트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
SI5511DC-T1-E3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A, 3.6A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.8A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.1nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 435pF @ 15V 전력-최대: 3.1W, 2.6W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead 공급자 장치 패키지: 1206-8 ChipFET™	재고 있음4,392
SI5511DC-T1-GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A, 3.6A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.8A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.1nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 435pF @ 15V 전력-최대: 3.1W, 2.6W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead 공급자 장치 패키지: 1206-8 ChipFET™	재고 있음7,110
SI5513CDC-T1-E3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A, 3.7A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.3A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.2nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 285pF @ 10V 전력-최대: 3.1W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead 공급자 장치 패키지: 1206-8 ChipFET™	재고 있음58,914
SI5513CDC-T1-GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A, 3.7A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.4A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.2nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 285pF @ 10V 전력-최대: 3.1W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead 공급자 장치 패키지: 1206-8 ChipFET™	재고 있음78,486
SI5513DC-T1-E3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 20V 3.1A 1206-8 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.1A, 2.1A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3.1A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: 1.1W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead 공급자 장치 패키지: 1206-8 ChipFET™	재고 있음4,266
SI5513DC-T1-GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 20V 3.1A 1206-8 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.1A, 2.1A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3.1A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: 1.1W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead 공급자 장치 패키지: 1206-8 ChipFET™	재고 있음3,906
SI5515CDC-T1-E3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 6A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 800mV @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11.3nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 632pF @ 10V 전력-최대: 3.1W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead 공급자 장치 패키지: 1206-8 ChipFET™	재고 있음28,212
SI5515CDC-T1-GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 6A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 800mV @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11.3nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 632pF @ 10V 전력-최대: 3.1W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead 공급자 장치 패키지: 1206-8 ChipFET™	재고 있음3,294
SI5515DC-T1-E3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 20V 4.4A 1206-8 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.4A, 3A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.4A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.5nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: 1.1W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead 공급자 장치 패키지: 1206-8 ChipFET™	재고 있음2,484
SI5515DC-T1-GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 20V 4.4A 1206-8 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.4A, 3A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.4A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.5nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: 1.1W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead 공급자 장치 패키지: 1206-8 ChipFET™	재고 있음8,190
SI5517DU-T1-E3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFET 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4.4A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 16nC @ 8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 520pF @ 10V 전력-최대: 8.3W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: PowerPAK® ChipFET™ Dual 공급자 장치 패키지: PowerPAK® ChipFet Dual	재고 있음4,104
SI5517DU-T1-GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFET 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4.4A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 16nC @ 8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 520pF @ 10V 전력-최대: 8.3W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: PowerPAK® ChipFET™ Dual 공급자 장치 패키지: PowerPAK® ChipFet Dual	재고 있음5,058
SI5519DU-T1-GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFETs 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: N and P-Channel FET 기능: Standard 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 6.1A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.8V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17.5nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 660pF @ 10V 전력-최대: 10.4W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: PowerPAK® ChipFET™ Dual 공급자 장치 패키지: PowerPAK® ChipFet Dual	재고 있음7,254
SI5902BDC-T1-E3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 4A 1206-8 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.1A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 220pF @ 15V 전력-최대: 3.12W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead 공급자 장치 패키지: 1206-8 ChipFET™	재고 있음4,824
SI5902BDC-T1-GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 4A 1206-8 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.1A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 220pF @ 15V 전력-최대: 3.12W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead 공급자 장치 패키지: 1206-8 ChipFET™	재고 있음73,842
SI5902DC-T1-E3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 2.9A 1206-8 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.9A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 2.9A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA (Min) 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.5nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: 1.1W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead 공급자 장치 패키지: 1206-8 ChipFET™	재고 있음8,694
SI5903DC-T1-E3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 20V 2.1A 1206-8 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.1A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 2.1A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 600mV @ 250µA (Min) 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: 1.1W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead 공급자 장치 패키지: 1206-8 ChipFET™	재고 있음2,790
SI5903DC-T1-GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 20V 2.1A 1206-8 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.1A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 2.1A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 600mV @ 250µA (Min) 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: 1.1W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead 공급자 장치 패키지: 1206-8 ChipFET™	재고 있음2,340
SI5904DC-T1-E3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 20V 3.1A 1206-8 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.1A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3.1A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: 1.1W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead 공급자 장치 패키지: 1206-8 ChipFET™	재고 있음6,984
SI5904DC-T1-GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 20V 3.1A 1206-8 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.1A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3.1A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: 1.1W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead 공급자 장치 패키지: 1206-8 ChipFET™	재고 있음5,274
SI5905BDC-T1-E3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 8V 4A 1206-8 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 8V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.3A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11nC @ 8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 350pF @ 4V 전력-최대: 3.1W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead 공급자 장치 패키지: 1206-8 ChipFET™	재고 있음3,960
SI5905BDC-T1-GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 8V 4A 1206-8 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 8V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.3A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11nC @ 8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 350pF @ 4V 전력-최대: 3.1W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead 공급자 장치 패키지: 1206-8 ChipFET™	재고 있음2,376
SI5905DC-T1-E3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 8V 3A 1206-8 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 8V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 450mV @ 250µA (Min) 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: 1.1W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead 공급자 장치 패키지: 1206-8 ChipFET™	재고 있음3,258
SI5905DC-T1-GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 8V 3A 1206-8 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 8V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 450mV @ 250µA (Min) 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: 1.1W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead 공급자 장치 패키지: 1206-8 ChipFET™	재고 있음8,784
SI5906DU-T1-GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 30V 6A PPAK FET 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 4.8A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.6nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 300pF @ 15V 전력-최대: 10.4W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: PowerPAK® ChipFET™ Dual 공급자 장치 패키지: PowerPAK® ChipFet Dual	재고 있음4,464
SI5908DC-T1-E3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 20V 4.4A 1206-8 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.4A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.4A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.5nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: 1.1W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead 공급자 장치 패키지: 1206-8 ChipFET™	재고 있음143,424
SI5908DC-T1-GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2N-CH 20V 4.4A 1206-8 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: 2 N-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.4A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.4A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.5nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: 1.1W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead 공급자 장치 패키지: 1206-8 ChipFET™	재고 있음3,294
SI5915BDC-T1-E3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 8V 4A 1206-8 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 8V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3.3A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14nC @ 8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 420pF @ 4V 전력-최대: 3.1W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead 공급자 장치 패키지: 1206-8 ChipFET™	재고 있음4,068
SI5915BDC-T1-GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 8V 4A 1206-8 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 8V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3.3A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14nC @ 8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 420pF @ 4V 전력-최대: 3.1W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead 공급자 장치 패키지: 1206-8 ChipFET™	재고 있음8,640
SI5915DC-T1-E3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 MOSFET 2P-CH 8V 3.4A 1206-8 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: 2 P-Channel (Dual) FET 기능: Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss): 8V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.4A Rds On (최대) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3.4A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 450mV @ 250µA (Min) 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 전력-최대: 1.1W 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead 공급자 장치 패키지: 1206-8 ChipFET™	재고 있음5,112

