트랜지스터

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부품 번호	설명	재고 있음
CLF1G0060-10U Ampleon	트랜지스터-FET, MOSFET-RF RF FET HEMT 150V 14.5DB SOT1227A 제조업체: Ampleon USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: HEMT 주파수: 3GHz ~ 3.5GHz 이득: 14.5dB 전압-테스트: 50V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 50mA 전원-출력: 10W 전압-정격: 150V 패키지 / 케이스: SOT-1227A 공급자 장치 패키지: CDFM2	재고 있음8,442
CLF1G0060-30U Ampleon	트랜지스터-FET, MOSFET-RF RF FET HEMT 150V 13DB SOT1227A 제조업체: Ampleon USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: HEMT 주파수: 3GHz ~ 3.5GHz 이득: 13dB 전압-테스트: 50V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 70mA 전원-출력: 30W 전압-정격: 150V 패키지 / 케이스: SOT-1227A 공급자 장치 패키지: CDFM2	재고 있음6,084
CLF1G0060S-10U Ampleon	트랜지스터-FET, MOSFET-RF RF FET HEMT 150V 14.5DB SOT1227B 제조업체: Ampleon USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: HEMT 주파수: 3GHz ~ 3.5GHz 이득: 14.5dB 전압-테스트: 50V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 50mA 전원-출력: 10W 전압-정격: 150V 패키지 / 케이스: SOT-1227B 공급자 장치 패키지: SOT-1227B	재고 있음3,397
CLF1G0060S-30U Ampleon	트랜지스터-FET, MOSFET-RF RF FET HEMT 150V 13DB SOT1227B 제조업체: Ampleon USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: HEMT 주파수: 3GHz ~ 3.5GHz 이득: 13dB 전압-테스트: 50V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 70mA 전원-출력: 30W 전압-정격: 150V 패키지 / 케이스: SOT-1227B 공급자 장치 패키지: SOT-1227B	재고 있음6,396
CRF24010FE Cree/Wolfspeed	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 120V 1.95GHZ 440166 제조업체: Cree/Wolfspeed 시리즈: - 트랜지스터 유형: Silicon Carbide MESFET 주파수: 1.95GHz 이득: 15dB 전압-테스트: 48V 전류 정격 (Amps): 1.8A 소음 수치: 3.1dB 현재-테스트: 500mA 전원-출력: 12W 전압-정격: 120V 패키지 / 케이스: 440166 공급자 장치 패키지: 440166	재고 있음3,996
CRF24010PE Cree/Wolfspeed	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 120V 1.95GHZ 440196 제조업체: Cree/Wolfspeed 시리즈: - 트랜지스터 유형: Silicon Carbide MESFET 주파수: 1.95GHz 이득: 15dB 전압-테스트: 48V 전류 정격 (Amps): 1.8A 소음 수치: 3.1dB 현재-테스트: 500mA 전원-출력: 12W 전압-정격: 120V 패키지 / 케이스: 440196 공급자 장치 패키지: 440196	재고 있음7,416
CRF24060FE Cree/Wolfspeed	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 120V 1.1GHZ 440193 제조업체: Cree/Wolfspeed 시리즈: - 트랜지스터 유형: Silicon Carbide MESFET 주파수: 1.1GHz 이득: 13dB 전압-테스트: 48V 전류 정격 (Amps): 9A 소음 수치: - 현재-테스트: 2A 전원-출력: 60W 전압-정격: 120V 패키지 / 케이스: 440193 공급자 장치 패키지: 440193	재고 있음6,336
GTVA104001FA-V1-R0 Cree/Wolfspeed	트랜지스터-FET, MOSFET-RF 400W GAN HEMT 50V 0.9-1.2GHZ FET 제조업체: Cree/Wolfspeed 시리즈: GaN 트랜지스터 유형: HEMT 주파수: 960MHz ~ 1.215GHz 이득: 19.5dB 전압-테스트: 50V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 100mA 전원-출력: 400W 전압-정격: 125V 패키지 / 케이스: H-37265J-2 공급자 장치 패키지: H-37265J-2	재고 있음8,478
GTVA107001EC-V1-R0 Cree/Wolfspeed	트랜지스터-FET, MOSFET-RF 700W GAN HEMT 50V 0.9-1.2GHZ FET 제조업체: Cree/Wolfspeed 시리즈: GaN 트랜지스터 유형: HEMT 주파수: 960MHz ~ 1.215GHz 이득: 20dB 전압-테스트: 50V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 100mA 전원-출력: 890W 전압-정격: 125V 패키지 / 케이스: SOT-957A 공급자 장치 패키지: H-36248-2	재고 있음6,570
