트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
ATF-55143-BLKG Broadcom	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 5V 2GHZ SOT-343 제조업체: Broadcom Limited 시리즈: - 트랜지스터 유형: E-pHEMT 주파수: 2GHz 이득: 17.7dB 전압-테스트: 2.7V 전류 정격 (Amps): 100mA 소음 수치: 0.6dB 현재-테스트: 10mA 전원-출력: 14.4dBm 전압-정격: 5V 패키지 / 케이스: SC-82A, SOT-343 공급자 장치 패키지: SOT-343	재고 있음6,588
ATF-55143-TR1 Broadcom	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 5V 2GHZ SOT-343 제조업체: Broadcom Limited 시리즈: - 트랜지스터 유형: E-pHEMT 주파수: 2GHz 이득: 17.7dB 전압-테스트: 2.7V 전류 정격 (Amps): 100mA 소음 수치: 0.6dB 현재-테스트: 10mA 전원-출력: 14.4dBm 전압-정격: 5V 패키지 / 케이스: SC-82A, SOT-343 공급자 장치 패키지: SOT-343	재고 있음62,447
ATF-55143-TR1G Broadcom	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 5V 2GHZ SOT-343 제조업체: Broadcom Limited 시리즈: - 트랜지스터 유형: E-pHEMT 주파수: 2GHz 이득: 17.7dB 전압-테스트: 2.7V 전류 정격 (Amps): 100mA 소음 수치: 0.6dB 현재-테스트: 10mA 전원-출력: 14.4dBm 전압-정격: 5V 패키지 / 케이스: SC-82A, SOT-343 공급자 장치 패키지: SOT-343	재고 있음8,118
ATF-55143-TR2G Broadcom	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 5V 2GHZ SOT-343 제조업체: Broadcom Limited 시리즈: - 트랜지스터 유형: E-pHEMT 주파수: 2GHz 이득: 17.7dB 전압-테스트: 2.7V 전류 정격 (Amps): 100mA 소음 수치: 0.6dB 현재-테스트: 10mA 전원-출력: 14.4dBm 전압-정격: 5V 패키지 / 케이스: SC-82A, SOT-343 공급자 장치 패키지: SOT-343	재고 있음2,880
ATF-551M4-BLK Broadcom	트랜지스터-FET, MOSFET-RF IC PHEMT 2GHZ 2.7V 10MA MINIPAK 제조업체: Broadcom Limited 시리즈: - 트랜지스터 유형: pHEMT FET 주파수: 2GHz 이득: 17.5dB 전압-테스트: 2.7V 전류 정격 (Amps): 100mA 소음 수치: 0.5dB 현재-테스트: 10mA 전원-출력: 14.6dBm 전압-정격: 5V 패키지 / 케이스: 0505 (1412 Metric) 공급자 장치 패키지: MiniPak 1412	재고 있음8,190
ATF-551M4-TR1 Broadcom	트랜지스터-FET, MOSFET-RF IC TRANS E-PHEMT GAAS MINIPAK 제조업체: Broadcom Limited 시리즈: - 트랜지스터 유형: pHEMT FET 주파수: 2GHz 이득: 17.5dB 전압-테스트: 2.7V 전류 정격 (Amps): 100mA 소음 수치: 0.5dB 현재-테스트: 10mA 전원-출력: 14.6dBm 전압-정격: 5V 패키지 / 케이스: 0505 (1412 Metric) 공급자 장치 패키지: MiniPak 1412	재고 있음5,328
ATF-551M4-TR2 Broadcom	트랜지스터-FET, MOSFET-RF IC PHEMT 2GHZ 2.7V 10MA MINIPAK 제조업체: Broadcom Limited 시리즈: - 트랜지스터 유형: pHEMT FET 주파수: 2GHz 이득: 17.5dB 전압-테스트: 2.7V 전류 정격 (Amps): 100mA 소음 수치: 0.5dB 현재-테스트: 10mA 전원-출력: 14.6dBm 전압-정격: 5V 패키지 / 케이스: 0505 (1412 Metric) 공급자 장치 패키지: MiniPak 1412	재고 있음7,236
ATF-58143-BLKG Broadcom	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 5V 2GHZ SOT-343 제조업체: Broadcom Limited 시리즈: - 트랜지스터 유형: pHEMT FET 주파수: 2GHz 이득: 16.5dB 전압-테스트: 3V 전류 정격 (Amps): 100mA 소음 수치: 0.5dB 현재-테스트: 30mA 전원-출력: 19dBm 전압-정격: 5V 패키지 / 케이스: SC-82A, SOT-343 공급자 장치 패키지: SOT-343	재고 있음6,480
ATF-58143-TR1G Broadcom	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 5V 2GHZ SOT-343 제조업체: Broadcom Limited 시리즈: - 트랜지스터 유형: pHEMT FET 주파수: 2GHz 이득: 16.5dB 전압-테스트: 3V 전류 정격 (Amps): 100mA 소음 수치: 0.5dB 현재-테스트: 30mA 전원-출력: 19dBm 전압-정격: 5V 패키지 / 케이스: SC-82A, SOT-343 공급자 장치 패키지: SOT-343	재고 있음3,924
ATF-58143-TR2G Broadcom	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 5V 2GHZ SOT-343 제조업체: Broadcom Limited 시리즈: - 트랜지스터 유형: pHEMT FET 주파수: 2GHz 이득: 16.5dB 전압-테스트: 3V 전류 정격 (Amps): 100mA 소음 수치: 0.5dB 현재-테스트: 30mA 전원-출력: 19dBm 전압-정격: 5V 패키지 / 케이스: SC-82A, SOT-343 공급자 장치 패키지: SOT-343	재고 있음6,786
