기능: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음7,182
DMC3401LDW-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET BVDSS: 25V-30V SOT363 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: * FET 유형: - FET 기능: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음2,358
DMC3730UFL3-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CHA 30V 1.1A DFN1310 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: Automotive, AEC-Q101 FET 유형: N and P-Channel Complementary FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.1A, 700mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 200mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 950mV @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.9nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 65.9pF @ 25V 전력-최대: 390mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-XFDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: X2-DFN1310-6 (Type B)	재고 있음6,336
DMC3730UVT-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET BVDSS: 25V-30V TSOT26 T&R 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: Automotive, AEC-Q101 FET 유형: N and P-Channel Complementary FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 680mA (Ta), 460mA (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V, 1.1Ohm @ 500mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.64nC @ 4.5V, 1.1nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 50pF @ 10V, 63pF @ 10V 전력-최대: 700mW 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 공급자 장치 패키지: TSOT-26	재고 있음5,814
DMC3730UVT-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET BVDSS: 25V-30V TSOT26 T&R 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: Automotive, AEC-Q101 FET 유형: N and P-Channel Complementary FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 680mA (Ta), 460mA (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V, 1.1Ohm @ 500mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.64nC @ 4.5V, 1.1nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 50pF @ 10V, 63pF @ 10V 전력-최대: 700mW 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 공급자 장치 패키지: TSOT-26	재고 있음3,508
DMC4015SSD-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 40V 8.6A/6.5A 8-SO 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8.6A, 6.2A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 40nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1810pF @ 20V 전력-최대: 1.2W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음2,016
DMC4028SSD-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 40V 8SOIC 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.5A, 4.8A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12.9nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 604pF @ 20V 전력-최대: 1.8W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음19,356
DMC4029SK4-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 40V 8.3A TO252 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: N and P-Channel Complementary FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8.3A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 19.1nC @ 20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1060pF @ 20V 전력-최대: 1.5W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD 공급자 장치 패키지: TO-252-4L	재고 있음4,482
DMC4029SSD-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 40V 7A/5.1A 8SO 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: Automotive, AEC-Q101 FET 유형: N and P-Channel Complementary FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9A (Ta), 6.5A (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6A, 10V, 45mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.8nC @ 4.5V, 10.6nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1060pF @ 20V, 1154pF @ 20V 전력-최대: 1.8W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음6,354
DMC4029SSDQ-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 40V 7A/5.1A 8SO 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: Automotive, AEC-Q101 FET 유형: N and P-Channel Complementary FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9A (Ta), 6.5A (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6A, 10V, 45mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.8nC @ 4.5V, 10.6nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1060pF @ 20V, 1154pF @ 20V 전력-최대: 1.8W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음5,382
DMC4040SSD-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 40V 6.8A 8SO 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.8A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.8V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 37.6nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1790pF @ 20V 전력-최대: 1.8W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음61,866
DMC4040SSDQ-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 40V 7.5A 8SO 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: Automotive, AEC-Q101 FET 유형: N and P-Channel Complementary FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.5A (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.8V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 16nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1790pF @ 20V 전력-최대: 17.2W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음8,100

DMC3026LSD-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 30V 6.5A/6.2A 8SO

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: Automotive, AEC-Q101
FET 유형: N and P-Channel Complementary
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8.2A (Ta), 8A (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6A, 10V, 28mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6nC @ 4.5V, 10.9nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 641pF @ 15V, 1241pF @ 15V
전력-최대: 1.6W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SO

재고 있음3,312

DMC3028LSD-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 30V 6.6A/6.8A 8SO

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.6A, 6.8A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10.5nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 472pF @ 15V
전력-최대: 1.8W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SO

재고 있음7,218

DMC3028LSDX-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 30V 5.5A/5.8A 8SO

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.5A, 5.8A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13.2nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 641pF @ 15V
전력-최대: 1.2W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SO

재고 있음4,518

DMC3028LSDXQ-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.5A, 5.8A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13.2nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 641pF @ 15V
전력-최대: 1.2W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SO

재고 있음21,684

DMC3032LSD-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 30V 8.1A/7A 8SOP

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8.1A, 7A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9.2nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 404.5pF @ 15V
전력-최대: 2.5W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SO

재고 있음2,196

DMC3035LSD-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 30V 6.9A/5A 8-SOIC

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.9A, 5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6.9A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.6nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 384pF @ 15V
전력-최대: 2W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOP

재고 있음5,238

DMC3036LSD-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A 8-SOIC

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A, 4.5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 6.9A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.9nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 431pF @ 15V
전력-최대: 1.5W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOP

재고 있음3,580

DMC3060LVT-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET BVDSS: 25V-30V TSOT26

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: *
FET 유형: -
FET 기능: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음5,994

DMC3060LVT-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET BVDSS: 25V-30V TSOT26

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: *
FET 유형: -
FET 기능: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음4,032

DMC3061SVT-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET BVDSS: 25V-30V TSOT26

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: *
FET 유형: -
FET 기능: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음4,734

DMC3061SVT-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET BVDSS: 25V-30V TSOT26