GTVA123501FA-V1-R0 Cree/Wolfspeed	트랜지스터-FET, MOSFET-RF 350W GAN HEMT 50V 1.2-1.4GHZ FET 제조업체: Cree/Wolfspeed 시리즈: GaN 트랜지스터 유형: HEMT 주파수: 1.2GHz ~ 1.4GHz 이득: 20dB 전압-테스트: 50V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 100mA 전원-출력: 350W 전압-정격: 125V 패키지 / 케이스: H-37265J-2 공급자 장치 패키지: H-37265J-2	재고 있음8,262
GTVA126001EC-V1-R0 Cree/Wolfspeed	트랜지스터-FET, MOSFET-RF 600W GAN HEMT 50V 1.2-1.4GHZ FET 제조업체: Cree/Wolfspeed 시리즈: GaN 트랜지스터 유형: HEMT 주파수: 1.2GHz ~ 1.4GHz 이득: 20dB 전압-테스트: 50V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 100mA 전원-출력: 600W 전압-정격: 125V 패키지 / 케이스: SOT-957A 공급자 장치 패키지: H-36248-2	재고 있음6,060
GTVA220701FA-V1-R0 Cree/Wolfspeed	트랜지스터-FET, MOSFET-RF RF SIC HEMT 70W,1805 - 2170MHZ 제조업체: Cree/Wolfspeed 시리즈: GaN 트랜지스터 유형: HEMT 주파수: 1.805GHz ~ 2.17GHz 이득: 22dB 전압-테스트: 48V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 200mA 전원-출력: 70W 전압-정격: 125V 패키지 / 케이스: H-37265J-2 공급자 장치 패키지: H-37265J-2	재고 있음2,628
GTVA220701FA-V1-R2 Cree/Wolfspeed	트랜지스터-FET, MOSFET-RF GAN SIC 제조업체: Cree/Wolfspeed 시리즈: * 트랜지스터 유형: - 주파수: - 이득: - 전압-테스트: - 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: - 전원-출력: - 전압-정격: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음2,898
GTVA261701FA-V1-R0 Cree/Wolfspeed	트랜지스터-FET, MOSFET-RF GAN SIC 제조업체: Cree/Wolfspeed 시리즈: * 트랜지스터 유형: - 주파수: - 이득: - 전압-테스트: - 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: - 전원-출력: - 전압-정격: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음6,480
GTVA261701FA-V1-R2 Cree/Wolfspeed	트랜지스터-FET, MOSFET-RF GAN SIC 제조업체: Cree/Wolfspeed 시리즈: * 트랜지스터 유형: - 주파수: - 이득: - 전압-테스트: - 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: - 전원-출력: - 전압-정격: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음6,858
GTVA263202FC-V1-R0 Cree/Wolfspeed	트랜지스터-FET, MOSFET-RF RF SIC HEMT 340W,2620 - 2690MHZ 제조업체: Cree/Wolfspeed 시리즈: GaN 트랜지스터 유형: HEMT 주파수: 2.62GHz ~ 2.69GHz 이득: 17dB 전압-테스트: 48V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 200mA 전원-출력: 340W 전압-정격: 125V 패키지 / 케이스: H-37248-4 공급자 장치 패키지: H-37248-4	재고 있음8,118
GTVA263202FC-V1-R2 Cree/Wolfspeed	트랜지스터-FET, MOSFET-RF RF SIC HEMT 340W,2620 - 2690MHZ 제조업체: Cree/Wolfspeed 시리즈: GaN 트랜지스터 유형: HEMT 주파수: 2.62GHz ~ 2.69GHz 이득: 17dB 전압-테스트: 48V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 200mA 전원-출력: 340W 전압-정격: 125V 패키지 / 케이스: H-37248-4 공급자 장치 패키지: H-37248-4	재고 있음5,778
IXZ210N50L IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-RF N-CHANNEL RF MOSFET 175MH 제조업체: IXYS 시리즈: - 트랜지스터 유형: N-Channel 주파수: 175MHz 이득: 16dB 전압-테스트: 50V 전류 정격 (Amps): 10A 소음 수치: - 현재-테스트: - 전원-출력: 200W 전압-정격: 500V 패키지 / 케이스: 6-SMD Module 공급자 장치 패키지: DE275	재고 있음8,946
IXZ210N50L2 IXYS-RF	트랜지스터-FET, MOSFET-RF RF MOSFET N-CHANNEL DE275 제조업체: IXYS-RF 시리즈: Z-MOS™ 트랜지스터 유형: N-Channel 주파수: 70MHz 이득: 17dB 전압-테스트: 100V 전류 정격 (Amps): 10A 소음 수치: - 현재-테스트: - 전원-출력: 390W 전압-정격: 500V 패키지 / 케이스: 6-SMD, Flat Lead Exposed Pad 공급자 장치 패키지: DE275	재고 있음6,876
IXZ2210N50L2 IXYS-RF	트랜지스터-FET, MOSFET-RF RF MOSFET 2 N-CHANNEL DE275 제조업체: IXYS-RF 시리즈: Z-MOS™ 트랜지스터 유형: 2 N-Channel (Dual) 주파수: 70MHz 이득: 17dB 전압-테스트: 100V 전류 정격 (Amps): 10A 소음 수치: - 현재-테스트: - 전원-출력: 270W 전압-정격: 500V 패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead Exposed Pad 공급자 장치 패키지: -	재고 있음15,984