BF1005E6327HTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-RF MOSFET N-CH 8V 25MA SOT-143 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: N-Channel 주파수: 800MHz 이득: 19dB 전압-테스트: 5V 전류 정격 (Amps): 25mA 소음 수치: 1.6dB 현재-테스트: - 전원-출력: - 전압-정격: 8V 패키지 / 케이스: TO-253-4, TO-253AA 공급자 장치 패키지: PG-SOT143-4	재고 있음8,802
BF1005SE6327HTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-RF MOSFET N-CH 8V 25MA SOT-143 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: N-Channel 주파수: 800MHz 이득: 22dB 전압-테스트: 5V 전류 정격 (Amps): 25mA 소음 수치: 1.6dB 현재-테스트: - 전원-출력: - 전압-정격: 8V 패키지 / 케이스: TO-253-4, TO-253AA 공급자 장치 패키지: PG-SOT143-4	재고 있음3,546
BF1005SE6433XT Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-RF MOSFET N-CH 8V 25MA SOT-143 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: N-Channel 주파수: 800MHz 이득: 22dB 전압-테스트: 5V 전류 정격 (Amps): 25mA 소음 수치: 1.6dB 현재-테스트: - 전원-출력: - 전압-정격: 8V 패키지 / 케이스: TO-253-4, TO-253AA 공급자 장치 패키지: PG-SOT143-4	재고 있음2,232
BF 1005SR E6327 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-RF MOSFET N-CH 8V 25MA SOT-143R 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: N-Channel 주파수: 800MHz 이득: 22dB 전압-테스트: 5V 전류 정격 (Amps): 25mA 소음 수치: 1.6dB 현재-테스트: - 전원-출력: - 전압-정격: 8V 패키지 / 케이스: SOT-143R 공급자 장치 패키지: PG-SOT143R-4	재고 있음5,724
BF1009SE6327HTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-RF MOSFET N-CH 12V 25MA SOT-143 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: N-Channel 주파수: 800MHz 이득: 22dB 전압-테스트: 9V 전류 정격 (Amps): 25mA 소음 수치: 1.4dB 현재-테스트: - 전원-출력: - 전압-정격: 12V 패키지 / 케이스: TO-253-4, TO-253AA 공급자 장치 패키지: PG-SOT143-4	재고 있음6,174
BF1009SRE6327HTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-RF MOSFET N-CH 12V 25MA SOT-143R 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: N-Channel 주파수: 800MHz 이득: 22dB 전압-테스트: 9V 전류 정격 (Amps): 25mA 소음 수치: 1.4dB 현재-테스트: - 전원-출력: - 전압-정격: 12V 패키지 / 케이스: SOT-143R 공급자 장치 패키지: PG-SOT143R-4	재고 있음5,490
BF1100,215 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF MOSFET N-CH 14V 30MA SOT143 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: N-Channel Dual Gate 주파수: 800MHz 이득: - 전압-테스트: 9V 전류 정격 (Amps): 30mA 소음 수치: 2dB 현재-테스트: 10mA 전원-출력: - 전압-정격: 14V 패키지 / 케이스: TO-253-4, TO-253AA 공급자 장치 패키지: SOT-143B	재고 있음3,366
BF1100R,215 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF MOSFET N-CH 14V 30MA SOT143 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: N-Channel Dual Gate 주파수: 800MHz 이득: - 전압-테스트: 9V 전류 정격 (Amps): 30mA 소음 수치: 2dB 현재-테스트: 10mA 전원-출력: - 전압-정격: 14V 패키지 / 케이스: SOT-143R 공급자 장치 패키지: SOT-143R	재고 있음5,976
BF1100R,235 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF MOSFET N-CH 14V 30MA SOT143 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: N-Channel Dual Gate 주파수: 800MHz 이득: - 전압-테스트: 9V 전류 정격 (Amps): 30mA 소음 수치: 2dB 현재-테스트: 10mA 전원-출력: - 전압-정격: 14V 패키지 / 케이스: SOT-143R 공급자 장치 패키지: SOT-143R	재고 있음2,016
BF1100WR,115 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF MOSFET N-CH 14V 30MA SOT343R 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: N-Channel Dual Gate 주파수: 800MHz 이득: - 전압-테스트: 9V 전류 정격 (Amps): 30mA 소음 수치: 2dB 현재-테스트: 10mA 전원-출력: - 전압-정격: 14V 패키지 / 케이스: SC-82A, SOT-343 공급자 장치 패키지: CMPAK-4	재고 있음6,678
