트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
DMN65D8LDWQ-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 60V 180MA SOT363 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: * FET 유형: - FET 기능: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음4,086
DMN66D0LDW-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SOT-363 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: Automotive, AEC-Q101 FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 115mA (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 115mA, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 23pF @ 25V 전력-최대: 250mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: SOT-363	재고 있음3,474
DMN67D8LDW-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 230mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.82nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 22pF @ 25V 전력-최대: 320mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: SOT-363	재고 있음2,196
DMN67D8LDW-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 230mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.82nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 22pF @ 25V 전력-최대: 320mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: SOT-363	재고 있음2,160
DMNH4015SSD-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2 N-CHANNEL 11A 8SO 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1938pF @ 15V 전력-최대: - 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음8,820
DMNH4015SSDQ-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET ARRAY N-CH 40V 8.6A 8SOIC 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8.6A (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 33nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1938pF @ 15V 전력-최대: 1.4W, 2W 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음5,148
DMNH4026SSD-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2 N-CHANNEL 7.5A 8SO 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.5A (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.8nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1060pF @ 20V 전력-최대: - 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음4,410
DMNH4026SSDQ-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2 N-CHANNEL 7.5A 8SO 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.5A (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.8nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1060pF @ 20V 전력-최대: - 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음3,276
DMNH6021SPD-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2NCH 60V 8.2A POWERDI 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: Automotive, AEC-Q101 FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8.2A, 32A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20.1nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1143pF @ 25V 전력-최대: 1.5W 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN 공급자 장치 패키지: PowerDI5060-8	재고 있음3,366
DMNH6021SPDQ-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2NCH 60V 8.2A POWERDI 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: Automotive, AEC-Q101 FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8.2A, 32A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20.1nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1143pF @ 25V 전력-최대: 1.5W 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN 공급자 장치 패키지: PowerDI5060-8	재고 있음6,084
DMNH6021SPDW-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET BVDSS: 41V-60V POWERDI506 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: * FET 유형: - FET 기능: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,168
DMNH6021SPDWQ-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET BVDSS: 41V-60V POWERDI506 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: * FET 유형: - FET 기능: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음6,138
DMNH6022SSD-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2NCH 60V 7.1A 8SO 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: Automotive, AEC-Q101 FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.1A, 22.6A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 32nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2127pF @ 25V 전력-최대: 1.5W 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음8,838
DMNH6022SSDQ-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2NCH 60V 7.1A 8SO 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: Automotive, AEC-Q101 FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.1A, 22.6A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 32nC @ 30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2127pF @ 25V 전력-최대: 1.5W 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음8,928
DMNH6035SPDW-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET BVDSS: 41V-60V POWERDI506 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: * FET 유형: - FET 기능: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음8,370
DMNH6035SPDWQ-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET BVDSS: 41V-60V POWERDI506 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: * FET 유형: - FET 기능: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음2,556
DMNH6042SSD-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2 N-CH 60V 16.7A 8SO 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: Automotive, AEC-Q101 FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16.7A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5.1A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.2nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 584pF @ 25V 전력-최대: 2.1W 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음7,398
DMNH6042SSDQ-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2 N-CH 60V 16.7A 8SO 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: Automotive, AEC-Q101 FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16.7A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5.1A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.2nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 584pF @ 25V 전력-최대: 2.1W 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음19,212
DMNH6065SPDW-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET BVDSS: 41V-60V POWERDI506 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: * FET 유형: - FET 기능: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음2,502
DMNH6065SPDWQ-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET BVDSS: 41V-60V POWERDI506 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: * FET 유형: - FET 기능: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음5,022
DMP1046UFDB-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 12V 3.8A 6UDFN 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.8A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 3.6A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17.9nC @ 8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 915pF @ 6V 전력-최대: 1.4W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-UDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: U-DFN2020-6 (Type B)	재고 있음4,464
DMP1046UFDB-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 12V 3.8A 6UDFN 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.8A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 3.6A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17.9nC @ 8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 915pF @ 6V 전력-최대: 1.4W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-UDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: U-DFN2020-6 (Type B)	재고 있음315,966
DMP1055UFDB-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2PCH 12V 3.9A UDFN2020 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: Automotive, AEC-Q101 FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.9A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 3.6A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20.8nC @ 8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1028pF @ 6V 전력-최대: 1.36W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-UDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: U-DFN2020-6 (Type B)	재고 있음7,200
DMP2004DMK-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 20V 0.55A SOT-26 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 550mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 430mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 175pF @ 16V 전력-최대: 500mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-23-6 공급자 장치 패키지: SOT-26	재고 있음7,848
DMP2004DWK-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 20V 0.43A SOT-363 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 430mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 430mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 175pF @ 16V 전력-최대: 250mW 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: SOT-363	재고 있음7,398
DMP2004VK-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 20V 0.53A SOT-563 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 530mA Rds On (최대) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 430mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 175pF @ 16V 전력-최대: 400mW 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지: SOT-563	재고 있음353,472
DMP2035UTS-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 20V 6.04A 8TSSOP 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: 2 P-Channel (Dual) Common Drain FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.04A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15.4nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1610pF @ 10V 전력-최대: 890mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-TSSOP	재고 있음8,712
DMP2040USD-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET BVDSS: 8V-24V SO-8 T&R 2. 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.5A (Ta), 12A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 8.9A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 19nC @ 8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 834pF @ 10V 전력-최대: 1.1W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음2,826
DMP2060UFDB-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 20V 3.2A 6UDFN 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.2A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.9A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18nC @ 8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 881pF @ 10V 전력-최대: 1.4W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-UDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: U-DFN2020-6 (Type B)	재고 있음7,758
DMP2060UFDB-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 20V 3.2A 6UDFN 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.2A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.9A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18nC @ 8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 881pF @ 10V 전력-최대: 1.4W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-UDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: U-DFN2020-6 (Type B)	재고 있음4,050

