트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
DMN3013LFG-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET BVDSS: 25V-30V POWERDI333 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.5A (Ta), 15A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14.3mOhm @ 4A, 8V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.7nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 600pF @ 15V 전력-최대: 2.16W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerLDFN 공급자 장치 패키지: PowerDI3333-8 (Type D)	재고 있음4,788
DMN3013LFG-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET BVDSS: 25V-30V POWERDI333 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.5A (Ta), 15A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14.3mOhm @ 4A, 8V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.7nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 600pF @ 15V 전력-최대: 2.16W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerLDFN 공급자 장치 패키지: PowerDI3333-8 (Type D)	재고 있음2,124
DMN3015LSD-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 8.4A 8SO 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8.4A (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 25.1nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1415pF @ 15V 전력-최대: 1.2W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음7,434
DMN3016LDN-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2 N-CH 9.2A VDFN3030-8 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.2A (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 11A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11.3nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1415pF @ 15V 전력-최대: - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN 공급자 장치 패키지: V-DFN3030-8 (Type J)	재고 있음8,766
DMN3016LDN-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 7.3A 8VDFN 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.3A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 11A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 25.1nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1415pF @ 15V 전력-최대: 1.1W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN 공급자 장치 패키지: V-DFN3030-8 (Type J)	재고 있음7,200
DMN3016LDV-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2 N-CH 21A POWERDI3333-8 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 21A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9.5nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1184pF @ 15V 전력-최대: - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN 공급자 장치 패키지: PowerDI3333-8	재고 있음3,744
DMN3016LDV-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2 N-CH 21A POWERDI3333-8 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 21A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9.5nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1184pF @ 15V 전력-최대: - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN 공급자 장치 패키지: PowerDI3333-8	재고 있음6,336
DMN3018SSD-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 6.7A 8SO 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.7A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13.2nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 697pF @ 15V 전력-최대: 1.5W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음154,692
DMN3022LDG-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET BVDSS: 25V-30V POWERDI333 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.6A (Ta), 15A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 10A, 5V, 8mOhm @ 10A, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA, 1.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.7nC @ 4.5V, 8nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 481pF @ 15V, 996pF @ 15V 전력-최대: 1.96W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerLDFN 공급자 장치 패키지: PowerDI3333-8 (Type D)	재고 있음8,802
DMN3022LDG-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET BVDSS: 25V-30V POWERDI333 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.6A (Ta), 15A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 10A, 5V, 8mOhm @ 10A, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA, 1.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.7nC @ 4.5V, 8nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 481pF @ 15V, 996pF @ 15V 전력-최대: 1.96W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerLDFN 공급자 장치 패키지: PowerDI3333-8 (Type D)	재고 있음6,372
DMN3022LFG-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET BVDSS: 25V-30V POWERDI333 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.6A (Ta), 15A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 10A, 5V, 8mOhm @ 10A, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA, 1.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.7nC @ 4.5V, 8nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 481pF @ 15V, 996pF @ 15V 전력-최대: 1.96W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerLDFN 공급자 장치 패키지: PowerDI3333-8 (Type D)	재고 있음8,622
DMN3022LFG-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET BVDSS: 25V-30V POWERDI333 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.6A (Ta), 15A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 10A, 5V, 8mOhm @ 10A, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA, 1.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.7nC @ 4.5V, 8nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 481pF @ 15V, 996pF @ 15V 전력-최대: 1.96W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerLDFN 공급자 장치 패키지: PowerDI3333-8 (Type D)	재고 있음7,722
DMN3024LSD-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 6.8A 8SO 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.8A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12.9nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 608pF @ 15V 전력-최대: 1.8W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음7,200
DMN3032LFDB-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 6.2A UDFN2020-6 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.2A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.8A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10.6nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 500pF @ 15V 전력-최대: 1W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-UDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: U-DFN2020-6 (Type B)	재고 있음6,030
DMN3032LFDB-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 6.2A UDFN2020-6 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.2A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.8A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10.6nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 500pF @ 15V 전력-최대: 1W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-UDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: U-DFN2020-6 (Type B)	재고 있음4,302
DMN3032LFDBQ-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2NCH 30V 6.2A UDFN2020 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: Automotive, AEC-Q101 FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.2A (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.8A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10.6nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 500pF @ 15V 전력-최대: 1W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-UDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: U-DFN2020-6 (Type B)	재고 있음8,424
DMN3032LFDBQ-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 6.2A U-DFN2020 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.2A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.8A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10.6nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 500pF @ 15V 전력-최대: 1W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-UDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: U-DFN2020-6 (Type B)	재고 있음154,170
DMN3033LSD-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.9A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6.9A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 725pF @ 15V 전력-최대: 2W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOP	재고 있음6,822
DMN3033LSDQ-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.9A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6.9A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 725pF @ 15V 전력-최대: 2W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음3,132
DMN3035LWN-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2 N-CH 5.5A VDFN3020-8 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.5A (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.8A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.5nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 399pF @ 15V 전력-최대: - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN 공급자 장치 패키지: V-DFN3020-8	재고 있음2,088
DMN3035LWN-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8VDFN 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.5A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.8A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9.9nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 399pF @ 15V 전력-최대: 770mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN 공급자 장치 패키지: V-DFN3020-8	재고 있음16,800
DMN3055LFDB-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2 N-CH 5A UDFN2020-6 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 3A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.3nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 458pF @ 15V 전력-최대: - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-UDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: U-DFN2020-6 (Type B)	재고 있음3,222
DMN3055LFDB-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2 N-CH 5A UDFN2020-6 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 3A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.3nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 458pF @ 15V 전력-최대: - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-UDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: U-DFN2020-6 (Type B)	재고 있음8,640
DMN3060LVT-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET BVDSS: 25V-30V TSOT26 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: * FET 유형: - FET 기능: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,474
DMN3061SVT-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET BVDSS: 25V-30V TSOT26 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: * FET 유형: - FET 기능: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음6,534
DMN3135LVT-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 3.5A TSOT26 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.5A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.1A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.1nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 305pF @ 15V 전력-최대: 840mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 공급자 장치 패키지: TSOT-26	재고 있음505,338
DMN3190LDW-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 1.3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.8V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 87pF @ 20V 전력-최대: 320mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: SOT-363	재고 있음614,670
DMN3190LDW-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 1.3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.8V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 87pF @ 20V 전력-최대: 320mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: SOT-363	재고 있음2,934,090
DMN3270UVT-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET BVDSS: 25V-30V TSOT26 T&R 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: Automotive, AEC-Q101 FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.6A (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 650mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 900mV @ 40µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.07nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 161pF @ 15V 전력-최대: 760mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 공급자 장치 패키지: TSOT-26	재고 있음8,676
DMN3270UVT-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET BVDSS: 25V-30V TSOT26 T&R 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: Automotive, AEC-Q101 FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.6A (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 650mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 900mV @ 40µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.07nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 161pF @ 15V 전력-최대: 760mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 공급자 장치 패키지: TSOT-26	재고 있음7,992

