트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
DMG6601LVT-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 30V 26TSOT 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.8A, 2.5A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3.4A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12.3nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 422pF @ 15V 전력-최대: 850mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 공급자 장치 패키지: TSOT-26	재고 있음1,256,124
DMG6602SVT-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 30V TSOT23-6 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Logic Level Gate, 4.5V Drive 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.4A, 2.8A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.1A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 400pF @ 15V 전력-최대: 840mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 공급자 장치 패키지: TSOT-23-6	재고 있음1,055,490
DMG6602SVTQ-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 30V TSOT26 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.4A, 2.8A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.1A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 400pF @ 15V 전력-최대: 840mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 공급자 장치 패키지: TSOT-26	재고 있음148,848
DMG6602SVTX-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET BVDSS: 25V-30V TSOT26 T&R 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: Automotive, AEC-Q101 FET 유형: N and P-Channel Complementary FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.4A (Ta), 2.8A (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.1A, 10V, 95mOhm @ 2.7A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13nC @ 10V, 9nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 400pF @ 15V, 420pF @ 15V 전력-최대: 840mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 공급자 장치 패키지: TSOT-26	재고 있음6,102
DMG6898LSD-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 20V 9.5A 8SO 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.5A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9.4A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 26nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1149pF @ 10V 전력-최대: 1.28W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음52,800
DMG6898LSDQ-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 20V 9.5A 8SO 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.5A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9.4A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 26nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1149pF @ 10V 전력-최대: 1.28W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음25,644
DMG6968UDM-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 20V 6.5A SOT-26 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.5A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 900mV @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.8nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 143pF @ 10V 전력-최대: 850mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-23-6 공급자 장치 패키지: SOT-26	재고 있음636,432
DMG6968UTS-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8TSSOP 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.2A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 6.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 950mV @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.8nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 143pF @ 10V 전력-최대: 1W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-TSSOP	재고 있음2,700
DMG8601UFG-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 20V 6.1A DFN 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.1A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 6.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.05V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.8nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 143pF @ 10V 전력-최대: 920mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerUDFN 공급자 장치 패키지: U-DFN3030-8	재고 있음21,858
DMG8822UTS-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 20V 4.9A 8TSSOP 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: Automotive, AEC-Q101 FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.9A (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 8.2A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 900mV @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9.6nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 841pF @ 10V 전력-최대: 870mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-TSSOP	재고 있음2,538
DMG9926UDM-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 20V 4.2A SOT-26 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.2A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 8.2A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 900mV @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.3nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 856pF @ 10V 전력-최대: 980mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-23-6 공급자 장치 패키지: SOT-26	재고 있음312,114
DMG9926USD-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 20V 8A SOP8L 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 8.2A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 900mV @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.8nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 867pF @ 15V 전력-최대: 1.3W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOP	재고 있음64,020
DMG9933USD-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 20V 4.6A 8SO 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.6A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 4.8A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.5nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 608.4pF @ 6V 전력-최대: 1.15W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음5,094
DMGD7N45SSD-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2NCH 450V 500MA 8SO 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: Automotive, AEC-Q101 FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 450V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 500mA (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.9nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 256pF @ 25V 전력-최대: 1.64W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음7,236
DMHC10H170SFJ-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N/2P-CH 100V DFN5045-12 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.9A, 2.3A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9.7nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1167pF @ 25V 전력-최대: 2.1W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 12-VDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: V-DFN5045-12	재고 있음3,276
DMHC3025LSD-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N/2P-CH 30V 8SO 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A, 4.2A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11.7nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 590pF @ 15V 전력-최대: 1.5W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음150,162
DMHC3025LSDQ-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N/2P-CH 30V 8SOIC 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A, 4.2A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11.7nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 590pF @ 15V 전력-최대: 1.5W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음2,988
DMHC4035LSD-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N/2P-CH 40V 8-SOIC 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.5A, 3.7A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.9A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12.5nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 574pF @ 20V 전력-최대: 1.5W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음20,094
DMHC4035LSDQ-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET BVDSS: 31V 40V SO-8 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: Automotive, AEC-Q101 FET 유형: 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.5A (Ta), 3.7A (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.9A, 10V, 65mOhm @ 4.2A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.9nC @ 4.5V, 5.4nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 574pF @ 20V, 587pF @ 20V 전력-최대: 1.5W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음7,344
DMHC6070LSD-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N/2P-CHA 60V 3.1A 8SO 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.1A, 2.4A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11.5nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 731pF @ 20V 전력-최대: 1.6W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음5,814
DMHT3006LFJ-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET BVDSS: 25V-30V V-DFN5045- 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: 4 N-Channel (H-Bridge) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13A (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1171pF @ 15V 전력-최대: 1.3W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 12-PowerVDFN 공급자 장치 패키지: V-DFN5045-12	재고 있음7,308
DMHT6016LFJ-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 4 N-CH 14.8A VDFN5045-12 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: Automotive, AEC-Q101 FET 유형: 4 N-Channel FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14.8A (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.4nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 864pF @ 30V 전력-최대: - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 12-VDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: V-DFN5045-12	재고 있음46,044
DMN1002UCA6-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFETN-CHAN 12V X4-DSN3118-6 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 68.6nC @ 4V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: 1.1W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SMD, No Lead 공급자 장치 패키지: X4-DSN3118-6	재고 있음2,754
DMN1003UCA6-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2 N-CHANNEL X3-DSN3518-6 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: 1.3V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 56.5nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3315pF @ 6V 전력-최대: 2.67W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SMD, No Lead 공급자 장치 패키지: X3-DSN3518-6	재고 있음7,812
DMN1006UCA6-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2 N-CHANNEL X3-DSN2718-6 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: 1.3V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 35.2nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2360pF @ 6V 전력-최대: 2.4W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SMD, No Lead 공급자 장치 패키지: X3-DSN2718-6	재고 있음11,129
DMN1023UCB4-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET BVDSS: 8V-24V U-WLB1010-4 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: N-Channel FET 기능: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.1A (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 1A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 4-UFBGA, WLBGA 공급자 장치 패키지: U-WLB1010-4	재고 있음3,474
DMN1029UFDB-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 12V 5.6A 6UDFN 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.6A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 19.6nC @ 8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 914pF @ 6V 전력-최대: 1.4W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-UDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: U-DFN2020-6 (Type B)	재고 있음8,766
DMN1029UFDB-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 12V 5.6A 6UDFN 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.6A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 19.6nC @ 8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 914pF @ 6V 전력-최대: 1.4W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-UDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: U-DFN2020-6 (Type B)	재고 있음22,416
DMN1033UCB4-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 12V U-WLB1818-4 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 37nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: 1.45W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 4-UFBGA, WLBGA 공급자 장치 패키지: U-WLB1818-4	재고 있음27,048
DMN1150UFL3-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CHA 12V 2A DFN1310 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: Automotive, AEC-Q101 FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.4nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 115pF @ 6V 전력-최대: 390mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-XFDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: X2-DFN1310-6 (Type B)	재고 있음5,544