BF1101,215 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF MOSFET N-CH 7V 30MA SOT143B 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: N-Channel Dual Gate 주파수: 800MHz 이득: - 전압-테스트: 5V 전류 정격 (Amps): 30mA 소음 수치: 1.7dB 현재-테스트: 12mA 전원-출력: - 전압-정격: 7V 패키지 / 케이스: TO-253-4, TO-253AA 공급자 장치 패키지: SOT-143B	재고 있음4,752
BF1101R,215 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF MOSFET N-CH 7V DUAL SOT143R 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: N-Channel Dual Gate 주파수: 800MHz 이득: - 전압-테스트: 5V 전류 정격 (Amps): 30mA 소음 수치: 1.7dB 현재-테스트: 12mA 전원-출력: - 전압-정격: 7V 패키지 / 케이스: SOT-143R 공급자 장치 패키지: SOT-143R	재고 있음4,842
BF1101WR,115 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF MOSFET N-CH 7V DUAL SOT343R 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: N-Channel Dual Gate 주파수: 800MHz 이득: - 전압-테스트: 5V 전류 정격 (Amps): 30mA 소음 수치: 1.7dB 현재-테스트: 12mA 전원-출력: - 전압-정격: 7V 패키지 / 케이스: SC-82A, SOT-343 공급자 장치 패키지: CMPAK-4	재고 있음3,204
BF1101WR,135 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF MOSFET N-CH 7V DUAL SOT343R 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: N-Channel Dual Gate 주파수: 800MHz 이득: - 전압-테스트: 5V 전류 정격 (Amps): 30mA 소음 수치: 1.7dB 현재-테스트: 12mA 전원-출력: - 전압-정격: 7V 패키지 / 케이스: SC-82A, SOT-343 공급자 장치 패키지: CMPAK-4	재고 있음8,676
BF1102,115 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 7V 800MHZ 6TSSOP 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: N-Channel Dual Gate 주파수: 800MHz 이득: - 전압-테스트: 5V 전류 정격 (Amps): 40mA 소음 수치: 2dB 현재-테스트: 15mA 전원-출력: - 전압-정격: 7V 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: 6-TSSOP	재고 있음6,786
BF1102R,115 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 7V 800MHZ 6TSSOP 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: N-Channel Dual Gate 주파수: 800MHz 이득: - 전압-테스트: 5V 전류 정격 (Amps): 40mA 소음 수치: 2dB 현재-테스트: 15mA 전원-출력: - 전압-정격: 7V 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: 6-TSSOP	재고 있음7,308
BF1102R,135 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 7V 800MHZ 6TSSOP 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: N-Channel Dual Gate 주파수: 800MHz 이득: - 전압-테스트: 5V 전류 정격 (Amps): 40mA 소음 수치: 2dB 현재-테스트: 15mA 전원-출력: - 전압-정격: 7V 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: 6-TSSOP	재고 있음8,730
BF1105,215 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF MOSFET N-CH 7V DUAL SOT143 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: N-Channel Dual Gate 주파수: 800MHz 이득: 20dB 전압-테스트: 5V 전류 정격 (Amps): 30mA 소음 수치: 1.7dB 현재-테스트: - 전원-출력: - 전압-정격: 7V 패키지 / 케이스: TO-253-4, TO-253AA 공급자 장치 패키지: SOT-143B	재고 있음3,996
BF1105R,215 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF MOSFET N-CH 7V 30MA SOT-143R 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: N-Channel Dual Gate 주파수: 800MHz 이득: 20dB 전압-테스트: 5V 전류 정격 (Amps): 30mA 소음 수치: 1.7dB 현재-테스트: - 전원-출력: - 전압-정격: 7V 패키지 / 케이스: SOT-143R 공급자 장치 패키지: SOT-143R	재고 있음52,608
BF1105WR,115 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF MOSFET N-CH 7V DUAL SOT343R 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: N-Channel Dual Gate 주파수: 800MHz 이득: 20dB 전압-테스트: 5V 전류 정격 (Amps): 30mA 소음 수치: 1.7dB 현재-테스트: - 전원-출력: - 전압-정격: 7V 패키지 / 케이스: SC-82A, SOT-343 공급자 장치 패키지: CMPAK-4	재고 있음4,266