DMN3013LFG-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET BVDSS: 25V-30V POWERDI333

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.5A (Ta), 15A (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14.3mOhm @ 4A, 8V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.7nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 600pF @ 15V
전력-최대: 2.16W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerLDFN
공급자 장치 패키지: PowerDI3333-8 (Type D)

재고 있음4,788

DMN3013LFG-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET BVDSS: 25V-30V POWERDI333

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.5A (Ta), 15A (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14.3mOhm @ 4A, 8V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.7nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 600pF @ 15V
전력-최대: 2.16W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerLDFN
공급자 장치 패키지: PowerDI3333-8 (Type D)

재고 있음2,124

DMN3015LSD-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 8.4A 8SO

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8.4A (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 25.1nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1415pF @ 15V
전력-최대: 1.2W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SO

재고 있음7,434

DMN3016LDN-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2 N-CH 9.2A VDFN3030-8

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.2A (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11.3nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1415pF @ 15V
전력-최대: -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN
공급자 장치 패키지: V-DFN3030-8 (Type J)

재고 있음8,766

DMN3016LDN-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 7.3A 8VDFN

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.3A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 25.1nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1415pF @ 15V
전력-최대: 1.1W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN
공급자 장치 패키지: V-DFN3030-8 (Type J)

재고 있음7,200

DMN3016LDV-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2 N-CH 21A POWERDI3333-8

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 21A (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9.5nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1184pF @ 15V
전력-최대: -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN
공급자 장치 패키지: PowerDI3333-8

재고 있음3,744

DMN3016LDV-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2 N-CH 21A POWERDI3333-8

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 21A (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9.5nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1184pF @ 15V
전력-최대: -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN
공급자 장치 패키지: PowerDI3333-8

재고 있음6,336

DMN3018SSD-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 6.7A 8SO

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.7A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13.2nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 697pF @ 15V
전력-최대: 1.5W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SO

재고 있음154,692

DMN3022LDG-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET BVDSS: 25V-30V POWERDI333

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.6A (Ta), 15A (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 10A, 5V, 8mOhm @ 10A, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA, 1.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.7nC @ 4.5V, 8nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 481pF @ 15V, 996pF @ 15V
전력-최대: 1.96W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerLDFN
공급자 장치 패키지: PowerDI3333-8 (Type D)

재고 있음8,802

DMN3022LDG-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET BVDSS: 25V-30V POWERDI333

