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NE3511S02-T1C-A

NE3511S02-T1C-A

참조 용

부품 번호 NE3511S02-T1C-A
PNEDA 부품 번호 NE3511S02-T1C-A
설명 IC AMP RF LNA 13.5DB S02
제조업체 CEL
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NE3511S02-T1C-A 리소스

브랜드 CEL
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NE3511S02-T1C-A
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
NE3511S02-T1C-A, NE3511S02-T1C-A 데이터 시트 (총 페이지: 10, 크기: 1,432.31 KB)
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NE3511S02-T1C-A 사양

제조업체CEL
시리즈-
트랜지스터 유형HFET
주파수12GHz
이득13.5dB
전압-테스트2V
전류 정격 (Amps)70mA
소음 수치0.3dB
현재-테스트10mA
전원-출력-
전압-정격4V
패키지 / 케이스4-SMD, Flat Leads
공급자 장치 패키지S02

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소음 수치

-

현재-테스트

100mA

전원-출력

30W

전압-정격

125V

패키지 / 케이스

M113

공급자 장치 패키지

M113

제조업체

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주파수

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이득

21dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

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전원-출력

35W

전압-정격

66V

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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NXP USA Inc.

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주파수

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이득

14.5dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

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850mA

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19W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-957A

공급자 장치 패키지

NI-780H-2L

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STMicroelectronics

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이득

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전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

7A

소음 수치

-

현재-테스트

100mA

전원-출력

60W

전압-정격

65V

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주파수

230MHz

이득

26.5dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

100mA

전원-출력

300W

전압-정격

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패키지 / 케이스

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NI-780-4

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