ATF-55143-BLKG

Broadcom

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

FET RF 5V 2GHZ SOT-343

제조업체: Broadcom Limited
시리즈: -
트랜지스터 유형: E-pHEMT
주파수: 2GHz
이득: 17.7dB
전압-테스트: 2.7V
전류 정격 (Amps): 100mA
소음 수치: 0.6dB
현재-테스트: 10mA
전원-출력: 14.4dBm
전압-정격: 5V
패키지 / 케이스: SC-82A, SOT-343
공급자 장치 패키지: SOT-343

재고 있음6,588

ATF-55143-TR1

Broadcom

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

FET RF 5V 2GHZ SOT-343

제조업체: Broadcom Limited
시리즈: -
트랜지스터 유형: E-pHEMT
주파수: 2GHz
이득: 17.7dB
전압-테스트: 2.7V
전류 정격 (Amps): 100mA
소음 수치: 0.6dB
현재-테스트: 10mA
전원-출력: 14.4dBm
전압-정격: 5V
패키지 / 케이스: SC-82A, SOT-343
공급자 장치 패키지: SOT-343

재고 있음62,447

ATF-55143-TR1G

Broadcom

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

FET RF 5V 2GHZ SOT-343

제조업체: Broadcom Limited
시리즈: -
트랜지스터 유형: E-pHEMT
주파수: 2GHz
이득: 17.7dB
전압-테스트: 2.7V
전류 정격 (Amps): 100mA
소음 수치: 0.6dB
현재-테스트: 10mA
전원-출력: 14.4dBm
전압-정격: 5V
패키지 / 케이스: SC-82A, SOT-343
공급자 장치 패키지: SOT-343

재고 있음8,118

ATF-55143-TR2G

Broadcom

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

FET RF 5V 2GHZ SOT-343

제조업체: Broadcom Limited
시리즈: -
트랜지스터 유형: E-pHEMT
주파수: 2GHz
이득: 17.7dB
전압-테스트: 2.7V
전류 정격 (Amps): 100mA
소음 수치: 0.6dB
현재-테스트: 10mA
전원-출력: 14.4dBm
전압-정격: 5V
패키지 / 케이스: SC-82A, SOT-343
공급자 장치 패키지: SOT-343

