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BAV21-T50R

BAV21-T50R

참조 용

부품 번호 BAV21-T50R
PNEDA 부품 번호 BAV21-T50R
설명 DIODE GEN PURP 250V 200MA DO35
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 5,724
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 1 - 3월 6 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BAV21-T50R 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BAV21-T50R
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글
데이터 시트
BAV21-T50R, BAV21-T50R 데이터 시트 (총 페이지: 4, 크기: 60.55 KB)
PDFBAV21-T50R 데이터 시트 표지
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BAV21-T50R 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
다이오드 유형Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)250V
전류-평균 정류 (Io)200mA
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.25V @ 200mA
속도Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
역 복구 시간 (trr)50ns
전류-역방향 누설 @ Vr100nA @ 200V
커패시턴스 @ Vr, F5pF @ 0V, 1MHz
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스DO-204AH, DO-35, Axial
공급자 장치 패키지DO-35
작동 온도-접합175°C (Max)

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

120V

전류-평균 정류 (Io)

15A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

810mV @ 15A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

1mA @ 120V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-277, 3-PowerDFN

공급자 장치 패키지

TO-277A (SMPC)

작동 온도-접합

-40°C ~ 150°C

VS-30BQ100PBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

100V

전류-평균 정류 (Io)

3A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

790mV @ 3A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

500µA @ 100V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-214AB, SMC

공급자 장치 패키지

SMC

작동 온도-접합

-55°C ~ 175°C

VF30100SG-E3/45

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

TMBS®

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

100V

전류-평균 정류 (Io)

30A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1V @ 30A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

350µA @ 100V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

공급자 장치 패키지

ITO-220AB

작동 온도-접합

-40°C ~ 150°C

MBR35100

GeneSiC Semiconductor

제조업체

GeneSiC Semiconductor

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

100V

전류-평균 정류 (Io)

35A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

840mV @ 35A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

1.5mA @ 20V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Chassis, Stud Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

DO-4

작동 온도-접합

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ES1F M2G

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

300V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.3V @ 1A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

35ns

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 300V

커패시턴스 @ Vr, F

18pF @ 1V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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DO-214AC (SMA)

작동 온도-접합

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