트랜지스터

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부품 번호	설명	재고 있음
PN4416 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-RF JFET N-CH 30V TO92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: N-Channel JFET 주파수: 400MHz 이득: - 전압-테스트: - 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: 4dB 현재-테스트: - 전원-출력: - 전압-정격: 30V 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음7,236
PN4416_D27Z ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-RF JFET N-CH 30V TO92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: N-Channel JFET 주파수: 400MHz 이득: - 전압-테스트: - 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: 4dB 현재-테스트: - 전원-출력: - 전압-정격: 30V 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음3,996
PN5033 Central Semiconductor Corp	트랜지스터-FET, MOSFET-RF TRANSISTOR PNP TH 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - 트랜지스터 유형: P-Channel 주파수: 1kHz 이득: - 전압-테스트: - 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: 2dB 현재-테스트: - 전원-출력: - 전압-정격: 20V 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-92	재고 있음21,006
PRF13750HR9 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF RF FET 915MHZ 750W 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS (Dual) 주파수: 700MHz ~ 1.3GHz 이득: 20.6dB 전압-테스트: - 전류 정격 (Amps): 10µA 소음 수치: - 현재-테스트: - 전원-출력: 650W 전압-정격: 105V 패키지 / 케이스: SOT-979A 공급자 장치 패키지: NI-1230-4H	재고 있음2,268
PRFX1K80HR5 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-RF RF FET 65V 1800W 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS (Dual) 주파수: 1.8MHz ~ 470MHz 이득: 24dB 전압-테스트: - 전류 정격 (Amps): 100mA 소음 수치: - 현재-테스트: - 전원-출력: 1800W 전압-정격: 182V 패키지 / 케이스: SOT-979A 공급자 장치 패키지: NI-1230-4H	재고 있음5,832
PTAB182002FC-V1-R0 Cree/Wolfspeed	트랜지스터-FET, MOSFET-RF IC RF FET LDMOS 190W H-37248-4 제조업체: Cree/Wolfspeed 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 1.88GHz 이득: 15.5dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): 10µA 소음 수치: - 현재-테스트: 520mA 전원-출력: 29W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: H-37248-4 공급자 장치 패키지: H-37248-4	재고 있음2,376
PTAB182002FC-V1-R250 Cree/Wolfspeed	트랜지스터-FET, MOSFET-RF IC AMP RF LDMOS 제조업체: Cree/Wolfspeed 시리즈: * 트랜지스터 유형: - 주파수: - 이득: - 전압-테스트: - 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: - 전원-출력: - 전압-정격: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음2,340
PTAB182002TCV2R250XTMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-RF IC RF FET LDMOS 190W H-49248H-4 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 1.805GHz ~ 1.88GHz 이득: 14.8dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): 10µA 소음 수치: - 현재-테스트: 520mA 전원-출력: 29W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: H-49248H-4 공급자 장치 패키지: H-49248H-4	재고 있음6,030
PTAB182002TCV2R250XUMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-RF IC AMP RF LDMOS 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: * 트랜지스터 유형: - 주파수: - 이득: - 전압-테스트: - 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: - 전원-출력: - 전압-정격: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음8,172
PTAB182002TCV2XWSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-RF IC RF FET LDMOS 190W H-49248H-4 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: * 트랜지스터 유형: - 주파수: - 이득: - 전압-테스트: - 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: - 전원-출력: - 전압-정격: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,472
PTAC210802FC-V1-R0 Cree/Wolfspeed	트랜지스터-FET, MOSFET-RF IC AMP RF LDMOS H-37248-4 제조업체: Cree/Wolfspeed 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 2.17GHz 이득: 17dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): 10µA 소음 수치: - 현재-테스트: 85mA 전원-출력: 80W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: H-37248-4 공급자 장치 패키지: H-37248-4	재고 있음5,436
PTAC210802FC-V1-R250 Cree/Wolfspeed	트랜지스터-FET, MOSFET-RF IC AMP RF LDMOS 제조업체: Cree/Wolfspeed 시리즈: * 트랜지스터 유형: - 주파수: - 이득: - 전압-테스트: - 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: - 전원-출력: - 전압-정격: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음2,934
PTAC210802FCV1XWSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-RF IC AMP RF LDMOS 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: * 트랜지스터 유형: - 주파수: - 이득: - 전압-테스트: - 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: - 전원-출력: - 전압-정격: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음6,336
PTAC240502FC-V1-R0 Cree/Wolfspeed	트랜지스터-FET, MOSFET-RF IC AMP RF LDMOS H-37248-4 제조업체: Cree/Wolfspeed 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 2.4GHz 이득: 14.3dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): 10µA 소음 수치: - 현재-테스트: 120mA 전원-출력: 50W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: H-37248-4 공급자 장치 패키지: H-37248-4	재고 있음8,550
PTAC240502FC-V1-R250 Cree/Wolfspeed	트랜지스터-FET, MOSFET-RF IC AMP RF LDMOS 제조업체: Cree/Wolfspeed 시리즈: * 트랜지스터 유형: - 주파수: - 이득: - 전압-테스트: - 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: - 전원-출력: - 전압-정격: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음2,862
PTAC240502FCV1XWSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-RF IC AMP RF LDMOS 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: * 트랜지스터 유형: - 주파수: - 이득: - 전압-테스트: - 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: - 전원-출력: - 전압-정격: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음4,032