재고 있음2,880

ATF-551M4-BLK

Broadcom

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

IC PHEMT 2GHZ 2.7V 10MA MINIPAK

제조업체: Broadcom Limited
시리즈: -
트랜지스터 유형: pHEMT FET
주파수: 2GHz
이득: 17.5dB
전압-테스트: 2.7V
전류 정격 (Amps): 100mA
소음 수치: 0.5dB
현재-테스트: 10mA
전원-출력: 14.6dBm
전압-정격: 5V
패키지 / 케이스: 0505 (1412 Metric)
공급자 장치 패키지: MiniPak 1412

재고 있음8,190

ATF-551M4-TR1

Broadcom

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

IC TRANS E-PHEMT GAAS MINIPAK

제조업체: Broadcom Limited
시리즈: -
트랜지스터 유형: pHEMT FET
주파수: 2GHz
이득: 17.5dB
전압-테스트: 2.7V
전류 정격 (Amps): 100mA
소음 수치: 0.5dB
현재-테스트: 10mA
전원-출력: 14.6dBm
전압-정격: 5V
패키지 / 케이스: 0505 (1412 Metric)
공급자 장치 패키지: MiniPak 1412

재고 있음5,328

ATF-551M4-TR2

Broadcom

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

IC PHEMT 2GHZ 2.7V 10MA MINIPAK

제조업체: Broadcom Limited
시리즈: -
트랜지스터 유형: pHEMT FET
주파수: 2GHz
이득: 17.5dB
전압-테스트: 2.7V
전류 정격 (Amps): 100mA
소음 수치: 0.5dB
현재-테스트: 10mA
전원-출력: 14.6dBm
전압-정격: 5V
패키지 / 케이스: 0505 (1412 Metric)
공급자 장치 패키지: MiniPak 1412

재고 있음7,236

ATF-58143-BLKG

Broadcom

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

FET RF 5V 2GHZ SOT-343

제조업체: Broadcom Limited
시리즈: -
트랜지스터 유형: pHEMT FET
주파수: 2GHz
이득: 16.5dB
전압-테스트: 3V
전류 정격 (Amps): 100mA
소음 수치: 0.5dB
현재-테스트: 30mA
전원-출력: 19dBm
전압-정격: 5V
패키지 / 케이스: SC-82A, SOT-343
공급자 장치 패키지: SOT-343

재고 있음6,480

ATF-58143-TR1G

Broadcom

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

FET RF 5V 2GHZ SOT-343

제조업체: Broadcom Limited
시리즈: -
트랜지스터 유형: pHEMT FET
주파수: 2GHz
이득: 16.5dB
전압-테스트: 3V
전류 정격 (Amps): 100mA
소음 수치: 0.5dB
현재-테스트: 30mA
전원-출력: 19dBm
전압-정격: 5V
패키지 / 케이스: SC-82A, SOT-343
공급자 장치 패키지: SOT-343

재고 있음3,924

ATF-58143-TR2G

Broadcom

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

FET RF 5V 2GHZ SOT-343

제조업체: Broadcom Limited
시리즈: -
트랜지스터 유형: pHEMT FET
주파수: 2GHz
이득: 16.5dB
전압-테스트: 3V
전류 정격 (Amps): 100mA
소음 수치: 0.5dB
현재-테스트: 30mA
전원-출력: 19dBm
전압-정격: 5V
패키지 / 케이스: SC-82A, SOT-343
공급자 장치 패키지: SOT-343

재고 있음6,786

BF1005E6327HTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

MOSFET N-CH 8V 25MA SOT-143

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: N-Channel
주파수: 800MHz
이득: 19dB
전압-테스트: 5V
전류 정격 (Amps): 25mA
소음 수치: 1.6dB
현재-테스트: -
전원-출력: -
전압-정격: 8V
패키지 / 케이스: TO-253-4, TO-253AA
공급자 장치 패키지: PG-SOT143-4

