트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
DMN2028UFU-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 20V 7.9A UDFN2020-6 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.5A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20.2mOhm @ 4.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18.4nC @ 8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 887pF @ 10V 전력-최대: 900mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-UFDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: U-DFN2030-6 (Type B)	재고 있음8,010
DMN2028UFU-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 20V 7.5A UDFN2030-6 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.5A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20.2mOhm @ 4.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18.4nC @ 8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 887pF @ 10V 전력-최대: 900mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-UFDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: U-DFN2030-6 (Type B)	재고 있음509
DMN2029USD-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 20V 5.8A 8SO 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.8A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18.6nC @ 8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1171pF @ 10V 전력-최대: 1.2W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음7,596
DMN2029UVT-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET BVDSS: 8V-24V TSOT26 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: * FET 유형: - FET 기능: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음8,046
DMN2029UVT-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET BVDSS: 8V-24V TSOT26 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: * FET 유형: - FET 기능: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음5,148
DMN2036UCB4-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFETN-CHAN 24V X2-WLB1616-4 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12.6nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: 1.45W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 4-XFBGA, WLBGA 공급자 장치 패키지: X2-WLB1616-4	재고 있음26,094
DMN2040LSD-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 20V 7A 8-SOIC 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 6A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 562pF @ 10V 전력-최대: 2W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOP	재고 있음7,236
DMN2040LTS-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 20V 6.7A 8TSSOP 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: Automotive, AEC-Q101 FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.7A (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 6A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.2nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 570pF @ 10V 전력-최대: 890mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-TSSOP	재고 있음5,580
DMN2041LSD-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 20V 7.63A 8SO 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.63A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15.6nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 550pF @ 10V 전력-최대: 1.16W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음668,706
DMN2041UFDB-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 20V 4.7A 6UDFN 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.7A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.2A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 713pF @ 10V 전력-최대: 1.4W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-UDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: U-DFN2020-6 (Type B)	재고 있음6,552
DMN2041UFDB-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 20V 4.7A 6UDFN 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.7A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.2A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 713pF @ 10V 전력-최대: 1.4W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-UDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: U-DFN2020-6 (Type B)	재고 있음4,140
DMN2050LFDB-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 20V 3.3A 6UDFN 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.3A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 389pF @ 10V 전력-최대: 730mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-UDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: U-DFN2020-6 (Type B)	재고 있음82,368
DMN2050LFDB-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 20V 3.3A 6UDFN 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.3A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 389pF @ 10V 전력-최대: 730mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-UDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: U-DFN2020-6 (Type B)	재고 있음6,084
DMN2053UVT-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET BVDSS: 8V-24V TSOT26 T&R 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.6A (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.6nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 369pF @ 10V 전력-최대: 700mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 공급자 장치 패키지: TSOT-26	재고 있음6,714
DMN2053UVT-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET BVDSS: 8V-24V TSOT26 T&R 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.6A (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.6nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 369pF @ 10V 전력-최대: 700mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 공급자 장치 패키지: TSOT-26	재고 있음6,318
DMN21D1UDA-7B Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2 N-CH 20V X2DFN0806-6 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 455mA (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 990mOhm @ 100mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.41nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 31pF @ 15V 전력-최대: 310mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SMD, No Lead 공급자 장치 패키지: X2-DFN0806-6	재고 있음5,868
DMN2215UDM-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 20V 2A SOT-26 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 188pF @ 10V 전력-최대: 650mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-23-6 공급자 장치 패키지: SOT-26	재고 있음24,450
DMN2300UFL4-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 20V 2.11A 6DFN 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: Automotive, AEC-Q101 FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.11A (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 300mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 950mV @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.2nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 128.6pF @ 25V 전력-최대: 1.39W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-XFDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: X2-DFN1310-6 (Type B)	재고 있음3,402
DMN2400UV-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 20V 1.33A SOT563 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.33A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 200mA, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 900mV @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.5nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 36pF @ 16V 전력-최대: 530mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지: SOT-563	재고 있음371,334
DMN26D0UDJ-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 20V 0.24A SOT963 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 240mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 100mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.05V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 14.1pF @ 15V 전력-최대: 300mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-963 공급자 장치 패키지: SOT-963	재고 있음93,216
DMN2990UDJ-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 20V 0.45A SOT-963 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 450mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: 990mOhm @ 100mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.5nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 27.6pF @ 16V 전력-최대: 350mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-963 공급자 장치 패키지: SOT-963	재고 있음247,410
DMN2990UDJQ-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2 N-CHANNEL 450MA SOT963 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 450mA (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 990mOhm @ 100mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.5nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 27.6pF @ 16V 전력-최대: - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-963 공급자 장치 패키지: SOT-963	재고 있음5,220
DMN3012LDG-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET BVDSS: 25V-30V POWERDI333 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Ta), 20A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 15A, 5V, 6mOhm @ 15A, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA, 1.15V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.1nC @ 4.5V, 12.6nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 850pF @ 15V, 1480pF @ 15V 전력-최대: 2.2W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerLDFN 공급자 장치 패키지: PowerDI3333-8 (Type D)	재고 있음8,712
DMN3012LDG-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET BVDSS: 25V-30V POWERDI333 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Ta), 20A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 15A, 5V, 6mOhm @ 15A, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA, 1.15V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.1nC @ 4.5V, 12.6nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 850pF @ 15V, 1480pF @ 15V 전력-최대: 2.2W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerLDFN 공급자 장치 패키지: PowerDI3333-8 (Type D)	재고 있음2,682
DMN3012LEG-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET BVDSS: 25V-30V POWERDI333 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: * FET 유형: - FET 기능: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음8,244
DMN3012LEG-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET BVDSS: 25V-30V POWERDI333 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: * FET 유형: - FET 기능: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음6,516
DMN3012LFG-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2 N-CH 30V POWERDI3333 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 15A, 5V, 6mOhm @ 15A, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA, 1.15V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.1nC @ 4.5V, 12.6nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 850pF @ 15V, 1480pF @ 15V 전력-최대: 2.2W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerLDFN 공급자 장치 패키지: PowerDI3333-8	재고 있음5,454
DMN3012LFG-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2 N-CH 30V POWERDI3333 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 15A, 5V, 6mOhm @ 15A, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA, 1.15V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.1nC @ 4.5V, 12.6nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 850pF @ 15V, 1480pF @ 15V 전력-최대: 2.2W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerLDFN 공급자 장치 패키지: PowerDI3333-8	재고 있음3,456
DMN3013LDG-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET BVDSS: 25V-30V POWERDI333 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.5A (Ta), 15A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14.3mOhm @ 4A, 8V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.7nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 600pF @ 15V 전력-최대: 2.16W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerLDFN 공급자 장치 패키지: PowerDI3333-8 (Type D)	재고 있음6,408
DMN3013LDG-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET BVDSS: 25V-30V POWERDI333 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.5A (Ta), 15A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14.3mOhm @ 4A, 8V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.7nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 600pF @ 15V 전력-최대: 2.16W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerLDFN 공급자 장치 패키지: PowerDI3333-8 (Type D)	재고 있음2,628

