DMHC10H170SFJ-13
참조 용
| 부품 번호 | DMHC10H170SFJ-13 |
| PNEDA 부품 번호 | DMHC10H170SFJ-13 |
| 설명 | MOSFET 2N/2P-CH 100V DFN5045-12 |
| 제조업체 | Diodes Incorporated |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 3,276 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 3월 2 - 3월 7 (신속 배송 선택) |
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DMHC10H170SFJ-13 리소스
| 브랜드 | Diodes Incorporated |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | DMHC10H170SFJ-13 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
| 데이터 시트 |
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DMHC10H170SFJ-13 사양
| 제조업체 | Diodes Incorporated |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) |
| FET 기능 | Standard |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 100V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 2.9A, 2.3A |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 160mOhm @ 5A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 3V @ 250µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 9.7nC @ 10V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 1167pF @ 25V |
| 전력-최대 | 2.1W |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 12-VDFN Exposed Pad |
| 공급자 장치 패키지 | V-DFN5045-12 |
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제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 2 P-Channel (Dual) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 430mA Rds On (최대) @ Id, Vgs 900mOhm @ 430mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 2.5nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 175pF @ 16V 전력-최대 250mW 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지 SOT-563-6 |
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