재고 있음8,802

BF1005SE6327HTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

MOSFET N-CH 8V 25MA SOT-143

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: N-Channel
주파수: 800MHz
이득: 22dB
전압-테스트: 5V
전류 정격 (Amps): 25mA
소음 수치: 1.6dB
현재-테스트: -
전원-출력: -
전압-정격: 8V
패키지 / 케이스: TO-253-4, TO-253AA
공급자 장치 패키지: PG-SOT143-4

재고 있음3,546

BF1005SE6433XT

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

MOSFET N-CH 8V 25MA SOT-143

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: N-Channel
주파수: 800MHz
이득: 22dB
전압-테스트: 5V
전류 정격 (Amps): 25mA
소음 수치: 1.6dB
현재-테스트: -
전원-출력: -
전압-정격: 8V
패키지 / 케이스: TO-253-4, TO-253AA
공급자 장치 패키지: PG-SOT143-4

재고 있음2,232

BF 1005SR E6327

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

MOSFET N-CH 8V 25MA SOT-143R

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: N-Channel
주파수: 800MHz
이득: 22dB
전압-테스트: 5V
전류 정격 (Amps): 25mA
소음 수치: 1.6dB
현재-테스트: -
전원-출력: -
전압-정격: 8V
패키지 / 케이스: SOT-143R
공급자 장치 패키지: PG-SOT143R-4

재고 있음5,724

BF1009SE6327HTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

MOSFET N-CH 12V 25MA SOT-143

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: N-Channel
주파수: 800MHz
이득: 22dB
전압-테스트: 9V
전류 정격 (Amps): 25mA
소음 수치: 1.4dB
현재-테스트: -
전원-출력: -
전압-정격: 12V
패키지 / 케이스: TO-253-4, TO-253AA
공급자 장치 패키지: PG-SOT143-4

재고 있음6,174

BF1009SRE6327HTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

MOSFET N-CH 12V 25MA SOT-143R

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: N-Channel
주파수: 800MHz
이득: 22dB
전압-테스트: 9V
전류 정격 (Amps): 25mA
소음 수치: 1.4dB
현재-테스트: -
전원-출력: -
전압-정격: 12V
패키지 / 케이스: SOT-143R
공급자 장치 패키지: PG-SOT143R-4

재고 있음5,490

BF1100,215

NXP

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

MOSFET N-CH 14V 30MA SOT143

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: N-Channel Dual Gate
주파수: 800MHz
이득: -
전압-테스트: 9V
전류 정격 (Amps): 30mA
소음 수치: 2dB
현재-테스트: 10mA
전원-출력: -
전압-정격: 14V
패키지 / 케이스: TO-253-4, TO-253AA
공급자 장치 패키지: SOT-143B

재고 있음3,366

BF1100R,215

NXP

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

MOSFET N-CH 14V 30MA SOT143

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: N-Channel Dual Gate
주파수: 800MHz
이득: -
전압-테스트: 9V
전류 정격 (Amps): 30mA
소음 수치: 2dB
현재-테스트: 10mA
전원-출력: -
전압-정격: 14V
패키지 / 케이스: SOT-143R
공급자 장치 패키지: SOT-143R

재고 있음5,976

BF1100R,235

NXP

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

MOSFET N-CH 14V 30MA SOT143

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: N-Channel Dual Gate
주파수: 800MHz
이득: -
전압-테스트: 9V
전류 정격 (Amps): 30mA
소음 수치: 2dB
현재-테스트: 10mA
전원-출력: -
전압-정격: 14V
패키지 / 케이스: SOT-143R
공급자 장치 패키지: SOT-143R

재고 있음2,016

BF1100WR,115

NXP

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

MOSFET N-CH 14V 30MA SOT343R

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: N-Channel Dual Gate
주파수: 800MHz
이득: -
전압-테스트: 9V
전류 정격 (Amps): 30mA
소음 수치: 2dB
현재-테스트: 10mA
전원-출력: -
전압-정격: 14V
패키지 / 케이스: SC-82A, SOT-343
공급자 장치 패키지: CMPAK-4

재고 있음6,678

BF1101,215

NXP

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

MOSFET N-CH 7V 30MA SOT143B

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: N-Channel Dual Gate
주파수: 800MHz
이득: -
전압-테스트: 5V
전류 정격 (Amps): 30mA
소음 수치: 1.7dB
현재-테스트: 12mA
전원-출력: -
전압-정격: 7V
패키지 / 케이스: TO-253-4, TO-253AA
공급자 장치 패키지: SOT-143B

