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DMN601DWK-7

DMN601DWK-7

참조 용

부품 번호 DMN601DWK-7
PNEDA 부품 번호 DMN601DWK-7
설명 MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT-363
제조업체 Diodes Incorporated
단가 견적 요청
재고 있음 727,254
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 25 - 11월 30 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

DMN601DWK-7 리소스

브랜드 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호DMN601DWK-7
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
DMN601DWK-7, DMN601DWK-7 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 600.1 KB)
PDFDMN601DWK-7 데이터 시트 표지
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DMN601DWK-7 사양

제조업체Diodes Incorporated
시리즈-
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)305mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs2Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs-
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds50pF @ 25V
전력-최대200mW
작동 온도-65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지SOT-363

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6A (Ta), 5A (Ta)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

30mOhm @ 6A, 10V, 45mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

10.8nC @ 10V, 22nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

650pF @ 20V, 1175pF @ 20V

전력-최대

2W

작동 온도

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장착 유형

Surface Mount

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FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

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드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

94mOhm @ 2.8A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

12.8nC @ 8V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

355pF @ 10V

전력-최대

6.5W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

12V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5.5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

25mOhm @ 5.4A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

900mV @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

22nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1984pF @ 6V

전력-최대

1W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

공급자 장치 패키지

8-TSSOP

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Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

15A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

6.6mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.35V @ 25µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

14nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1380pF @ 15V

전력-최대

2.7W

작동 온도

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장착 유형

Surface Mount

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드레인-소스 전압 (Vdss)

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Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

1.3V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

35.2nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2360pF @ 6V

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