FQPF2N40
참조 용
| 부품 번호 | FQPF2N40 |
| PNEDA 부품 번호 | FQPF2N40 |
| 설명 | MOSFET N-CH 400V 1.1A TO-220F |
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 3,726 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 12월 3 - 12월 8 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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FQPF2N40 리소스
| 브랜드 | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | FQPF2N40 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-단일 |
| 데이터 시트 |
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FQPF2N40 사양
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 시리즈 | QFET® |
| FET 유형 | N-Channel |
| 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 400V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 1.1A (Tc) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 5.8Ohm @ 550mA, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 5V @ 250µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 5.5nC @ 10V |
| Vgs (최대) | ±30V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 150pF @ 25V |
| FET 기능 | - |
| 전력 손실 (최대) | 16W (Tc) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Through Hole |
| 공급자 장치 패키지 | TO-220F |
| 패키지 / 케이스 | TO-220-3 Full Pack |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 ON Semiconductor 시리즈 PowerTrench® FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 16A (Ta), 128A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 4.85mOhm @ 16A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 62nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 4065pF @ 50V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 3.3W (Ta), 187W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 Power56 패키지 / 케이스 8-PowerTDFN |
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제조업체 Infineon Technologies 시리즈 CoolMOS™ FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 800mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 950mOhm @ 2.8A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 5.5V @ 200µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 17nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 600pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 1.8W (Ta) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 PG-SOT223-4 패키지 / 케이스 TO-261-4, TO-261AA |
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