DMN65D8LDWQ-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 60V 180MA SOT363

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: *
FET 유형: -
FET 기능: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음4,086

DMN66D0LDW-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SOT-363

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: Automotive, AEC-Q101
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 115mA (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 115mA, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 23pF @ 25V
전력-최대: 250mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: SOT-363

재고 있음3,474

DMN67D8LDW-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 230mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.82nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 22pF @ 25V
전력-최대: 320mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: SOT-363

재고 있음2,196

DMN67D8LDW-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 230mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.82nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 22pF @ 25V
전력-최대: 320mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: SOT-363

재고 있음2,160

DMNH4015SSD-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2 N-CHANNEL 11A 8SO

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1938pF @ 15V
전력-최대: -
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SO

재고 있음8,820

DMNH4015SSDQ-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET ARRAY N-CH 40V 8.6A 8SOIC

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8.6A (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 33nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1938pF @ 15V
전력-최대: 1.4W, 2W
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SO

재고 있음5,148

DMNH4026SSD-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2 N-CHANNEL 7.5A 8SO

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.5A (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.8nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1060pF @ 20V
전력-최대: -
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SO

재고 있음4,410

DMNH4026SSDQ-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2 N-CHANNEL 7.5A 8SO

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.5A (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.8nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1060pF @ 20V
전력-최대: -
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SO

재고 있음3,276

DMNH6021SPD-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2NCH 60V 8.2A POWERDI

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: Automotive, AEC-Q101
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8.2A, 32A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20.1nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1143pF @ 25V
전력-최대: 1.5W
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
공급자 장치 패키지: PowerDI5060-8

재고 있음3,366

DMNH6021SPDQ-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2NCH 60V 8.2A POWERDI

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: Automotive, AEC-Q101
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8.2A, 32A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20.1nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1143pF @ 25V
전력-최대: 1.5W
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
공급자 장치 패키지: PowerDI5060-8

재고 있음6,084

DMNH6021SPDW-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET BVDSS: 41V-60V POWERDI506

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: *
FET 유형: -
FET 기능: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음3,168

DMNH6021SPDWQ-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET BVDSS: 41V-60V POWERDI506

