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HIP4086AABZT

HIP4086AABZT

참조 용

부품 번호 HIP4086AABZT
PNEDA 부품 번호 HIP4086AABZT
설명 IC DVR MOSFET N-CH 3PHASE 24SOIC
제조업체 Renesas Electronics America Inc.
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HIP4086AABZT 리소스

브랜드 Renesas Electronics America Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호HIP4086AABZT
분류반도체전력 관리 ICPMIC-게이트 드라이버
데이터 시트
HIP4086AABZT, HIP4086AABZT 데이터 시트 (총 페이지: 17, 크기: 863.5 KB)
PDFHIP4086ABT 데이터 시트 표지
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HIP4086AABZT 사양

제조업체Renesas Electronics America Inc.
시리즈-
구동 구성Half-Bridge
채널 유형3-Phase
드라이버 수6
게이트 유형N-Channel MOSFET
전압-공급7V ~ 15V
논리 전압-VIL, VIH1V, 2.5V
전류-피크 출력 (소스, 싱크)500mA, 500mA
입력 유형Inverting, Non-Inverting
높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)95V
상승 / 하강 시간 (일반)20ns, 10ns
작동 온도-40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스24-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
공급자 장치 패키지24-SOIC

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전압-공급

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논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

10.6A, 11.4A

입력 유형

Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

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작동 온도

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장착 유형

Surface Mount

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논리 전압-VIL, VIH

6V, 9.5V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

2A, 2A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

500V

상승 / 하강 시간 (일반)

25ns, 17ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

공급자 장치 패키지

16-SOIC

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Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

Automotive, AEC-Q100

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

IGBT, N-Channel MOSFET

전압-공급

10V ~ 20V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.5V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

3.5A, 3.5A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

600V

상승 / 하강 시간 (일반)

15ns, 15ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

16-SOIC

IR2136PBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

3-Phase

드라이버 수

6

게이트 유형

IGBT, N-Channel MOSFET

전압-공급

10V ~ 20V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 3V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

200mA, 350mA

입력 유형

Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

600V

상승 / 하강 시간 (일반)

125ns, 50ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

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공급자 장치 패키지

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Renesas Electronics America Inc.

제조업체

Renesas Electronics America Inc.

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채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

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논리 전압-VIL, VIH

1.85V, 3.15V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

6A, 6A

입력 유형

Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

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