트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
DMN601DWKQ-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N-CHAN 41V 60V SOT363 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: Automotive, AEC-Q101 FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 305mA (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.304nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 50pF @ 25V 전력-최대: 200mW 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: SOT-363	재고 있음43,566
DMN601VK-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT-563 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 305mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 50pF @ 25V 전력-최대: 250mW 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지: SOT-563	재고 있음23,880
DMN601VKQ-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT563 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 305mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 50pF @ 25V 전력-최대: 250mW 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지: SOT-563	재고 있음5,058
DMN6022SSD-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET BVDSS: 41V 60V SO-8 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: Automotive, AEC-Q101 FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A (Ta), 14A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 32nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2110pF @ 30V 전력-최대: 1.2W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음4,734
DMN6022SSS-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET BVDSS: 41V-60V SO-8 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: * FET 유형: - FET 기능: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,060
DMN6040SSD-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 60V 5A 8SO 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22.4nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1287pF @ 25V 전력-최대: 1.3W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음743,190
DMN6040SSDQ-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N-CH 60V 5.0A SO-8 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22.4nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1287pF @ 25V 전력-최대: 1.3W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음23,232
DMN6066SSD-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 60V 3.3A 8SO 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.3A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 4.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10.3nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 502pF @ 30V 전력-최대: 1.8W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음200,604
DMN6070SSD-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 60V 3.3A 8-SO 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.3A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12.3nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 588pF @ 30V 전력-최대: 1.2W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음120,936
DMN61D8LVT-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 630mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 150mA, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.74nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 12.9pF @ 12V 전력-최대: 820mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 공급자 장치 패키지: TSOT-26	재고 있음4,050
DMN61D8LVT-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 630mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 150mA, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.74nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 12.9pF @ 12V 전력-최대: 820mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 공급자 장치 패키지: TSOT-26	재고 있음55,770
DMN61D8LVTQ-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 630mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 150mA, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.74nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 12.9pF @ 12V 전력-최대: 820mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 공급자 장치 패키지: TSOT-26	재고 있음3,438
DMN61D8LVTQ-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 630mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 150mA, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.74nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 12.9pF @ 12V 전력-최대: 820mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 공급자 장치 패키지: TSOT-26	재고 있음118
DMN61D9UDW-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT363 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 350mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.4nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 28.5pF @ 30V 전력-최대: 320mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: SOT-363	재고 있음5,598
DMN61D9UDW-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 60V 0.35A 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 350mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.4nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 28.5pF @ 30V 전력-최대: 320mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: SOT-363	재고 있음817,104
DMN62D0UDW-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT363 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 350mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.5nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 32pF @ 30V 전력-최대: 320mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: SOT-363	재고 있음4,266
DMN62D0UDW-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 60V 0.35A 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 350mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.5nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 32pF @ 30V 전력-최대: 320mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: SOT-363	재고 있음150,498
DMN62D0UT-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT523 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: * FET 유형: - FET 기능: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: - 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: SOT-363	재고 있음4,212
DMN62D0UT-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT523 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: * FET 유형: - FET 기능: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: - 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: SOT-363	재고 있음4,932
DMN63D0LT-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N-CH 100V SOT523 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: - FET 기능: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음25,554
DMN63D1LDW-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 60V 0.25A SOT363 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 250mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.3nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 30pF @ 25V 전력-최대: 310mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23	재고 있음6,966
DMN63D1LDW-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 60V 0.25A SOT363 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 250mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.3nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 30pF @ 25V 전력-최대: 310mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23	재고 있음3,598
DMN63D1LV-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2 N-CH 60V 550MA SOT563 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 550mA (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.392nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 30pF @ 25V 전력-최대: 940mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지: SOT-563	재고 있음6,318
DMN63D1LV-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2 N-CH 60V 550MA SOT563 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 550mA (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.392nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 30pF @ 25V 전력-최대: 940mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지: SOT-563	재고 있음7,560
DMN63D8LDW-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 220mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 250mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 870nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 22pF @ 25V 전력-최대: 300mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: SOT-363	재고 있음2,790
DMN63D8LDW-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 220mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 250mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 870nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 22pF @ 25V 전력-최대: 300mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: SOT-363	재고 있음2,680,914
DMN63D8LDWQ-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 220mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 250mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.87nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 22pF @ 25V 전력-최대: 300mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: SOT-363	재고 있음28,116
DMN63D8LV-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 0.26A SOT563 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 260mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 250mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.87nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 22pF @ 25V 전력-최대: 450mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지: SOT-563	재고 있음582,486
DMN65D8LDW-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 60V 0.18A SOT363 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 180mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 115mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.87nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 22pF @ 25V 전력-최대: 300mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: SOT-363	재고 있음1,614,312
DMN65D8LDWQ-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 60V 180MA SOT363 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: * FET 유형: - FET 기능: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음7,146

DMN601DWKQ-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N-CHAN 41V 60V SOT363

