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MTM862270LBF

MTM862270LBF

참조 용

부품 번호 MTM862270LBF
PNEDA 부품 번호 MTM862270LBF
설명 MOSFET N-CH 20V 2.2A WSSMINI6
제조업체 Panasonic Electronic Components
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MTM862270LBF 리소스

브랜드 Panasonic Electronic Components
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MTM862270LBF
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
MTM862270LBF, MTM862270LBF 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 254.78 KB)
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MTM862270LBF 사양

제조업체Panasonic Electronic Components
시리즈-
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)2.2A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)1.8V, 4V
Rds On (최대) @ Id, Vgs105mOhm @ 1A, 4V
Vgs (th) (최대) @ Id1.3V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs-
Vgs (최대)±10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds280pF @ 10V
FET 기능-
전력 손실 (최대)540mW (Ta)
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지WSSMini6-F1
패키지 / 케이스6-SMD, Flat Leads

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STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

55V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

80A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

6.5mOhm @ 40A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

136nC @ 5V

Vgs (최대)

±16V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

4850pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

300W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-220AB

패키지 / 케이스

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SI2311DS-T1-GE3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

8V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

45mOhm @ 3.5A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

800mV @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

12nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±8V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

970pF @ 4V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

710mW (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

SOT-23-3

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

제조업체

IXYS

시리즈

GigaMOS™ HiPerFET™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

360A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

2.9mOhm @ 100A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 3mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

525nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

33000pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1250W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-264AA (IXFK)

패키지 / 케이스

TO-264-3, TO-264AA

SI4455DY-T1-E3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

150V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2.8A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

295mOhm @ 4A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

42nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1190pF @ 50V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

3.1W (Ta), 5.9W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

8-SO

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제조업체

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-

FET 유형

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MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

7.9A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

18mOhm @ 7.9A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

13nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±8V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

886pF @ 10V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1.7W (Ta), 12.5W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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MAX3387EEUG+

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