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BLT81,115

BLT81,115

참조 용

부품 번호 BLT81,115
PNEDA 부품 번호 BLT81-115
설명 RF TRANS NPN 9.5V 900MHZ SOT223
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 82,842
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 25 - 11월 30 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BLT81 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BLT81,115
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-RF
데이터 시트
BLT81, BLT81 데이터 시트 (총 페이지: 12, 크기: 81.92 KB)
PDFBLT81 데이터 시트 표지
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BLT81 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)9.5V
주파수-전환900MHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f)-
이득8dB
전력-최대2W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce25 @ 300mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대)500mA
작동 온도175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-261-4, TO-261AA
공급자 장치 패키지SOT-223

관심을 가질만한 제품

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

6V

주파수-전환

14GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

1dB @ 2GHz

이득

18dB

전력-최대

60mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

60 @ 5mA, 3V

전류-수집기 (Ic) (최대)

10mA

작동 온도

175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-143R

공급자 장치 패키지

SOT-143R

BFP840ESDH6327XTSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

2.25V

주파수-전환

80GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

0.85dB @ 5.5GHz

이득

18.5dB

전력-최대

75mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

150 @ 10mA, 1.8V

전류-수집기 (Ic) (최대)

35mA

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-82A, SOT-343

공급자 장치 패키지

SOT-343

44086H

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

트랜지스터 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

-

주파수-전환

-

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

-

이득

-

전력-최대

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

-

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

BFR181WH6327XTSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

12V

주파수-전환

8GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

이득

19dB

전력-최대

175mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

70 @ 5mA, 8V

전류-수집기 (Ic) (최대)

20mA

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-70, SOT-323

공급자 장치 패키지

PG-SOT323-3

AT-42036-TR1G

Broadcom

제조업체

Broadcom Limited

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

12V

주파수-전환

8GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

2dB ~ 3dB @ 2GHz ~ 4GHz

이득

10dB ~ 13.5dB

전력-최대

600mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

30 @ 35mA, 8V

전류-수집기 (Ic) (최대)

80mA

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

4-SMD (36 micro-X)

공급자 장치 패키지

36 micro-X

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IC EEPROM 512K I2C 400KHZ 8SOIC

F951E106MAAAQ2

F951E106MAAAQ2

CAP TANT 10UF 20% 25V 1206