DMG6601LVT-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 30V 26TSOT

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.8A, 2.5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12.3nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 422pF @ 15V
전력-최대: 850mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
공급자 장치 패키지: TSOT-26

재고 있음1,256,124

DMG6602SVT-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 30V TSOT23-6

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Logic Level Gate, 4.5V Drive
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.4A, 2.8A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 400pF @ 15V
전력-최대: 840mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
공급자 장치 패키지: TSOT-23-6

재고 있음1,055,490

DMG6602SVTQ-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 30V TSOT26

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.4A, 2.8A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 400pF @ 15V
전력-최대: 840mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
공급자 장치 패키지: TSOT-26

재고 있음148,848

DMG6602SVTX-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET BVDSS: 25V-30V TSOT26 T&R

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: Automotive, AEC-Q101
FET 유형: N and P-Channel Complementary
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.4A (Ta), 2.8A (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.1A, 10V, 95mOhm @ 2.7A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13nC @ 10V, 9nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 400pF @ 15V, 420pF @ 15V
전력-최대: 840mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
공급자 장치 패키지: TSOT-26

재고 있음6,102

DMG6898LSD-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 20V 9.5A 8SO

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9.4A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 26nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1149pF @ 10V
전력-최대: 1.28W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SO

재고 있음52,800

DMG6898LSDQ-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 20V 9.5A 8SO

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9.4A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 26nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1149pF @ 10V
전력-최대: 1.28W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SO

재고 있음25,644

DMG6968UDM-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 20V 6.5A SOT-26

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 900mV @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.8nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 143pF @ 10V
전력-최대: 850mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-23-6
공급자 장치 패키지: SOT-26

재고 있음636,432

DMG6968UTS-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8TSSOP

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.2A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 6.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 950mV @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.8nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 143pF @ 10V
전력-최대: 1W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-TSSOP

재고 있음2,700

DMG8601UFG-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 20V 6.1A DFN

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.1A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 6.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.05V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.8nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 143pF @ 10V
전력-최대: 920mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerUDFN
공급자 장치 패키지: U-DFN3030-8

재고 있음21,858

DMG8822UTS-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 20V 4.9A 8TSSOP

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: Automotive, AEC-Q101
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.9A (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 8.2A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 900mV @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9.6nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 841pF @ 10V
전력-최대: 870mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-TSSOP

