1N4003G
참조 용
| 부품 번호 | 1N4003G |
| PNEDA 부품 번호 | 1N4003G |
| 설명 | DIODE GEN PURP 200V 1A DO41 |
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 255,024 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 3월 1 - 3월 6 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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1N4003G 리소스
| 브랜드 | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | 1N4003G |
| 분류 | 반도체 › 다이오드 및 정류기 › 정류기-싱글 |
| 데이터 시트 |
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1N4003G 사양
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 시리즈 | - |
| 다이오드 유형 | Standard |
| 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) | 200V |
| 전류-평균 정류 (Io) | 1A |
| 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If | 1.1V @ 1A |
| 속도 | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| 역 복구 시간 (trr) | - |
| 전류-역방향 누설 @ Vr | 10µA @ 200V |
| 커패시턴스 @ Vr, F | - |
| 장착 유형 | Through Hole |
| 패키지 / 케이스 | DO-204AL, DO-41, Axial |
| 공급자 장치 패키지 | DO-41 |
| 작동 온도-접합 | -65°C ~ 175°C |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈 Automotive, AEC-Q101 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 50V 전류-평균 정류 (Io) 8A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.1V @ 8A 속도 Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 10µA @ 50V 커패시턴스 @ Vr, F 55pF @ 4V, 1MHz 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 공급자 장치 패키지 TO-263AB 작동 온도-접합 -55°C ~ 150°C |
제조업체 NXP USA Inc. 시리즈 - 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 1200V 전류-평균 정류 (Io) 8A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.85V @ 20A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 145ns 전류-역방향 누설 @ Vr 1mA @ 1000V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab 공급자 장치 패키지 TO-220FP 작동 온도-접합 150°C (Max) |
제조업체 Nexperia USA Inc. 시리즈 - 다이오드 유형 Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 60V 전류-평균 정류 (Io) 1A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 625mV @ 1A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 2.4ns 전류-역방향 누설 @ Vr 650µA @ 60V 커패시턴스 @ Vr, F 20pF @ 10V, 1MHz 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 2-XDFN 공급자 장치 패키지 DSN1006-2 작동 온도-접합 150°C (Max) |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 - 다이오드 유형 Silicon Carbide Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 650V 전류-평균 정류 (Io) 24A (DC) 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.35V @ 10A 속도 No Recovery Time > 500mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 0ns 전류-역방향 누설 @ Vr 33µA @ 420V 커패시턴스 @ Vr, F 495pF @ 1V, 1MHz 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-220-2 공급자 장치 패키지 PG-TO220-2 작동 온도-접합 -55°C ~ 175°C |
제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 - 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 440V 전류-평균 정류 (Io) 1.2A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.4V @ 1.2A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 30ns 전류-역방향 누설 @ Vr 500nA @ 440V 커패시턴스 @ Vr, F 10pF @ 10V, 1MHz 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 A, Axial 공급자 장치 패키지 - 작동 온도-접합 -65°C ~ 150°C |
