Vishay Semiconductor Diodes Division 트랜지스터-양극 (BJT)-단일
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카테고리반도체 / 트랜지스터 / 트랜지스터-양극 (BJT)-단일
제조업체Vishay Semiconductor Diodes Division
기록 2
페이지 1/1
이미지 |
부품 번호 |
제조업체 |
설명 |
재고 있음 |
수량 |
시리즈 | 트랜지스터 유형 | 전류-수집기 (Ic) (최대) | 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) | Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic | 전류-수집기 차단 (최대) | DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce | 전력-최대 | 주파수-전환 | 작동 온도 | 장착 유형 | 패키지 / 케이스 | 공급자 장치 패키지 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
Vishay Semiconductor Diodes Division |
TRANS NPN 40V 0.2A TO-92 |
3,978 |
|
- | NPN | 200mA | 40V | 300mV @ 5mA, 50mA | - | 100 @ 10mA, 1V | 625mW | 300MHz | - | Through Hole | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | TO-92 |
|
|
|
Vishay Semiconductor Diodes Division |
TRANS NPN 300V 0.5A TO-92 |
3,564 |
|
- | NPN | 500mA | 300V | 500mV @ 2mA, 20mA | 100nA (ICBO) | 40 @ 30mA, 10V | 625mW | 50MHz | - | Through Hole | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | TO-92-3 |