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NESG2046M33-T3-A

NESG2046M33-T3-A

참조 용

부품 번호 NESG2046M33-T3-A
PNEDA 부품 번호 NESG2046M33-T3-A
설명 RF TRANS NPN 5V 18GHZ 3SMINMOLD
제조업체 CEL
단가 견적 요청
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창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

NESG2046M33-T3-A 리소스

브랜드 CEL
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NESG2046M33-T3-A
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-RF
데이터 시트
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NESG2046M33-T3-A 사양

제조업체CEL
시리즈-
트랜지스터 유형NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)5V
주파수-전환18GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f)0.8dB ~ 1.5dB @ 2GHz
이득9.5dB ~ 11.5dB
전력-최대130mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce140 @ 2mA, 1V
전류-수집기 (Ic) (최대)40mA
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스3-SMD, Flat Leads
공급자 장치 패키지3-SuperMiniMold (M33)

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트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

18V

주파수-전환

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노이즈 지수 (dB Typ @ f)

-

이득

13dB

전력-최대

270W

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

20 @ 5A, 5V

전류-수집기 (Ic) (최대)

20A

작동 온도

200°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

M174

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Central Semiconductor Corp

시리즈

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트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

12V

주파수-전환

2GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

4.5dB @ 200MHz

이득

15dB

전력-최대

200mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

25 @ 3mA, 1V

전류-수집기 (Ic) (최대)

50mA

작동 온도

-65°C ~ 200°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

TO-72

BFS17WH6393XTSA1

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

*

트랜지스터 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

-

주파수-전환

-

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

-

이득

-

전력-최대

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

-

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

8V

주파수-전환

16GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

1.2dB @ 1GHz

이득

17.5dB @ 1GHz

전력-최대

400mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

60 @ 50mA, 5V

전류-수집기 (Ic) (최대)

150mA

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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트랜지스터 유형

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

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주파수-전환

-

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

-

이득

-

전력-최대

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

-

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

작동 온도

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