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: Automotive, AEC-Q101
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 305mA (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.304nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 50pF @ 25V
전력-최대: 200mW
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: SOT-363

재고 있음43,566

DMN601VK-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT-563

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 305mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 50pF @ 25V
전력-최대: 250mW
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지: SOT-563

재고 있음23,880

DMN601VKQ-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT563

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 305mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 50pF @ 25V
전력-최대: 250mW
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지: SOT-563

재고 있음5,058

DMN6022SSD-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET BVDSS: 41V 60V SO-8

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: Automotive, AEC-Q101
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A (Ta), 14A (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 32nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2110pF @ 30V
전력-최대: 1.2W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SO

재고 있음4,734

DMN6022SSS-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET BVDSS: 41V-60V SO-8

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: *
FET 유형: -
FET 기능: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음3,060

DMN6040SSD-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 60V 5A 8SO

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22.4nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1287pF @ 25V
전력-최대: 1.3W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SO

재고 있음743,190

DMN6040SSDQ-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N-CH 60V 5.0A SO-8

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22.4nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1287pF @ 25V
전력-최대: 1.3W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SO

재고 있음23,232

DMN6066SSD-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 60V 3.3A 8SO

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.3A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10.3nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 502pF @ 30V
전력-최대: 1.8W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SO

재고 있음200,604

DMN6070SSD-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 60V 3.3A 8-SO

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.3A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12.3nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 588pF @ 30V
전력-최대: 1.2W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SO

재고 있음120,936

DMN61D8LVT-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 630mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 150mA, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.74nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 12.9pF @ 12V
전력-최대: 820mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
공급자 장치 패키지: TSOT-26

재고 있음4,050

DMN61D8LVT-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 630mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 150mA, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.74nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 12.9pF @ 12V
전력-최대: 820mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
공급자 장치 패키지: TSOT-26

재고 있음55,770

DMN61D8LVTQ-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 630mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 150mA, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.74nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 12.9pF @ 12V
전력-최대: 820mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
공급자 장치 패키지: TSOT-26

재고 있음3,438

DMN61D8LVTQ-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 630mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 150mA, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.74nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 12.9pF @ 12V
전력-최대: 820mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
공급자 장치 패키지: TSOT-26

재고 있음118

DMN61D9UDW-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT363

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 350mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.4nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 28.5pF @ 30V
전력-최대: 320mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: SOT-363

재고 있음5,598

DMN61D9UDW-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 60V 0.35A

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 350mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.4nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 28.5pF @ 30V
전력-최대: 320mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: SOT-363

재고 있음817,104

DMN62D0UDW-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT363

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 350mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.5nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 32pF @ 30V
전력-최대: 320mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: SOT-363

재고 있음4,266

DMN62D0UDW-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 60V 0.35A

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 350mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.5nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 32pF @ 30V
전력-최대: 320mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: SOT-363

재고 있음150,498

DMN62D0UT-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT523

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: *
FET 유형: -
FET 기능: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: -
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: SOT-363

재고 있음4,212

DMN62D0UT-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT523

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: *
FET 유형: -
FET 기능: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: -
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: SOT-363

재고 있음4,932

DMN63D0LT-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N-CH 100V SOT523

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: -
FET 기능: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음25,554

DMN63D1LDW-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 60V 0.25A SOT363

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 250mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.3nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 30pF @ 25V
전력-최대: 310mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23

재고 있음6,966

DMN63D1LDW-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 60V 0.25A SOT363

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 250mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.3nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 30pF @ 25V
전력-최대: 310mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23

재고 있음3,598

DMN63D1LV-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2 N-CH 60V 550MA SOT563

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 550mA (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.392nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 30pF @ 25V
전력-최대: 940mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지: SOT-563

재고 있음6,318

DMN63D1LV-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2 N-CH 60V 550MA SOT563

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 550mA (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.392nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 30pF @ 25V
전력-최대: 940mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지: SOT-563

재고 있음7,560

DMN63D8LDW-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 220mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 250mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 870nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 22pF @ 25V
전력-최대: 300mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: SOT-363

재고 있음2,790

DMN63D8LDW-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 220mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 250mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 870nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 22pF @ 25V
전력-최대: 300mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: SOT-363

재고 있음2,680,914

DMN63D8LDWQ-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 220mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 250mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.87nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 22pF @ 25V
전력-최대: 300mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: SOT-363

재고 있음28,116

DMN63D8LV-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 0.26A SOT563

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 260mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 250mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.87nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 22pF @ 25V
전력-최대: 450mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지: SOT-563

재고 있음582,486

DMN65D8LDW-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 60V 0.18A SOT363

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 180mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 115mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.87nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 22pF @ 25V
전력-최대: 300mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: SOT-363

재고 있음1,614,312

DMN65D8LDWQ-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 60V 180MA SOT363

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: *
FET 유형: -
FET 기능: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음7,146

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