IXZ308N120 IXYS-RF	트랜지스터-FET, MOSFET-RF RF MOSFET N-CHANNEL DE375 제조업체: IXYS-RF 시리즈: Z-MOS™ 트랜지스터 유형: N-Channel 주파수: 65MHz 이득: 23dB 전압-테스트: 100V 전류 정격 (Amps): 8A 소음 수치: - 현재-테스트: - 전원-출력: 880W 전압-정격: 1200V 패키지 / 케이스: 6-SMD, Flat Lead Exposed Pad 공급자 장치 패키지: DE375	재고 있음7,380
IXZ316N60 IXYS-RF	트랜지스터-FET, MOSFET-RF RF MOSFET N-CHANNEL DE375 제조업체: IXYS-RF 시리즈: Z-MOS™ 트랜지스터 유형: N-Channel 주파수: 65MHz 이득: 23dB 전압-테스트: 100V 전류 정격 (Amps): 18A 소음 수치: - 현재-테스트: - 전원-출력: 880W 전압-정격: 600V 패키지 / 케이스: 6-SMD, Flat Lead Exposed Pad 공급자 장치 패키지: DE375	재고 있음3,042
IXZ318N50 IXYS-RF	트랜지스터-FET, MOSFET-RF RF MOSFET N-CHANNEL 제조업체: IXYS-RF 시리즈: Z-MOS™ 트랜지스터 유형: N-Channel 주파수: 65MHz 이득: 23dB 전압-테스트: 100V 전류 정격 (Amps): 19A 소음 수치: - 현재-테스트: - 전원-출력: 880W 전압-정격: 500V 패키지 / 케이스: 6-SMD, Flat Lead Exposed Pad 공급자 장치 패키지: DE375	재고 있음7,254
IXZH10N50L2A IXYS-RF	트랜지스터-FET, MOSFET-RF RF MOSFET N-CHANNEL TO-247 제조업체: IXYS-RF 시리즈: Z-MOS™ 트랜지스터 유형: N-Channel 주파수: 70MHz 이득: 17dB 전압-테스트: 100V 전류 정격 (Amps): 10A 소음 수치: - 현재-테스트: - 전원-출력: 200W 전압-정격: 500V 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247 (IXFH)	재고 있음4,698
IXZH10N50L2B IXYS-RF	트랜지스터-FET, MOSFET-RF RF MOSFET N-CHANNEL TO-247 제조업체: IXYS-RF 시리즈: Z-MOS™ 트랜지스터 유형: N-Channel 주파수: 70MHz 이득: 17dB 전압-테스트: 100V 전류 정격 (Amps): 10A 소음 수치: - 현재-테스트: - 전원-출력: 200W 전압-정격: 500V 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247 (IXFH)	재고 있음7,758
IXZH16N60 IXYS-RF	트랜지스터-FET, MOSFET-RF RF MOSFET 600V 18A TO-247 제조업체: IXYS-RF 시리즈: - 트랜지스터 유형: N-Channel 주파수: - 이득: - 전압-테스트: - 전류 정격 (Amps): 1mA 소음 수치: - 현재-테스트: - 전원-출력: 350W 전압-정격: 600V 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247AD	재고 있음4,662
IXZR08N120 IXYS-RF	트랜지스터-FET, MOSFET-RF RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3 제조업체: IXYS-RF 시리즈: Z-MOS™ 트랜지스터 유형: N-Channel 주파수: 65MHz 이득: 23dB 전압-테스트: 100V 전류 정격 (Amps): 8A 소음 수치: - 현재-테스트: - 전원-출력: 250W 전압-정격: 1200V 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: PLUS247™-3	재고 있음7,812
IXZR08N120A-00 IXYS-RF	트랜지스터-FET, MOSFET-RF RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3 제조업체: IXYS-RF 시리즈: Z-MOS™ 트랜지스터 유형: N-Channel 주파수: 65MHz 이득: 23dB 전압-테스트: 100V 전류 정격 (Amps): 8A 소음 수치: - 현재-테스트: - 전원-출력: 250W 전압-정격: 1200V 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: PLUS247™-3	재고 있음8,514
IXZR08N120B-00 IXYS-RF	트랜지스터-FET, MOSFET-RF RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3 제조업체: IXYS-RF 시리즈: Z-MOS™ 트랜지스터 유형: N-Channel 주파수: 65MHz 이득: 23dB 전압-테스트: 100V 전류 정격 (Amps): 8A 소음 수치: - 현재-테스트: - 전원-출력: 250W 전압-정격: 1200V 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: PLUS247™-3	재고 있음6,168
IXZR16N60 IXYS-RF	트랜지스터-FET, MOSFET-RF RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3 제조업체: IXYS-RF 시리즈: Z-MOS™ 트랜지스터 유형: N-Channel 주파수: 65MHz 이득: 23dB 전압-테스트: 100V 전류 정격 (Amps): 18A 소음 수치: - 현재-테스트: - 전원-출력: 350W 전압-정격: 600V 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: PLUS247™-3	재고 있음8,712

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