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APT35GP120BG

APT35GP120BG

참조 용

부품 번호 APT35GP120BG
PNEDA 부품 번호 APT35GP120BG
설명 IGBT 1200V 96A 543W TO247
제조업체 Microsemi
단가
1 ---------- $52.5713
100 ---------- $50.1070
250 ---------- $47.6427
500 ---------- $45.1784
750 ---------- $43.1249
1,000 ---------- $41.0713
재고 있음 403
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APT35GP120BG 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호APT35GP120BG
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일

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  • Microsemi Distributor
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  • APT35GP120BG Distributor

APT35GP120BG 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈POWER MOS 7®
IGBT 유형PT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)1200V
전류-수집기 (Ic) (최대)96A
전류-수집기 펄스 (Icm)140A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic3.9V @ 15V, 35A
전력-최대543W
에너지 전환750µJ (on), 680µJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지150nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C16ns/94ns
테스트 조건600V, 35A, 5Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)-
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-247-3
공급자 장치 패키지TO-247 [B]

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IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전류-수집기 펄스 (Icm)

200A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.4V @ 15V, 30A

전력-최대

220W

에너지 전환

740µJ (on), 3mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

80nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

18ns/330ns

테스트 조건

400V, 30A, 5Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

23ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

TO-263AA

STGP10H60DF

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

20A

전류-수집기 펄스 (Icm)

40A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.95V @ 15V, 10A

전력-최대

115W

에너지 전환

83µJ (on), 140µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

57nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

19.5ns/103ns

테스트 조건

400V, 10A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

107ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220

RGCL60TS60GC11

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

48A

전류-수집기 펄스 (Icm)

120A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 30A

전력-최대

111W

에너지 전환

770µJ (on), 1.11mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

68nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

44ns/186ns

테스트 조건

400V, 30A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247N

STGB19NC60KT4

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

PowerMESH™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

35A

전류-수집기 펄스 (Icm)

75A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.75V @ 15V, 12A

전력-최대

125W

에너지 전환

165µJ (on), 255µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

55nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

30ns/105ns

테스트 조건

480V, 12A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

D2PAK

APT95GR65B2

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

208A

전류-수집기 펄스 (Icm)

400A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 95A

전력-최대

892W

에너지 전환

3.12mJ (on), 2.55mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

420nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

29ns/226ns

테스트 조건

433V, 95A, 4.3Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

T-MAX™ [B2]

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