SI5511DC-T1-E3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A, 3.6A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.8A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.1nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 435pF @ 15V
전력-최대: 3.1W, 2.6W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead
공급자 장치 패키지: 1206-8 ChipFET™

재고 있음4,392

SI5511DC-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A, 3.6A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.8A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.1nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 435pF @ 15V
전력-최대: 3.1W, 2.6W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead
공급자 장치 패키지: 1206-8 ChipFET™

재고 있음7,110

SI5513CDC-T1-E3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A, 3.7A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.3A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.2nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 285pF @ 10V
전력-최대: 3.1W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead
공급자 장치 패키지: 1206-8 ChipFET™

재고 있음58,914

SI5513CDC-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A, 3.7A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.4A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.2nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 285pF @ 10V
전력-최대: 3.1W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead
공급자 장치 패키지: 1206-8 ChipFET™

재고 있음78,486

SI5513DC-T1-E3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 20V 3.1A 1206-8

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.1A, 2.1A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3.1A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: 1.1W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead
공급자 장치 패키지: 1206-8 ChipFET™

재고 있음4,266

SI5513DC-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 20V 3.1A 1206-8

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.1A, 2.1A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3.1A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: 1.1W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead
공급자 장치 패키지: 1206-8 ChipFET™

재고 있음3,906

SI5515CDC-T1-E3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 800mV @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11.3nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 632pF @ 10V
전력-최대: 3.1W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead
공급자 장치 패키지: 1206-8 ChipFET™

재고 있음28,212

SI5515CDC-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 800mV @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11.3nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 632pF @ 10V
전력-최대: 3.1W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead
공급자 장치 패키지: 1206-8 ChipFET™

재고 있음3,294

SI5515DC-T1-E3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 20V 4.4A 1206-8

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.4A, 3A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.4A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.5nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: 1.1W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead
공급자 장치 패키지: 1206-8 ChipFET™

재고 있음2,484

SI5515DC-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 20V 4.4A 1206-8

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.4A, 3A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.4A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.5nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: 1.1W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead
공급자 장치 패키지: 1206-8 ChipFET™

