MRF6P21190HR6
참조 용
| 부품 번호 | MRF6P21190HR6 |
| PNEDA 부품 번호 | MRF6P21190HR6 |
| 설명 | FET RF 68V 2.12GHZ NI-1230 |
| 제조업체 | NXP |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 4,536 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 3월 2 - 3월 7 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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MRF6P21190HR6 리소스
| 브랜드 | NXP |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | MRF6P21190HR6 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-RF |
| 데이터 시트 |
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MRF6P21190HR6 사양
| 제조업체 | NXP USA Inc. |
| 시리즈 | - |
| 트랜지스터 유형 | LDMOS |
| 주파수 | 2.12GHz |
| 이득 | 15.5dB |
| 전압-테스트 | 28V |
| 전류 정격 (Amps) | - |
| 소음 수치 | - |
| 현재-테스트 | 1.9A |
| 전원-출력 | 44W |
| 전압-정격 | 68V |
| 패키지 / 케이스 | NI-1230 |
| 공급자 장치 패키지 | NI-1230 |
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제조업체 NXP USA Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 LDMOS 주파수 2.69GHz 이득 14.2dB 전압-테스트 28V 전류 정격 (Amps) - 소음 수치 - 현재-테스트 100mA 전원-출력 9W 전압-정격 65V 패키지 / 케이스 NI-780S-4L4L-8 공급자 장치 패키지 NI-780S-4L4L-8 |
제조업체 NXP USA Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 N-Channel 주파수 2.32GHz 이득 14.1dB 전압-테스트 28V 전류 정격 (Amps) - 소음 수치 - 현재-테스트 600mA 전원-출력 30W 전압-정격 65V 패키지 / 케이스 NI-780-4 공급자 장치 패키지 NI-780-4 |
