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VS-40EPS12PBF

VS-40EPS12PBF

참조 용

부품 번호 VS-40EPS12PBF
PNEDA 부품 번호 VS-40EPS12PBF
설명 DIODE GEN PURP 1.2KV 40A TO247AC
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division
단가 견적 요청
재고 있음 87,396
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 12월 2 - 12월 7 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

VS-40EPS12PBF 리소스

브랜드 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호VS-40EPS12PBF
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글
데이터 시트
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  • VS-40EPS12PBF Distributor

VS-40EPS12PBF 사양

제조업체Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈-
다이오드 유형Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)1200V
전류-평균 정류 (Io)40A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.1V @ 40A
속도Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)-
전류-역방향 누설 @ Vr100µA @ 1200V
커패시턴스 @ Vr, F-
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-247-2
공급자 장치 패키지TO-247AC Modified
작동 온도-접합-40°C ~ 150°C

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

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전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.05V @ 700mA

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 600V

커패시턴스 @ Vr, F

5pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-220AA

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DO-220AA (SMP)

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시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

600V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

970mV @ 1A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 600V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

Axial

공급자 장치 패키지

-

작동 온도-접합

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RFN5BM2SFHTL

Rohm Semiconductor

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Rohm Semiconductor

시리즈

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다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

200V

전류-평균 정류 (Io)

5A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

980mV @ 5A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

25ns

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 200V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

TO-252

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다이오드 유형

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

650V

전류-평균 정류 (Io)

20A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.7V @ 20A

속도

No Recovery Time > 500mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

0ns

전류-역방향 누설 @ Vr

40µA @ 650V

커패시턴스 @ Vr, F

866pF @ 1V, 100kHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-2

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TO-220-2

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VS-150EBU02HF4

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

200V

전류-평균 정류 (Io)

150A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 150A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

50µA @ 200V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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PowerTab®

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