DMN2028UFU-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 20V 7.9A UDFN2020-6

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20.2mOhm @ 4.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18.4nC @ 8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 887pF @ 10V
전력-최대: 900mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-UFDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: U-DFN2030-6 (Type B)

재고 있음8,010

DMN2028UFU-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 20V 7.5A UDFN2030-6

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20.2mOhm @ 4.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18.4nC @ 8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 887pF @ 10V
전력-최대: 900mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-UFDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: U-DFN2030-6 (Type B)

재고 있음509

DMN2029USD-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 20V 5.8A 8SO

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.8A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18.6nC @ 8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1171pF @ 10V
전력-최대: 1.2W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SO

재고 있음7,596

DMN2029UVT-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET BVDSS: 8V-24V TSOT26

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: *
FET 유형: -
FET 기능: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음8,046

DMN2029UVT-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET BVDSS: 8V-24V TSOT26

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: *
FET 유형: -
FET 기능: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음5,148

DMN2036UCB4-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFETN-CHAN 24V X2-WLB1616-4

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12.6nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: 1.45W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 4-XFBGA, WLBGA
공급자 장치 패키지: X2-WLB1616-4

재고 있음26,094

DMN2040LSD-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 20V 7A 8-SOIC

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 562pF @ 10V
전력-최대: 2W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOP

재고 있음7,236

DMN2040LTS-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 20V 6.7A 8TSSOP

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: Automotive, AEC-Q101
FET 유형: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.7A (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.2nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 570pF @ 10V
전력-최대: 890mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-TSSOP

재고 있음5,580

DMN2041LSD-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 20V 7.63A 8SO

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.63A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15.6nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 550pF @ 10V
전력-최대: 1.16W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SO

재고 있음668,706

DMN2041UFDB-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 20V 4.7A 6UDFN

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.7A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.2A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 713pF @ 10V
전력-최대: 1.4W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-UDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: U-DFN2020-6 (Type B)

재고 있음6,552

DMN2041UFDB-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 20V 4.7A 6UDFN

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.7A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.2A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 713pF @ 10V
전력-최대: 1.4W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-UDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: U-DFN2020-6 (Type B)

재고 있음4,140

DMN2050LFDB-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 20V 3.3A 6UDFN

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.3A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 389pF @ 10V
전력-최대: 730mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-UDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: U-DFN2020-6 (Type B)

