트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
2SK4043LS ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 20A TO-220FI 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 10A, 4V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 37nC @ 4V Vgs (최대): ±10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3000pF @ 20V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2W (Ta), 20W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220FI(LS) 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack	재고 있음6,012
2SK4065-DL-1E ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 75V 100A 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 75V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 220nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 12200pF @ 20V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.65W (Ta), 90W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TO-263-2 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음7,938
2SK4065-DL-1EX ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 75V TO263-2 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 75V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 220nC @ 10V Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 12200pF @ 20V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.65W (Ta), 90W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TO-263-2 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음8,784
2SK4065-DL-E ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 75V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 220nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 12200pF @ 20V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.65W (Ta), 90W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SMP-FD 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음3,150
2SK4065-E ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 75V 100A SMP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 75V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 220nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 12200pF @ 20V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.65W (Ta), 90W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: SMP 패키지 / 케이스: TO-220-3, Short Tab	재고 있음7,974
2SK4066-1E ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 100A 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 220nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 12500pF @ 20V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.65W (Ta), 90W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-262-3 패키지 / 케이스: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	재고 있음5,256
2SK4066-DL-1E ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 100A 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 220nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 12500pF @ 20V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.65W (Ta), 90W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TO-263-2 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음4,212
2SK4066-DL-1EX ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V TO263-2 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 220nC @ 10V Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 12500pF @ 20V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.65W (Ta), 90W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TO-263-2 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음3,744
2SK4066-DL-E ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 220nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 12500pF @ 20V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.65W (Ta), 90W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SMP-FD 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음7,920
2SK4066-E ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 100A SMP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 220nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 12500pF @ 20V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.65W (Ta), 90W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: SMP 패키지 / 케이스: TO-220-3, Short Tab	재고 있음4,248
2SK4085LS ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 500V 16A TO-220FI 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 46.6nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1200pF @ 30V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2W (Ta), 40W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220FI(LS) 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack	재고 있음4,752
2SK4085LS-1E ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 500V 16A 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 46.6nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1200pF @ 30V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2W (Ta), 40W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220F-3FS 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack	재고 있음5,526
2SK4087LS ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 14A TO-220F 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.2A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 610mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 46nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1200pF @ 30V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2W (Ta), 40W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220FI(LS) 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack	재고 있음6,750
2SK4087LS-1E ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 14A 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.2A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 610mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 46nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1200pF @ 30V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2W (Ta), 40W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220F-3FS 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack	재고 있음6,282
2SK4088LS ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 650V TO-220FI 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.5A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 5.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 37.6nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1000pF @ 30V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2W (Ta), 37W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220FI(LS) 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack	재고 있음5,202
2SK4088LS-1E ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 650V 11A 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.5A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 5.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 37.6nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1000pF @ 30V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2W (Ta), 37W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220F-3FS 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack	재고 있음5,472
2SK4089LS ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 650V 12A TO-220FI 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8.5A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 720mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 45.4nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1200pF @ 30V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2W (Ta), 40W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220FI(LS) 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack	재고 있음6,264
2SK4093TZ-E Renesas Electronics America	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 250V 1A TO-92 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 250V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.6Ohm @ 500mA, 4V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.5nC @ 4V Vgs (최대): ±10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 140pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 900mW (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-92MOD 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Long Body	재고 있음8,802
2SK4094-1E ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 220nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 12500pF @ 20V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.75W (Ta), 90W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220-3 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음6,192
2SK4098FS ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 6A TO220F-3FS 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 3.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 23.5nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 600pF @ 30V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2W 작동 온도: 150°C 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220F-3FS 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack	재고 있음2,016
2SK4099LS ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 8.5A TO-220FI 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.9A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 940mOhm @ 4A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 29nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 750pF @ 30V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2W (Ta), 35W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220FI(LS) 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack	재고 있음6,390
2SK4099LS-1E ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 8.5A 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.9A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 940mOhm @ 4A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 29nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 750pF @ 30V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2W (Ta), 35W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220F-3FS 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack	재고 있음5,184
2SK4116LS ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 400V 12A TO-220FI 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 400V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8.9A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 24.5nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 650pF @ 30V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2W (Ta), 33W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220FI(LS) 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack	재고 있음3,564
2SK4117LS ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 400V 15A TO-220FI 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 400V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10.4A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 7.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 30.6nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 755pF @ 30V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2W (Ta), 35W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220FI(LS) 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack	재고 있음7,668
2SK4124 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 500V 20A TO-3PB 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 46.6nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1200pF @ 30V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 170W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-3PB 패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3	재고 있음2,376
2SK4124-1E ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 500V 20A 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 46.6nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1200pF @ 30V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 170W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-3P-3L 패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3	재고 있음3,508
2SK4125 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 17A TO-3PB 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 17A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 610mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 46nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1200pF @ 30V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 170W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-3PB 패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3	재고 있음5,706
2SK4125-1E ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 17A 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 17A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 610mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 46nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1200pF @ 30V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 170W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-3P-3L 패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3	재고 있음3,580
2SK4125-1EX ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 17A TO3P 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 17A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 610mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 46nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1200pF @ 30V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 170W (Tc) 작동 온도: 150°C (TA) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-3P-3L 패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3	재고 있음5,940
2SK4126 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 650V 15A TO-3PB 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 720mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 45.4nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1200pF @ 30V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 170W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-3PB 패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3	재고 있음3,618

