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BZV55C6V8 L1G

BZV55C6V8 L1G

참조 용

부품 번호 BZV55C6V8 L1G
PNEDA 부품 번호 BZV55C6V8-L1G
설명 DIODE ZENER 6.8V 500MW MINI MELF
제조업체 Taiwan Semiconductor Corporation
단가 견적 요청
재고 있음 7,812
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 26 - 12월 1 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BZV55C6V8 L1G 리소스

브랜드 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BZV55C6V8 L1G
분류반도체다이오드 및 정류기제너 다이오드-단일

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BZV55C6V8 L1G 사양

제조업체Taiwan Semiconductor Corporation
시리즈-
전압-제너 (Nom) (Vz)6.8V
공차±5%
전력-최대500mW
임피던스 (최대) (Zzt)8 Ohms
전류-역방향 누설 @ Vr100nA @ 3V
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1V @ 10mA
작동 온도-65°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
공급자 장치 패키지Mini MELF

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전력-최대

1W

임피던스 (최대) (Zzt)

25 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

500nA @ 17V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 200°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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시리즈

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전압-제너 (Nom) (Vz)

-

공차

-

전력-최대

-

임피던스 (최대) (Zzt)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

-

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

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전압-제너 (Nom) (Vz)

10.6V

공차

±6%

전력-최대

600mW

임피던스 (최대) (Zzt)

6 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 7V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.5V @ 200mA

작동 온도

150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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제조업체

Microsemi Corporation

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전압-제너 (Nom) (Vz)

6.2V

공차

±5%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

30 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 5V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-213AA (Glass)

공급자 장치 패키지

DO-213AA

1SMB5927 R5G

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

12V

공차

±5%

전력-최대

3W

임피던스 (최대) (Zzt)

6.5 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 9.1V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-214AA, SMB

공급자 장치 패키지

DO-214AA (SMB)

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