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BLF7G22L-130,118

BLF7G22L-130,118

참조 용

부품 번호 BLF7G22L-130,118
PNEDA 부품 번호 BLF7G22L-130-118
설명 RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT502A
제조업체 Ampleon
단가 견적 요청
재고 있음 4,068
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 2 - 3월 7 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BLF7G22L-130 리소스

브랜드 Ampleon
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BLF7G22L-130,118
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
BLF7G22L-130, BLF7G22L-130 데이터 시트 (총 페이지: 15, 크기: 1,165.14 KB)
PDFBLF7G22L-130 데이터 시트 표지
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  • BLF7G22L-130,118 Distributor

BLF7G22L-130 사양

제조업체Ampleon USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수2.11GHz ~ 2.17GHz
이득18.5dB
전압-테스트28V
전류 정격 (Amps)28A
소음 수치-
현재-테스트950mA
전원-출력30W
전압-정격65V
패키지 / 케이스SOT-502A
공급자 장치 패키지LDMOST

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NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.66GHz

이득

15.5dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

900mA

전원-출력

20W

전압-정격

68V

패키지 / 케이스

SOT-957A

공급자 장치 패키지

NI-780H-2L

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual), Common Source

주파수

3.5GHz

이득

10dB

전압-테스트

32V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

200mA

전원-출력

320W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT539B

공급자 장치 패키지

SOT539B

제조업체

CEL

시리즈

-

트랜지스터 유형

N-Channel GaAs HJ-FET

주파수

12GHz

이득

13dB

전압-테스트

2V

전류 정격 (Amps)

60mA

소음 수치

0.65dB

현재-테스트

10mA

전원-출력

125mW

전압-정격

4V

패키지 / 케이스

SOT-343F

공급자 장치 패키지

M04

IXZ2210N50L2

IXYS-RF

제조업체

IXYS-RF

시리즈

Z-MOS™

트랜지스터 유형

2 N-Channel (Dual)

주파수

70MHz

이득

17dB

전압-테스트

100V

전류 정격 (Amps)

10A

소음 수치

-

현재-테스트

-

전원-출력

270W

전압-정격

500V

패키지 / 케이스

8-SMD, Flat Lead Exposed Pad

공급자 장치 패키지

-

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

1.88GHz

이득

17dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1.1A

전원-출력

125W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

NI-780S

공급자 장치 패키지

NI-780S

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