BF904WR,115
참조 용
| 부품 번호 | BF904WR,115 |
| PNEDA 부품 번호 | BF904WR-115 |
| 설명 | MOSFET N-CH 7V 30MA SOT343 |
| 제조업체 | NXP |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 7,092 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 3월 2 - 3월 7 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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BF904WR 리소스
| 브랜드 | NXP |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | BF904WR,115 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-RF |
| 데이터 시트 |
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BF904WR 사양
| 제조업체 | NXP USA Inc. |
| 시리즈 | - |
| 트랜지스터 유형 | N-Channel Dual Gate |
| 주파수 | 200MHz |
| 이득 | - |
| 전압-테스트 | 5V |
| 전류 정격 (Amps) | 30mA |
| 소음 수치 | 1dB |
| 현재-테스트 | 10mA |
| 전원-출력 | - |
| 전압-정격 | 7V |
| 패키지 / 케이스 | SC-82A, SOT-343 |
| 공급자 장치 패키지 | CMPAK-4 |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 NXP USA Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 LDMOS (Dual) 주파수 1.03GHz ~ 1.09GHz 이득 19.2dB 전압-테스트 50V 전류 정격 (Amps) 10µA 소음 수치 - 현재-테스트 100mA 전원-출력 770W 전압-정격 105V 패키지 / 케이스 NI-780S-4L 공급자 장치 패키지 NI-780S-4L |
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제조업체 NXP USA Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 LDMOS (Dual) 주파수 2.9GHz 이득 13.3dB 전압-테스트 30V 전류 정격 (Amps) - 소음 수치 - 현재-테스트 100mA 전원-출력 320W 전압-정격 65V 패키지 / 케이스 NI-1230 공급자 장치 패키지 NI-1230 |
제조업체 NXP USA Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 LDMOS 주파수 2.5GHz 이득 14.1dB 전압-테스트 28V 전류 정격 (Amps) - 소음 수치 - 현재-테스트 700mA 전원-출력 50W 전압-정격 65V 패키지 / 케이스 NI-1230-4LS2L 공급자 장치 패키지 NI-1230-4LS2L |
