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MT29F8G08ADBDAH4-AAT:D

MT29F8G08ADBDAH4-AAT:D

참조 용

부품 번호 MT29F8G08ADBDAH4-AAT:D
PNEDA 부품 번호 MT29F8G08ADBDAH4-AAT-D
설명 IC FLASH 8G PARALLEL FBGA
제조업체 Micron Technology Inc.
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MT29F8G08ADBDAH4-AAT:D 리소스

브랜드 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MT29F8G08ADBDAH4-AAT:D
분류반도체메모리 IC기억

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MT29F8G08ADBDAH4-AAT:D 사양

제조업체Micron Technology Inc.
시리즈Automotive, AEC-Q100
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷FLASH
기술FLASH - NAND
메모리 크기8Gb (1G x 8)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수-
쓰기주기 시간-단어, 페이지-
접근 시간-
전압-공급1.7V ~ 1.95V
작동 온도-40°C ~ 105°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스63-VFBGA
공급자 장치 패키지63-VFBGA (9x11)

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제조업체

Winbond Electronics

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - Mobile LPDDR

메모리 크기

1Gb (64M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

200MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ns

접근 시간

5ns

전압-공급

1.7V ~ 1.95V

작동 온도

-25°C ~ 85°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

60-TFBGA

공급자 장치 패키지

60-VFBGA (8x9)

CY7C1381D-133AXI

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, SDR

메모리 크기

18Mb (512K x 36)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

133MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

6.5ns

전압-공급

3.135V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

100-LQFP

공급자 장치 패키지

100-TQFP (14x20)

AT45DB161E-SHD-T

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH

메모리 크기

16Mb (528 Bytes x 4096 pages)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

85MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

8µs, 6ms

접근 시간

-

전압-공급

2.5V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

71321LA35PF

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Dual Port, Asynchronous

메모리 크기

16Kb (2K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

35ns

접근 시간

35ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

64-LQFP

공급자 장치 패키지

64-TQFP (14x14)

STK11C68-SF35TR

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

NVSRAM

기술

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

메모리 크기

64Kb (8K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

35ns

접근 시간

35ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

28-SOIC (0.342", 8.69mm Width)

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