2N3019
참조 용
| 부품 번호 | 2N3019 |
| PNEDA 부품 번호 | 2N3019 |
| 설명 | TRANS NPN 80V 1A TO-5 |
| 제조업체 | Microsemi |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 7,356 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 12월 3 - 12월 8 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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2N3019 리소스
| 브랜드 | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | 2N3019 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-양극 (BJT)-단일 |
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2N3019 사양
| 제조업체 | Microsemi Corporation |
| 시리즈 | - |
| 트랜지스터 유형 | NPN |
| 전류-수집기 (Ic) (최대) | 1A |
| 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) | 80V |
| Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic | 500mV @ 50mA, 500mA |
| 전류-수집기 차단 (최대) | 10µA (ICBO) |
| DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce | 50 @ 500mA, 10V |
| 전력-최대 | 800mW |
| 주파수-전환 | - |
| 작동 온도 | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| 장착 유형 | Through Hole |
| 패키지 / 케이스 | TO-205AA, TO-5-3 Metal Can |
| 공급자 장치 패키지 | TO-5 |
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제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 트랜지스터 유형 PNP 전류-수집기 (Ic) (최대) 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 600mV @ 30mA, 300mA 전류-수집기 차단 (최대) 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 120 @ 150mA, 10V 전력-최대 200mW 주파수-전환 - 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지 SC-59 |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 트랜지스터 유형 PNP - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대) 10A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 2.5V @ 6mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대) 500µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 750 @ 3A, 3V 전력-최대 70W 주파수-전환 - 작동 온도 -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-220-3 공급자 장치 패키지 TO-220AB |