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.6A (Ta), 15A (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 10A, 5V, 8mOhm @ 10A, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA, 1.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.7nC @ 4.5V, 8nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 481pF @ 15V, 996pF @ 15V
전력-최대: 1.96W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerLDFN
공급자 장치 패키지: PowerDI3333-8 (Type D)

재고 있음6,372

DMN3022LFG-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET BVDSS: 25V-30V POWERDI333

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.6A (Ta), 15A (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 10A, 5V, 8mOhm @ 10A, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA, 1.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.7nC @ 4.5V, 8nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 481pF @ 15V, 996pF @ 15V
전력-최대: 1.96W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerLDFN
공급자 장치 패키지: PowerDI3333-8 (Type D)

재고 있음8,622

DMN3022LFG-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET BVDSS: 25V-30V POWERDI333

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.6A (Ta), 15A (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 10A, 5V, 8mOhm @ 10A, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA, 1.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.7nC @ 4.5V, 8nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 481pF @ 15V, 996pF @ 15V
전력-최대: 1.96W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerLDFN
공급자 장치 패키지: PowerDI3333-8 (Type D)

재고 있음7,722

DMN3024LSD-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 6.8A 8SO

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.8A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12.9nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 608pF @ 15V
전력-최대: 1.8W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SO

재고 있음7,200

DMN3032LFDB-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 6.2A UDFN2020-6

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.2A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10.6nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 500pF @ 15V
전력-최대: 1W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-UDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: U-DFN2020-6 (Type B)

재고 있음6,030

DMN3032LFDB-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 6.2A UDFN2020-6

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.2A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10.6nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 500pF @ 15V
전력-최대: 1W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-UDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: U-DFN2020-6 (Type B)

재고 있음4,302

DMN3032LFDBQ-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2NCH 30V 6.2A UDFN2020

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: Automotive, AEC-Q101
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.2A (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10.6nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 500pF @ 15V
전력-최대: 1W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-UDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: U-DFN2020-6 (Type B)

재고 있음8,424

DMN3032LFDBQ-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 6.2A U-DFN2020

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.2A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10.6nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 500pF @ 15V
전력-최대: 1W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-UDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: U-DFN2020-6 (Type B)

재고 있음154,170

DMN3033LSD-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.9A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6.9A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 725pF @ 15V
전력-최대: 2W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOP

재고 있음6,822

DMN3033LSDQ-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.9A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6.9A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 725pF @ 15V
전력-최대: 2W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SO

재고 있음3,132

DMN3035LWN-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2 N-CH 5.5A VDFN3020-8

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.5A (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.8A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.5nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 399pF @ 15V
전력-최대: -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN
공급자 장치 패키지: V-DFN3020-8

재고 있음2,088

DMN3035LWN-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8VDFN

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.8A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9.9nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 399pF @ 15V
전력-최대: 770mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN
공급자 장치 패키지: V-DFN3020-8

재고 있음16,800

DMN3055LFDB-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2 N-CH 5A UDFN2020-6

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.3nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 458pF @ 15V
전력-최대: -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-UDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: U-DFN2020-6 (Type B)

재고 있음3,222

DMN3055LFDB-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2 N-CH 5A UDFN2020-6

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.3nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 458pF @ 15V
전력-최대: -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-UDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: U-DFN2020-6 (Type B)

재고 있음8,640

DMN3060LVT-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET BVDSS: 25V-30V TSOT26

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: *
FET 유형: -
FET 기능: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음3,474

DMN3061SVT-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET BVDSS: 25V-30V TSOT26

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: *
FET 유형: -
FET 기능: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음6,534

DMN3135LVT-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 3.5A TSOT26

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.1nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 305pF @ 15V
전력-최대: 840mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
공급자 장치 패키지: TSOT-26

재고 있음505,338

DMN3190LDW-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 1.3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.8V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 87pF @ 20V
전력-최대: 320mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: SOT-363

재고 있음614,670

DMN3190LDW-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 1.3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.8V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 87pF @ 20V
전력-최대: 320mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: SOT-363

재고 있음2,934,090

DMN3270UVT-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET BVDSS: 25V-30V TSOT26 T&R

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: Automotive, AEC-Q101
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.6A (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 650mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 900mV @ 40µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.07nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 161pF @ 15V
전력-최대: 760mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
공급자 장치 패키지: TSOT-26

재고 있음8,676

DMN3270UVT-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET BVDSS: 25V-30V TSOT26 T&R

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: Automotive, AEC-Q101
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.6A (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 650mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 900mV @ 40µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.07nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 161pF @ 15V
전력-최대: 760mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
공급자 장치 패키지: TSOT-26

재고 있음7,992

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