2SK4043LS

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 20A TO-220FI

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 10A, 4V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 37nC @ 4V
Vgs (최대): ±10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3000pF @ 20V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2W (Ta), 20W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220FI(LS)
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

재고 있음6,012

2SK4065-DL-1E

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 75V 100A

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 75V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 220nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 12200pF @ 20V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.65W (Ta), 90W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TO-263-2
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음7,938

2SK4065-DL-1EX

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 75V TO263-2

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 75V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 220nC @ 10V
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 12200pF @ 20V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.65W (Ta), 90W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TO-263-2
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음8,784

2SK4065-DL-E

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 75V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 220nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 12200pF @ 20V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.65W (Ta), 90W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SMP-FD
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음3,150

2SK4065-E

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 75V 100A SMP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 75V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 220nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 12200pF @ 20V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.65W (Ta), 90W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: SMP
패키지 / 케이스: TO-220-3, Short Tab

재고 있음7,974

2SK4066-1E

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 100A

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 220nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 12500pF @ 20V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.65W (Ta), 90W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-262-3
패키지 / 케이스: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

재고 있음5,256

2SK4066-DL-1E

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 100A

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 220nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 12500pF @ 20V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.65W (Ta), 90W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TO-263-2
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음4,212

2SK4066-DL-1EX

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V TO263-2

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 220nC @ 10V
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 12500pF @ 20V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.65W (Ta), 90W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TO-263-2
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음3,744

2SK4066-DL-E

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 220nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 12500pF @ 20V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.65W (Ta), 90W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SMP-FD
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음7,920

2SK4066-E

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 100A SMP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 220nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 12500pF @ 20V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.65W (Ta), 90W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: SMP
패키지 / 케이스: TO-220-3, Short Tab

재고 있음4,248

2SK4085LS

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 500V 16A TO-220FI

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 46.6nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1200pF @ 30V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2W (Ta), 40W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220FI(LS)
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

재고 있음4,752

2SK4085LS-1E

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 500V 16A

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 46.6nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1200pF @ 30V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2W (Ta), 40W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220F-3FS
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

재고 있음5,526

2SK4087LS

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 14A TO-220F

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.2A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 610mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 46nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1200pF @ 30V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2W (Ta), 40W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220FI(LS)
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

재고 있음6,750

2SK4087LS-1E

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 14A

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.2A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 610mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 46nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1200pF @ 30V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2W (Ta), 40W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220F-3FS
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

재고 있음6,282

2SK4088LS

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 650V TO-220FI

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.5A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 37.6nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1000pF @ 30V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2W (Ta), 37W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220FI(LS)
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

재고 있음5,202

2SK4088LS-1E

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 650V 11A

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.5A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 37.6nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1000pF @ 30V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2W (Ta), 37W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220F-3FS
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

재고 있음5,472

2SK4089LS

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 650V 12A TO-220FI

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8.5A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 720mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 45.4nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1200pF @ 30V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2W (Ta), 40W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220FI(LS)
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

재고 있음6,264

2SK4093TZ-E

Renesas Electronics America

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 250V 1A TO-92

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 250V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.6Ohm @ 500mA, 4V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.5nC @ 4V
Vgs (최대): ±10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 140pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 900mW (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-92MOD
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Long Body

재고 있음8,802

2SK4094-1E

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 220nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 12500pF @ 20V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.75W (Ta), 90W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220-3
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음6,192

2SK4098FS

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 6A TO220F-3FS

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 23.5nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 600pF @ 30V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2W
작동 온도: 150°C
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220F-3FS
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

재고 있음2,016

2SK4099LS

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 8.5A TO-220FI

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.9A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 940mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 29nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 750pF @ 30V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2W (Ta), 35W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220FI(LS)
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

재고 있음6,390

2SK4099LS-1E

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 8.5A

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.9A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 940mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 29nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 750pF @ 30V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2W (Ta), 35W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220F-3FS
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

재고 있음5,184

2SK4116LS

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 400V 12A TO-220FI

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 400V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8.9A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 24.5nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 650pF @ 30V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2W (Ta), 33W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220FI(LS)
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

재고 있음3,564

2SK4117LS

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 400V 15A TO-220FI

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 400V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10.4A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 30.6nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 755pF @ 30V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2W (Ta), 35W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220FI(LS)
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

재고 있음7,668

2SK4124

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 500V 20A TO-3PB

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 46.6nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1200pF @ 30V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 170W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-3PB
패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3

재고 있음2,376

2SK4124-1E

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 500V 20A

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 46.6nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1200pF @ 30V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 170W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-3P-3L
패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3

재고 있음3,508

2SK4125

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 17A TO-3PB

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 17A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 610mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 46nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1200pF @ 30V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 170W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-3PB
패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3

재고 있음5,706

2SK4125-1E

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 17A

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 17A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 610mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 46nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1200pF @ 30V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 170W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-3P-3L
패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3

재고 있음3,580

2SK4125-1EX

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 17A TO3P

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 17A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 610mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 46nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1200pF @ 30V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 170W (Tc)
작동 온도: 150°C (TA)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-3P-3L
패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3

재고 있음5,940

2SK4126

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 650V 15A TO-3PB

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 720mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 45.4nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1200pF @ 30V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 170W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-3PB
패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3

재고 있음3,618

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