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: *
FET 유형: -
FET 기능: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음5,832

DMC3071LVT-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET BVDSS: 25V-30V TSOT26 T&R

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: N and P-Channel Complementary
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.6A (Ta), 3.3A (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.5A, 10V, 95mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.5nC @ 10V, 6.5nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 190pF @ 15V, 254pF @ 15V
전력-최대: 700mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
공급자 장치 패키지: TSOT-26

재고 있음7,056

DMC3071LVT-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET BVDSS: 25V-30V TSOT26 T&R

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: N and P-Channel Complementary
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.6A (Ta), 3.3A (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.5A, 10V, 95mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.5nC @ 10V, 6.5nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 190pF @ 15V, 254pF @ 15V
전력-최대: 700mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
공급자 장치 패키지: TSOT-26

재고 있음6,516

DMC31D5UDA-7B

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET BVDSS: 25V-30V X2-DFN0806

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: *
FET 유형: -
FET 기능: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음8,244

DMC31D5UDJ-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 30V SOT963

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 220mA, 200mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.38nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 22.6pF @ 15V
전력-최대: 350mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-963
공급자 장치 패키지: SOT-963

재고 있음2,448

DMC31D5UDJ-7B

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 30V SOT963

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 220mA, 200mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.38nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 22.6pF @ 15V
전력-최대: 350mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-963
공급자 장치 패키지: SOT-963

재고 있음2,412

DMC3400SDW-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 30V SOT363

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 650mA, 450mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 590mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.6V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.4nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 55pF @ 15V
전력-최대: 310mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: SOT-363

재고 있음8,748

DMC3400SDW-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 30V SOT363

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 650mA, 450mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 590mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.6V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.4nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 55pF @ 15V
전력-최대: 310mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: SOT-363

재고 있음5,724

DMC3401LDW-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET BVDSS: 25V-30V SOT363

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: *
FET 유형: -
FET 기능: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음7,182

DMC3401LDW-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET BVDSS: 25V-30V SOT363

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: *
FET 유형: -
FET 기능: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음2,358

DMC3730UFL3-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CHA 30V 1.1A DFN1310

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: Automotive, AEC-Q101
FET 유형: N and P-Channel Complementary
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.1A, 700mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 200mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 950mV @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.9nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 65.9pF @ 25V
전력-최대: 390mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-XFDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: X2-DFN1310-6 (Type B)

재고 있음6,336

DMC3730UVT-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET BVDSS: 25V-30V TSOT26 T&R

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: Automotive, AEC-Q101
FET 유형: N and P-Channel Complementary
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 680mA (Ta), 460mA (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V, 1.1Ohm @ 500mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.64nC @ 4.5V, 1.1nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 50pF @ 10V, 63pF @ 10V
전력-최대: 700mW
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
공급자 장치 패키지: TSOT-26

재고 있음5,814

DMC3730UVT-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET BVDSS: 25V-30V TSOT26 T&R

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: Automotive, AEC-Q101
FET 유형: N and P-Channel Complementary
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 680mA (Ta), 460mA (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V, 1.1Ohm @ 500mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.64nC @ 4.5V, 1.1nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 50pF @ 10V, 63pF @ 10V
전력-최대: 700mW
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
공급자 장치 패키지: TSOT-26

재고 있음3,508

DMC4015SSD-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 40V 8.6A/6.5A 8-SO

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8.6A, 6.2A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 40nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1810pF @ 20V
전력-최대: 1.2W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SO

재고 있음2,016

DMC4028SSD-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 40V 8SOIC

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.5A, 4.8A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12.9nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 604pF @ 20V
전력-최대: 1.8W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SO

재고 있음19,356

DMC4029SK4-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 40V 8.3A TO252

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: N and P-Channel Complementary
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8.3A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 19.1nC @ 20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1060pF @ 20V
전력-최대: 1.5W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
공급자 장치 패키지: TO-252-4L

재고 있음4,482

DMC4029SSD-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 40V 7A/5.1A 8SO

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: Automotive, AEC-Q101
FET 유형: N and P-Channel Complementary
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9A (Ta), 6.5A (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6A, 10V, 45mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.8nC @ 4.5V, 10.6nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1060pF @ 20V, 1154pF @ 20V
전력-최대: 1.8W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SO

재고 있음6,354

DMC4029SSDQ-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 40V 7A/5.1A 8SO

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: Automotive, AEC-Q101
FET 유형: N and P-Channel Complementary
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9A (Ta), 6.5A (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6A, 10V, 45mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.8nC @ 4.5V, 10.6nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1060pF @ 20V, 1154pF @ 20V
전력-최대: 1.8W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SO

재고 있음5,382

DMC4040SSD-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 40V 6.8A 8SO

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.8A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.8V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 37.6nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1790pF @ 20V
전력-최대: 1.8W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SO

재고 있음61,866

DMC4040SSDQ-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 40V 7.5A 8SO

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: Automotive, AEC-Q101
FET 유형: N and P-Channel Complementary
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.5A (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.8V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 16nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1790pF @ 20V
전력-최대: 17.2W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SO

재고 있음8,100

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