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NM93C56LM8

NM93C56LM8

참조 용

부품 번호 NM93C56LM8
PNEDA 부품 번호 NM93C56LM8
설명 IC EEPROM 2K SPI 250KHZ 8SO
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 8,280
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 2 - 3월 7 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

NM93C56LM8 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NM93C56LM8
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
NM93C56LM8, NM93C56LM8 데이터 시트 (총 페이지: 13, 크기: 107.67 KB)
PDFNM93C56M8 데이터 시트 표지
NM93C56M8 데이터 시트 페이지 2 NM93C56M8 데이터 시트 페이지 3 NM93C56M8 데이터 시트 페이지 4 NM93C56M8 데이터 시트 페이지 5 NM93C56M8 데이터 시트 페이지 6 NM93C56M8 데이터 시트 페이지 7 NM93C56M8 데이터 시트 페이지 8 NM93C56M8 데이터 시트 페이지 9 NM93C56M8 데이터 시트 페이지 10 NM93C56M8 데이터 시트 페이지 11

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NM93C56LM8 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷EEPROM
기술EEPROM
메모리 크기2Kb (128 x 16)
메모리 인터페이스SPI
시계 주파수250kHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지15ms
접근 시간-
전압-공급2.7V ~ 5.5V
작동 온도0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지8-SO

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제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

*

메모리 유형

-

메모리 포맷

-

기술

-

메모리 크기

-

메모리 인터페이스

-

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

M29W400DT45ZE6E

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

4Mb (512K x 8, 256K x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

45ns

접근 시간

45ns

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

48-TFBGA

공급자 장치 패키지

48-TFBGA (6x9)

W631GG6KB-12

Winbond Electronics

제조업체

Winbond Electronics

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - DDR3

메모리 크기

1Gb (64M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

800MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

20ns

전압-공급

1.425V ~ 1.575V

작동 온도

0°C ~ 85°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

96-TFBGA

공급자 장치 패키지

96-WBGA (9x13)

A2C00057906 A

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

*

메모리 유형

-

메모리 포맷

-

기술

-

메모리 크기

-

메모리 인터페이스

-

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

IS61VPD102418A-200B3

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

제조업체

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Quad Port, Synchronous

메모리 크기

18Mb (1M x 18)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

200MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

3.1ns

전압-공급

2.375V ~ 2.625V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

165-TBGA

공급자 장치 패키지

165-PBGA (13x15)

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