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MRF282SR1

MRF282SR1

참조 용

부품 번호 MRF282SR1
PNEDA 부품 번호 MRF282SR1
설명 FET RF 65V 2GHZ NI-200S
제조업체 NXP
단가 견적 요청
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창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 1 - 3월 6 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MRF282SR1 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MRF282SR1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
MRF282SR1, MRF282SR1 데이터 시트 (총 페이지: 13, 크기: 552.05 KB)
PDFMRF282SR1 데이터 시트 표지
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MRF282SR1 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수2GHz
이득11.5dB
전압-테스트26V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트75mA
전원-출력10W
전압-정격65V
패키지 / 케이스NI-200S
공급자 장치 패키지NI-200S

관심을 가질만한 제품

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

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트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

1.88GHz

이득

19.9dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1A

전원-출력

32W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

NI-780GS-2L2LA

공급자 장치 패키지

NI-780GS-2L2LA

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual), Common Source

주파수

917.5MHz ~ 962.5MHz

이득

22dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

64A

소음 수치

-

현재-테스트

1.8A

전원-출력

40W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT539B

공급자 장치 패키지

SOT539B

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual)

주파수

2.17GHz

이득

15.6dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

600mA

전원-출력

72W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

NI-1230-4LS2L

공급자 장치 패키지

NI-1230-4LS2L

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.45GHz

이득

18.5dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1.3A

전원-출력

140W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-502A

공급자 장치 패키지

LDMOST

BF 5020R E6327

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

트랜지스터 유형

N-Channel

주파수

800MHz

이득

26dB

전압-테스트

5V

전류 정격 (Amps)

25mA

소음 수치

1.2dB

현재-테스트

10mA

전원-출력

-

전압-정격

8V

패키지 / 케이스

SOT-143R

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