재고 있음82,368

DMN2050LFDB-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 20V 3.3A 6UDFN

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.3A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 389pF @ 10V
전력-최대: 730mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-UDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: U-DFN2020-6 (Type B)

재고 있음6,084

DMN2053UVT-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET BVDSS: 8V-24V TSOT26 T&R

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.6A (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.6nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 369pF @ 10V
전력-최대: 700mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
공급자 장치 패키지: TSOT-26

재고 있음6,714

DMN2053UVT-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET BVDSS: 8V-24V TSOT26 T&R

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.6A (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.6nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 369pF @ 10V
전력-최대: 700mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
공급자 장치 패키지: TSOT-26

재고 있음6,318

DMN21D1UDA-7B

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2 N-CH 20V X2DFN0806-6

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 455mA (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 990mOhm @ 100mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.41nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 31pF @ 15V
전력-최대: 310mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SMD, No Lead
공급자 장치 패키지: X2-DFN0806-6

재고 있음5,868

DMN2215UDM-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 20V 2A SOT-26

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 188pF @ 10V
전력-최대: 650mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-23-6
공급자 장치 패키지: SOT-26

재고 있음24,450

DMN2300UFL4-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 20V 2.11A 6DFN

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: Automotive, AEC-Q101
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.11A (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 300mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 950mV @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.2nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 128.6pF @ 25V
전력-최대: 1.39W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-XFDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: X2-DFN1310-6 (Type B)

재고 있음3,402

DMN2400UV-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 20V 1.33A SOT563

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.33A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 200mA, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 900mV @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.5nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 36pF @ 16V
전력-최대: 530mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지: SOT-563

재고 있음371,334

DMN26D0UDJ-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 20V 0.24A SOT963

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 240mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 100mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.05V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 14.1pF @ 15V
전력-최대: 300mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-963
공급자 장치 패키지: SOT-963

재고 있음93,216

DMN2990UDJ-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 20V 0.45A SOT-963

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 450mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 990mOhm @ 100mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.5nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 27.6pF @ 16V
전력-최대: 350mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-963
공급자 장치 패키지: SOT-963

재고 있음247,410

DMN2990UDJQ-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2 N-CHANNEL 450MA SOT963

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 450mA (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 990mOhm @ 100mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.5nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 27.6pF @ 16V
전력-최대: -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-963
공급자 장치 패키지: SOT-963

재고 있음5,220

DMN3012LDG-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET BVDSS: 25V-30V POWERDI333

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 15A, 5V, 6mOhm @ 15A, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA, 1.15V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.1nC @ 4.5V, 12.6nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 850pF @ 15V, 1480pF @ 15V
전력-최대: 2.2W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerLDFN
공급자 장치 패키지: PowerDI3333-8 (Type D)

재고 있음8,712

DMN3012LDG-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET BVDSS: 25V-30V POWERDI333

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 15A, 5V, 6mOhm @ 15A, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA, 1.15V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.1nC @ 4.5V, 12.6nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 850pF @ 15V, 1480pF @ 15V
전력-최대: 2.2W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerLDFN
공급자 장치 패키지: PowerDI3333-8 (Type D)

재고 있음2,682

DMN3012LEG-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET BVDSS: 25V-30V POWERDI333

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: *
FET 유형: -
FET 기능: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음8,244

DMN3012LEG-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET BVDSS: 25V-30V POWERDI333

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: *
FET 유형: -
FET 기능: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음6,516

DMN3012LFG-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2 N-CH 30V POWERDI3333

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 15A, 5V, 6mOhm @ 15A, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA, 1.15V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.1nC @ 4.5V, 12.6nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 850pF @ 15V, 1480pF @ 15V
전력-최대: 2.2W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerLDFN
공급자 장치 패키지: PowerDI3333-8

재고 있음5,454

DMN3012LFG-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2 N-CH 30V POWERDI3333

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 15A, 5V, 6mOhm @ 15A, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA, 1.15V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.1nC @ 4.5V, 12.6nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 850pF @ 15V, 1480pF @ 15V
전력-최대: 2.2W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerLDFN
공급자 장치 패키지: PowerDI3333-8

재고 있음3,456

DMN3013LDG-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET BVDSS: 25V-30V POWERDI333

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.5A (Ta), 15A (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14.3mOhm @ 4A, 8V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.7nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 600pF @ 15V
전력-최대: 2.16W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerLDFN
공급자 장치 패키지: PowerDI3333-8 (Type D)

재고 있음6,408

DMN3013LDG-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET BVDSS: 25V-30V POWERDI333

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.5A (Ta), 15A (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14.3mOhm @ 4A, 8V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.7nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 600pF @ 15V
전력-최대: 2.16W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerLDFN
공급자 장치 패키지: PowerDI3333-8 (Type D)

재고 있음2,628

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