재고 있음2,538

DMG9926UDM-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 20V 4.2A SOT-26

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.2A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 8.2A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 900mV @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.3nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 856pF @ 10V
전력-최대: 980mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-23-6
공급자 장치 패키지: SOT-26

재고 있음312,114

DMG9926USD-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 20V 8A SOP8L

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 8.2A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 900mV @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.8nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 867pF @ 15V
전력-최대: 1.3W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOP

재고 있음64,020

DMG9933USD-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 20V 4.6A 8SO

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.6A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 4.8A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.5nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 608.4pF @ 6V
전력-최대: 1.15W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SO

재고 있음5,094

DMGD7N45SSD-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2NCH 450V 500MA 8SO

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: Automotive, AEC-Q101
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 450V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 500mA (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.9nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 256pF @ 25V
전력-최대: 1.64W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SO

재고 있음7,236

DMHC10H170SFJ-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N/2P-CH 100V DFN5045-12

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.9A, 2.3A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9.7nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1167pF @ 25V
전력-최대: 2.1W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 12-VDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: V-DFN5045-12

재고 있음3,276

DMHC3025LSD-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N/2P-CH 30V 8SO

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A, 4.2A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11.7nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 590pF @ 15V
전력-최대: 1.5W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SO

재고 있음150,162

DMHC3025LSDQ-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N/2P-CH 30V 8SOIC

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A, 4.2A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11.7nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 590pF @ 15V
전력-최대: 1.5W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SO

재고 있음2,988

DMHC4035LSD-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N/2P-CH 40V 8-SOIC

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.5A, 3.7A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.9A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12.5nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 574pF @ 20V
전력-최대: 1.5W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SO

재고 있음20,094

DMHC4035LSDQ-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET BVDSS: 31V 40V SO-8

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: Automotive, AEC-Q101
FET 유형: 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.5A (Ta), 3.7A (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.9A, 10V, 65mOhm @ 4.2A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.9nC @ 4.5V, 5.4nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 574pF @ 20V, 587pF @ 20V
전력-최대: 1.5W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SO

재고 있음7,344

DMHC6070LSD-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N/2P-CHA 60V 3.1A 8SO

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.1A, 2.4A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11.5nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 731pF @ 20V
전력-최대: 1.6W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SO

재고 있음5,814

DMHT3006LFJ-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET BVDSS: 25V-30V V-DFN5045-

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: 4 N-Channel (H-Bridge)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13A (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1171pF @ 15V
전력-최대: 1.3W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 12-PowerVDFN
공급자 장치 패키지: V-DFN5045-12

재고 있음7,308

DMHT6016LFJ-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 4 N-CH 14.8A VDFN5045-12

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: Automotive, AEC-Q101
FET 유형: 4 N-Channel
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14.8A (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.4nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 864pF @ 30V
전력-최대: -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 12-VDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: V-DFN5045-12

재고 있음46,044

DMN1002UCA6-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFETN-CHAN 12V X4-DSN3118-6

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 68.6nC @ 4V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: 1.1W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SMD, No Lead
공급자 장치 패키지: X4-DSN3118-6

재고 있음2,754

DMN1003UCA6-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2 N-CHANNEL X3-DSN3518-6

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.3V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 56.5nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3315pF @ 6V
전력-최대: 2.67W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SMD, No Lead
공급자 장치 패키지: X3-DSN3518-6

재고 있음7,812

DMN1006UCA6-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2 N-CHANNEL X3-DSN2718-6

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.3V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 35.2nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2360pF @ 6V
전력-최대: 2.4W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SMD, No Lead
공급자 장치 패키지: X3-DSN2718-6

재고 있음11,129

DMN1023UCB4-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET BVDSS: 8V-24V U-WLB1010-4

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
FET 기능: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.1A (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 4-UFBGA, WLBGA
공급자 장치 패키지: U-WLB1010-4

재고 있음3,474

DMN1029UFDB-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 12V 5.6A 6UDFN

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 12V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.6A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 19.6nC @ 8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 914pF @ 6V
전력-최대: 1.4W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-UDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: U-DFN2020-6 (Type B)

재고 있음8,766

DMN1029UFDB-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 12V 5.6A 6UDFN

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 12V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.6A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 19.6nC @ 8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 914pF @ 6V
전력-최대: 1.4W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-UDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: U-DFN2020-6 (Type B)

재고 있음22,416

DMN1033UCB4-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 12V U-WLB1818-4

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 37nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: 1.45W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 4-UFBGA, WLBGA
공급자 장치 패키지: U-WLB1818-4

재고 있음27,048

DMN1150UFL3-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CHA 12V 2A DFN1310

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: Automotive, AEC-Q101
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 12V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.4nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 115pF @ 6V
전력-최대: 390mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-XFDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: X2-DFN1310-6 (Type B)

재고 있음5,544

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