MT29E3T08EUHBBM4-3ES:B TR
참조 용
| 부품 번호 | MT29E3T08EUHBBM4-3ES:B TR |
| PNEDA 부품 번호 | MT29E3T08EUHBBM4-3ES-B-TR |
| 설명 | IC FLASH 3T PARALLEL 333MHZ |
| 제조업체 | Micron Technology Inc. |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 7,956 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 12월 3 - 12월 8 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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MT29E3T08EUHBBM4-3ES:B TR 리소스
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MT29E3T08EUHBBM4-3ES:B TR 사양
| 제조업체 | Micron Technology Inc. |
| 시리즈 | - |
| 메모리 유형 | Non-Volatile |
| 메모리 포맷 | FLASH |
| 기술 | FLASH - NAND |
| 메모리 크기 | 3Tb (384G x 8) |
| 메모리 인터페이스 | Parallel |
| 시계 주파수 | 333MHz |
| 쓰기주기 시간-단어, 페이지 | - |
| 접근 시간 | - |
| 전압-공급 | 2.5V ~ 3.6V |
| 작동 온도 | 0°C ~ 70°C (TA) |
| 장착 유형 | - |
| 패키지 / 케이스 | - |
| 공급자 장치 패키지 | - |
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