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: *
FET 유형: -
FET 기능: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음6,138

DMNH6022SSD-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2NCH 60V 7.1A 8SO

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: Automotive, AEC-Q101
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.1A, 22.6A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 32nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2127pF @ 25V
전력-최대: 1.5W
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SO

재고 있음8,838

DMNH6022SSDQ-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2NCH 60V 7.1A 8SO

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: Automotive, AEC-Q101
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.1A, 22.6A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 32nC @ 30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2127pF @ 25V
전력-최대: 1.5W
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SO

재고 있음8,928

DMNH6035SPDW-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET BVDSS: 41V-60V POWERDI506

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: *
FET 유형: -
FET 기능: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음8,370

DMNH6035SPDWQ-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET BVDSS: 41V-60V POWERDI506

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: *
FET 유형: -
FET 기능: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음2,556

DMNH6042SSD-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2 N-CH 60V 16.7A 8SO

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: Automotive, AEC-Q101
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16.7A (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5.1A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.2nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 584pF @ 25V
전력-최대: 2.1W
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SO

재고 있음7,398

DMNH6042SSDQ-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2 N-CH 60V 16.7A 8SO

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: Automotive, AEC-Q101
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16.7A (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5.1A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.2nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 584pF @ 25V
전력-최대: 2.1W
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SO

재고 있음19,212

DMNH6065SPDW-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET BVDSS: 41V-60V POWERDI506

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: *
FET 유형: -
FET 기능: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음2,502

DMNH6065SPDWQ-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET BVDSS: 41V-60V POWERDI506

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: *
FET 유형: -
FET 기능: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음5,022

DMP1046UFDB-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 12V 3.8A 6UDFN

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 12V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.8A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 3.6A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17.9nC @ 8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 915pF @ 6V
전력-최대: 1.4W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-UDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: U-DFN2020-6 (Type B)

재고 있음4,464

DMP1046UFDB-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 12V 3.8A 6UDFN

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 12V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.8A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 3.6A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17.9nC @ 8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 915pF @ 6V
전력-최대: 1.4W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-UDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: U-DFN2020-6 (Type B)

재고 있음315,966

DMP1055UFDB-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2PCH 12V 3.9A UDFN2020

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: Automotive, AEC-Q101
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 12V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.9A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 3.6A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20.8nC @ 8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1028pF @ 6V
전력-최대: 1.36W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-UDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: U-DFN2020-6 (Type B)

재고 있음7,200

DMP2004DMK-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 20V 0.55A SOT-26

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 550mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 430mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 175pF @ 16V
전력-최대: 500mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-23-6
공급자 장치 패키지: SOT-26

재고 있음7,848

DMP2004DWK-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 20V 0.43A SOT-363

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 430mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 430mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 175pF @ 16V
전력-최대: 250mW
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: SOT-363

재고 있음7,398

DMP2004VK-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 20V 0.53A SOT-563

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 530mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 430mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 175pF @ 16V
전력-최대: 400mW
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지: SOT-563

재고 있음353,472

DMP2035UTS-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 20V 6.04A 8TSSOP

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: 2 P-Channel (Dual) Common Drain
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.04A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15.4nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1610pF @ 10V
전력-최대: 890mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-TSSOP

재고 있음8,712

DMP2040USD-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET BVDSS: 8V-24V SO-8 T&R 2.

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.5A (Ta), 12A (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 8.9A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 19nC @ 8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 834pF @ 10V
전력-최대: 1.1W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SO

재고 있음2,826

DMP2060UFDB-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 20V 3.2A 6UDFN

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.2A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.9A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18nC @ 8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 881pF @ 10V
전력-최대: 1.4W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-UDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: U-DFN2020-6 (Type B)

재고 있음7,758

DMP2060UFDB-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 20V 3.2A 6UDFN

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.2A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.9A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18nC @ 8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 881pF @ 10V
전력-최대: 1.4W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-UDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: U-DFN2020-6 (Type B)

재고 있음4,050

Send Message

Certifications

자원

지원

Social Media

Need Help?
Send Message