재고 있음4,752

BF1101R,215

NXP

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

MOSFET N-CH 7V DUAL SOT143R

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: N-Channel Dual Gate
주파수: 800MHz
이득: -
전압-테스트: 5V
전류 정격 (Amps): 30mA
소음 수치: 1.7dB
현재-테스트: 12mA
전원-출력: -
전압-정격: 7V
패키지 / 케이스: SOT-143R
공급자 장치 패키지: SOT-143R

재고 있음4,842

BF1101WR,115

NXP

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

MOSFET N-CH 7V DUAL SOT343R

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: N-Channel Dual Gate
주파수: 800MHz
이득: -
전압-테스트: 5V
전류 정격 (Amps): 30mA
소음 수치: 1.7dB
현재-테스트: 12mA
전원-출력: -
전압-정격: 7V
패키지 / 케이스: SC-82A, SOT-343
공급자 장치 패키지: CMPAK-4

재고 있음3,204

BF1101WR,135

NXP

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

MOSFET N-CH 7V DUAL SOT343R

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: N-Channel Dual Gate
주파수: 800MHz
이득: -
전압-테스트: 5V
전류 정격 (Amps): 30mA
소음 수치: 1.7dB
현재-테스트: 12mA
전원-출력: -
전압-정격: 7V
패키지 / 케이스: SC-82A, SOT-343
공급자 장치 패키지: CMPAK-4

재고 있음8,676

BF1102,115

NXP

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

FET RF 7V 800MHZ 6TSSOP

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: N-Channel Dual Gate
주파수: 800MHz
이득: -
전압-테스트: 5V
전류 정격 (Amps): 40mA
소음 수치: 2dB
현재-테스트: 15mA
전원-출력: -
전압-정격: 7V
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: 6-TSSOP

재고 있음6,786

BF1102R,115

NXP

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

FET RF 7V 800MHZ 6TSSOP

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: N-Channel Dual Gate
주파수: 800MHz
이득: -
전압-테스트: 5V
전류 정격 (Amps): 40mA
소음 수치: 2dB
현재-테스트: 15mA
전원-출력: -
전압-정격: 7V
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: 6-TSSOP

재고 있음7,308

BF1102R,135

NXP

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

FET RF 7V 800MHZ 6TSSOP

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: N-Channel Dual Gate
주파수: 800MHz
이득: -
전압-테스트: 5V
전류 정격 (Amps): 40mA
소음 수치: 2dB
현재-테스트: 15mA
전원-출력: -
전압-정격: 7V
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: 6-TSSOP

재고 있음8,730

BF1105,215

NXP

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

MOSFET N-CH 7V DUAL SOT143

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: N-Channel Dual Gate
주파수: 800MHz
이득: 20dB
전압-테스트: 5V
전류 정격 (Amps): 30mA
소음 수치: 1.7dB
현재-테스트: -
전원-출력: -
전압-정격: 7V
패키지 / 케이스: TO-253-4, TO-253AA
공급자 장치 패키지: SOT-143B

재고 있음3,996

BF1105R,215

NXP

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

MOSFET N-CH 7V 30MA SOT-143R

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: N-Channel Dual Gate
주파수: 800MHz
이득: 20dB
전압-테스트: 5V
전류 정격 (Amps): 30mA
소음 수치: 1.7dB
현재-테스트: -
전원-출력: -
전압-정격: 7V
패키지 / 케이스: SOT-143R
공급자 장치 패키지: SOT-143R

재고 있음52,608

BF1105WR,115

NXP

트랜지스터-FET, MOSFET-RF

MOSFET N-CH 7V DUAL SOT343R

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: N-Channel Dual Gate
주파수: 800MHz
이득: 20dB
전압-테스트: 5V
전류 정격 (Amps): 30mA
소음 수치: 1.7dB
현재-테스트: -
전원-출력: -
전압-정격: 7V
패키지 / 케이스: SC-82A, SOT-343
공급자 장치 패키지: CMPAK-4

재고 있음4,266

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