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IXGA15N100C

IXGA15N100C

참조 용

부품 번호 IXGA15N100C
PNEDA 부품 번호 IXGA15N100C
설명 IGBT 1000V 30A 150W TO263AA
제조업체 IXYS
단가 견적 요청
재고 있음 3,600
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 12월 3 - 12월 8 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IXGA15N100C 리소스

브랜드 IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IXGA15N100C
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
IXGA15N100C, IXGA15N100C 데이터 시트 (총 페이지: 2, 크기: 98.41 KB)
PDFIXGA15N100C 데이터 시트 표지
IXGA15N100C 데이터 시트 페이지 2

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IXGA15N100C 사양

제조업체IXYS
시리즈Lightspeed™
IGBT 유형-
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)1000V
전류-수집기 (Ic) (최대)30A
전류-수집기 펄스 (Icm)60A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic3.5V @ 15V, 15A
전력-최대150W
에너지 전환850µJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지73nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C25ns/150ns
테스트 조건960V, 15A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)-
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
공급자 장치 패키지TO-263 (IXGA)

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제조업체

IXYS

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

48A

전류-수집기 펄스 (Icm)

96A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 24A

전력-최대

150W

에너지 전환

1.3mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

41nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

50ns/150ns

테스트 조건

480V, 24A, 33Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

25ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247AD (IXSH)

APT15GT60KRG

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

Thunderbolt IGBT®

IGBT 유형

NPT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

42A

전류-수집기 펄스 (Icm)

45A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 15A

전력-최대

184W

에너지 전환

150µJ (on), 215µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

75nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

6ns/105ns

테스트 조건

400V, 15A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220 [K]

APT35GP120BG

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

POWER MOS 7®

IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

96A

전류-수집기 펄스 (Icm)

140A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.9V @ 15V, 35A

전력-최대

543W

에너지 전환

750µJ (on), 680µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

150nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

16ns/94ns

테스트 조건

600V, 35A, 5Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247 [B]

STGB10NC60KDT4

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

PowerMESH™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

20A

전류-수집기 펄스 (Icm)

30A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 5A

전력-최대

65W

에너지 전환

55µJ (on), 85µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

19nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

17ns/72ns

테스트 조건

390V, 5A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

22ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

D2PAK

APT30GS60KRG

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

54A

전류-수집기 펄스 (Icm)

113A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.15V @ 15V, 30A

전력-최대

250W

에너지 전환

570µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

145nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

16ns/360ns

테스트 조건

400V, 30A, 9.1Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220

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