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트랜지스터

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부품 번호
설명
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수량
AOD4185_DELTA
AOD4185_DELTA

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 40V TO252

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: -
  • FET 유형: -
  • 기술: -
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): -
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
  • Vgs (th) (최대) @ Id: -
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
  • Vgs (최대): -
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): -
  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: -
  • 공급자 장치 패키지: -
  • 패키지 / 케이스: -
재고 있음5,022
AOD4185L
AOD4185L

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CHANNEL 40V 40A TO252

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: -
  • FET 유형: P-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 40A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 55nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2550pF @ 20V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 62.5W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: TO-252, (D-Pak)
  • 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
재고 있음3,418
AOD4185L_003
AOD4185L_003

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CHANNEL 40V 40A TO252

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: -
  • FET 유형: P-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 40A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18.6nC @ 4.5V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2550pF @ 20V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 62.5W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: TO-252, (D-Pak)
  • 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
재고 있음6,192
AOD4185L_DELTA
AOD4185L_DELTA

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 40V TO252

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: -
  • FET 유형: -
  • 기술: -
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): -
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
  • Vgs (th) (최대) @ Id: -
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
  • Vgs (최대): -
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): -
  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: -
  • 공급자 장치 패키지: -
  • 패키지 / 케이스: -
재고 있음8,010
AOD4186
AOD4186

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 10A TO252

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: -
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Ta), 35A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 2.7V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1200pF @ 20V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: TO-252, (D-Pak)
  • 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
재고 있음4,572
AOD4189
AOD4189

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 40V 40A TO252

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: -
  • FET 유형: P-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 40A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 12A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 41nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1870pF @ 20V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 62.5W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: TO-252, (D-Pak)
  • 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
재고 있음1,357,692
AOD418G
AOD418G

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V DPAK

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: -
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13.5A (Ta), 36A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 20A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 24nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1380pF @ 15V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: TO-252, (D-Pak)
  • 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
재고 있음3,474
AOD421
AOD421

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 12.5A TO252

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: -
  • FET 유형: P-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12.5A (Ta)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 12.5A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 1.4V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.6nC @ 4.5V
  • Vgs (최대): ±12V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 620pF @ 10V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 2W (Ta), 18.8W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: TO-252, (D-Pak)
  • 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
재고 있음7,416
AOD421_001
AOD421_001

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 12.5A TO252

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: -
  • FET 유형: P-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12.5A (Ta)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 12.5A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 1.4V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.6nC @ 4.5V
  • Vgs (최대): ±12V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 620pF @ 10V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 2W (Ta), 18.8W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: TO-252, (D-Pak)
  • 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
재고 있음7,146
AOD423
AOD423

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 15A

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: -
  • FET 유형: P-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A (Ta), 70A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V, 20V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 20A, 20V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 65nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±25V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2760pF @ 15V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 90W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: TO-252, (D-Pak)
  • 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
재고 있음8,892
AOD424
AOD424

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 18A TO252

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: -
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 18A (Ta), 45A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 20A, 4.5V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 1.6V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 43nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±12V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4630pF @ 10V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: TO-252, (D-Pak)
  • 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
재고 있음51,600
AOD425
AOD425

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 9A TO252

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: -
  • FET 유형: P-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9A (Ta), 50A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 20A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 38nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±25V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2200pF @ 15V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 71W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: TO-252, (D-Pak)
  • 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
재고 있음8,262
AOD425_001
AOD425_001

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH TO252

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: -
  • FET 유형: P-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9A (Ta), 50A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 20A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 38nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±25V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2200pF @ 15V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 71W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: TO-252, (D-Pak)
  • 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
재고 있음5,346
AOD4286
AOD4286

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N CH 100V 4A TO252

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: -
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Ta), 14A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 5A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 2.9V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 390pF @ 50V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 30W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: TO-252, (D-Pak)
  • 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
재고 있음4,284
AOD442
AOD442

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 38A TO-252

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: -
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A (Ta), 37A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 20A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 2.7V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 68nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2300pF @ 30V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 60W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: TO-252, (D-Pak)
  • 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
재고 있음593,682
AOD444
AOD444

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 12A TO-252

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: -
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Ta), 12A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 12A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 540pF @ 30V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 20W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: TO-252, (D-Pak)
  • 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
재고 있음537,816
AOD4454
AOD4454

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 150V 3A TO252

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: -
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 150V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A (Ta), 20A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 7V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 10A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 4.6V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 985pF @ 75V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: TO-252, (D-Pak)
  • 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
재고 있음4,032
AOD446
AOD446

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 75V 10A TO252

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: -
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 75V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 20V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 5A, 20V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.5nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±25V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 350pF @ 30V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 20W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: TO-252, (D-Pak)
  • 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
재고 있음3,582
AOD446_001
AOD446_001

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 75V TO-252

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: *
  • FET 유형: -
  • 기술: -
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): -
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
  • Vgs (th) (최대) @ Id: -
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
  • Vgs (최대): -
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): -
  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: TO-252, (D-Pak)
  • 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
재고 있음2,340
AOD450
AOD450

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 200V 3.8A TO252

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: -
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.8A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 3.8A, 15V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 6V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.82nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±30V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 215pF @ 25V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 25W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: TO-252, (D-Pak)
  • 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
재고 있음8,388
AOD4504
AOD4504

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 200V 6A TO252

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: -
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.5A (Ta), 6A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 3.7V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 115nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 328pF @ 100V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 42.5W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: TO-252, (D-Pak)
  • 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
재고 있음6,696
AOD452
AOD452

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 25V 55A TO-252

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: -
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 55A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 30A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 32nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1476pF @ 12.5V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 51.5W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: TO-252, (D-Pak)
  • 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
재고 있음2,070
AOD452AL_008
AOD452AL_008

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 25V 55A TO252

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: SDMOS™
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 55A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 30A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 26nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1450pF @ 12.5V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: TO-252
  • 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
재고 있음2,124
AOD454A
AOD454A

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 20A TO252

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: -
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 12A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10.8nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 650pF @ 20V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 37W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: TO-252, (D-Pak)
  • 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
재고 있음213,504
AOD454AL
AOD454AL

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V TO252

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: -
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 12A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10.8nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 650pF @ 20V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 37W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: TO-252, (D-Pak)
  • 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
재고 있음6,246
AOD456
AOD456

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 25V 50A TO252

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: -
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 30A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 38nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2220pF @ 12.5V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 3W (Ta), 50W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: TO-252, (D-Pak)
  • 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
재고 있음3,960
AOD456A
AOD456A

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 25V 50A TO-252

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: -
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 30A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 38nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2220pF @ 12.5V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 3W (Ta), 50W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: TO-252, (D-Pak)
  • 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
재고 있음5,454
AOD458
AOD458

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N CH 250V 14A TO252

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: -
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 250V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 7A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±30V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 770pF @ 25V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 150W (Tc)
  • 작동 온도: -50°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: TO-252, (D-Pak)
  • 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
재고 있음2,610
AOD464
AOD464

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 105V 40A TO252

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: -
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 105V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 40A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 20A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 46nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±25V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2445pF @ 25V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 2.3W (Ta), 100W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: TO-252, (D-Pak)
  • 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
재고 있음7,524
AOD468
AOD468

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N CH 300V 11.5A TO252

  • 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 시리즈: -
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 300V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11.5A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 6A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 16nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±30V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 790pF @ 25V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 150W (Tc)
  • 작동 온도: -50°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: TO-252, (D-Pak)
  • 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
재고 있음7,038