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1N5731D

1N5731D

참조 용

부품 번호 1N5731D
PNEDA 부품 번호 1N5731D
설명 DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35
제조업체 Microsemi
단가 견적 요청
재고 있음 3,312
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 12월 2 - 12월 7 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

1N5731D 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호1N5731D
분류반도체다이오드 및 정류기제너 다이오드-단일

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  • 1N5731D Distributor

1N5731D 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈-
전압-제너 (Nom) (Vz)6.2V
공차±1%
전력-최대500mW
임피던스 (최대) (Zzt)10 Ohms
전류-역방향 누설 @ Vr3µA @ 4V
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If900mV @ 10mA
작동 온도-65°C ~ 175°C
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스DO-204AH, DO-35, Axial
공급자 장치 패키지DO-35

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12V

공차

±5%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

30 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 9.1V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOD-123

공급자 장치 패키지

SOD-123

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제조업체

Central Semiconductor Corp

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

7.5V

공차

±5%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

6 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

3µA @ 6V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 200°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AH, DO-35, Axial

공급자 장치 패키지

DO-35

MTZJ6V8SC R0G

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

6.84V

공차

±2%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

20 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

2µA @ 3.5V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AG, DO-34, Axial

공급자 장치 패키지

DO-34

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제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

13V

공차

±5%

전력-최대

150mW

임피던스 (최대) (Zzt)

13 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

500nA @ 9.9V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

900mV @ 10mA

작동 온도

-65°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-523

공급자 장치 패키지

SOT-523

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Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

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전압-제너 (Nom) (Vz)

220V

공차

±1%

전력-최대

5W

임피던스 (최대) (Zzt)

550 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

2µA @ 167V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.5V @ 1A

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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