PTAC260302FC-V1-R0 Cree/Wolfspeed	트랜지스터-FET, MOSFET-RF IC AMP RF LDMOS H-37248H-4 제조업체: Cree/Wolfspeed 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 2.69GHz 이득: 15.5dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): 10µA 소음 수치: - 현재-테스트: 85mA 전원-출력: 5.6W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: H-37248H-4 공급자 장치 패키지: H-37248H-4	재고 있음8,856
PTAC260302FC-V1-R250 Cree/Wolfspeed	트랜지스터-FET, MOSFET-RF IC AMP RF LDMOS 제조업체: Cree/Wolfspeed 시리즈: * 트랜지스터 유형: - 주파수: - 이득: - 전압-테스트: - 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: - 전원-출력: - 전압-정격: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음4,662
PTAC260302FCV1XWSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-RF IC AMP RF LDMOS 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: * 트랜지스터 유형: - 주파수: - 이득: - 전압-테스트: - 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: - 전원-출력: - 전압-정격: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,580
PTAC260302SCV1R250XTMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-RF IC AMP RF LDMOS 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: * 트랜지스터 유형: - 주파수: - 이득: - 전압-테스트: - 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: - 전원-출력: - 전압-정격: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,562
PTAC260302SCV1R250XTMA2 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-RF IC AMP RF LDMOS H-37248H-4 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: - 주파수: - 이득: - 전압-테스트: - 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: - 전원-출력: - 전압-정격: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음7,002
PTAC260302SCV1S250XTMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-RF IC AMP RF LDMOS H-37248H-4 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: - 주파수: - 이득: - 전압-테스트: - 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: - 전원-출력: - 전압-정격: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음6,174
PTAC260302SCV1XWSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-RF IC AMP RF LDMOS H-37248-4 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: - 주파수: - 이득: - 전압-테스트: - 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: - 전원-출력: - 전압-정격: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음4,680
PTAC260302SCV1XWSA2 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-RF IC AMP RF LDMOS H-37248H-4 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: - 주파수: - 이득: - 전압-테스트: - 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: - 전원-출력: - 전압-정격: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음5,364
PTF080101M V1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-RF IC FET RF LDMOS 10W TSSOP-10 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: GOLDMOS® 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 960MHz 이득: 16dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): 1µA 소음 수치: - 현재-테스트: 180mA 전원-출력: 10W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118", 3.00mm Width) 공급자 장치 패키지: PG-RFP-10	재고 있음8,928
PTF080101S V1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 960MHZ H-32259-2 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: GOLDMOS® 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 960MHz 이득: 18.5dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): 1µA 소음 수치: - 현재-테스트: 150mA 전원-출력: 10W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: H32259-2 공급자 장치 패키지: H-32259-2	재고 있음6,786
PTF140451E V1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-RF IC FET RF LDMOS 45W H-30265 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: GOLDMOS® 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 1.5GHz 이득: 18dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): 1µA 소음 수치: - 현재-테스트: 550mA 전원-출력: 45W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads 공급자 장치 패키지: H-30265-2	재고 있음3,222
PTF140451F V1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-RF IC FET RF LDMOS 45W H-31265 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: GOLDMOS® 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 1.5GHz 이득: 18dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): 1µA 소음 수치: - 현재-테스트: 550mA 전원-출력: 45W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged 공급자 장치 패키지: H-31265-2	재고 있음7,956
PTF141501E V1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-RF IC FET RF LDMOS 150W H-30260-2 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: GOLDMOS® 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 1.5GHz 이득: 16.5dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): 1µA 소음 수치: - 현재-테스트: 1.5A 전원-출력: 150W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: 2-Flatpack, Fin Leads 공급자 장치 패키지: H-30260-2	재고 있음4,194
PTF180101M V1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-RF IC FET RF LDMOS 10W TSSOP-10 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: GOLDMOS® 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 1.99GHz 이득: 16.5dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): 1µA 소음 수치: - 현재-테스트: 180mA 전원-출력: 10W 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118", 3.00mm Width) 공급자 장치 패키지: PG-RFP-10	재고 있음8,352

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