재고 있음8,190

SI5517DU-T1-E3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFET

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4.4A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 16nC @ 8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 520pF @ 10V
전력-최대: 8.3W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: PowerPAK® ChipFET™ Dual
공급자 장치 패키지: PowerPAK® ChipFet Dual

재고 있음4,104

SI5517DU-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFET

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4.4A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 16nC @ 8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 520pF @ 10V
전력-최대: 8.3W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: PowerPAK® ChipFET™ Dual
공급자 장치 패키지: PowerPAK® ChipFet Dual

재고 있음5,058

SI5519DU-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFETs

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: N and P-Channel
FET 기능: Standard
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 6.1A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.8V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17.5nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 660pF @ 10V
전력-최대: 10.4W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: PowerPAK® ChipFET™ Dual
공급자 장치 패키지: PowerPAK® ChipFet Dual

재고 있음7,254

SI5902BDC-T1-E3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 4A 1206-8

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 220pF @ 15V
전력-최대: 3.12W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead
공급자 장치 패키지: 1206-8 ChipFET™

재고 있음4,824

SI5902BDC-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 4A 1206-8

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 220pF @ 15V
전력-최대: 3.12W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead
공급자 장치 패키지: 1206-8 ChipFET™

재고 있음73,842

SI5902DC-T1-E3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 2.9A 1206-8

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.9A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 2.9A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.5nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: 1.1W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead
공급자 장치 패키지: 1206-8 ChipFET™

재고 있음8,694

SI5903DC-T1-E3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 20V 2.1A 1206-8

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.1A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 2.1A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 600mV @ 250µA (Min)
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: 1.1W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead
공급자 장치 패키지: 1206-8 ChipFET™

재고 있음2,790

SI5903DC-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 20V 2.1A 1206-8

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.1A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 2.1A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 600mV @ 250µA (Min)
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: 1.1W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead
공급자 장치 패키지: 1206-8 ChipFET™

재고 있음2,340

SI5904DC-T1-E3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 20V 3.1A 1206-8

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.1A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3.1A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: 1.1W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead
공급자 장치 패키지: 1206-8 ChipFET™

재고 있음6,984

SI5904DC-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 20V 3.1A 1206-8

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.1A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3.1A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: 1.1W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead
공급자 장치 패키지: 1206-8 ChipFET™

재고 있음5,274

SI5905BDC-T1-E3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 8V 4A 1206-8

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 8V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.3A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11nC @ 8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 350pF @ 4V
전력-최대: 3.1W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead
공급자 장치 패키지: 1206-8 ChipFET™

재고 있음3,960

SI5905BDC-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 8V 4A 1206-8

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 8V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.3A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11nC @ 8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 350pF @ 4V
전력-최대: 3.1W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead
공급자 장치 패키지: 1206-8 ChipFET™

재고 있음2,376

SI5905DC-T1-E3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 8V 3A 1206-8

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 8V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 450mV @ 250µA (Min)
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: 1.1W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead
공급자 장치 패키지: 1206-8 ChipFET™

재고 있음3,258

SI5905DC-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 8V 3A 1206-8

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 8V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 450mV @ 250µA (Min)
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: 1.1W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead
공급자 장치 패키지: 1206-8 ChipFET™

재고 있음8,784

SI5906DU-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 30V 6A PPAK FET

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 4.8A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.6nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 300pF @ 15V
전력-최대: 10.4W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: PowerPAK® ChipFET™ Dual
공급자 장치 패키지: PowerPAK® ChipFet Dual

재고 있음4,464

SI5908DC-T1-E3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 20V 4.4A 1206-8

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.4A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.4A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.5nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: 1.1W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead
공급자 장치 패키지: 1206-8 ChipFET™

재고 있음143,424

SI5908DC-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2N-CH 20V 4.4A 1206-8

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.4A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.4A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.5nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: 1.1W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead
공급자 장치 패키지: 1206-8 ChipFET™

재고 있음3,294

SI5915BDC-T1-E3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 8V 4A 1206-8

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 8V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3.3A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14nC @ 8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 420pF @ 4V
전력-최대: 3.1W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead
공급자 장치 패키지: 1206-8 ChipFET™

재고 있음4,068

SI5915BDC-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 8V 4A 1206-8

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 8V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3.3A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14nC @ 8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 420pF @ 4V
전력-최대: 3.1W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead
공급자 장치 패키지: 1206-8 ChipFET™

재고 있음8,640

SI5915DC-T1-E3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

MOSFET 2P-CH 8V 3.4A 1206-8

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: 2 P-Channel (Dual)
FET 기능: Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss): 8V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.4A
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3.4A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 450mV @ 250µA (Min)
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
전력-최대: 1.1W
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead
공급자 장치 패키지: 1206-8 ChipFET™

재고 있음5,112

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