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ZXMP6A13FTA

ZXMP6A13FTA

참조 용

부품 번호 ZXMP6A13FTA
PNEDA 부품 번호 ZXMP6A13FTA
설명 MOSFET P-CH 60V 0.9A SOT23-3
제조업체 Diodes Incorporated
단가 견적 요청
재고 있음 2,297,370
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 1 - 3월 6 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

ZXMP6A13FTA 리소스

브랜드 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호ZXMP6A13FTA
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
ZXMP6A13FTA, ZXMP6A13FTA 데이터 시트 (총 페이지: 8, 크기: 246.24 KB)
PDFZXMP6A13FTA 데이터 시트 표지
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ZXMP6A13FTA 사양

제조업체Diodes Incorporated
시리즈-
FET 유형P-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)900mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs400mOhm @ 900mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs5.9nC @ 10V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds219pF @ 30V
FET 기능-
전력 손실 (최대)625mW (Ta)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지SOT-23-3
패키지 / 케이스TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

8A (Tc) (90°C)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

250mOhm @ 8A

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

Vgs (최대)

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

48W (Tc)

작동 온도

175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

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패키지 / 케이스

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제조업체

Renesas Electronics America

시리즈

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

600V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

11A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

700mOhm @ 5.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4.5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

37.5nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1450pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

100W (Tc)

작동 온도

150°C

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

4-LDPAK

패키지 / 케이스

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제조업체

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시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

41A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

55mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

140nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2800pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

230W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-247-3

패키지 / 케이스

TO-247-3

DMN6069SFG-13

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5.6A (Ta), 18A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

50mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

25nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1480pF @ 30V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

930mW (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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드레인-소스 전압 (Vdss)

25V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

33A (Ta), 100A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

3V, 8V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

2mOhm @ 30A, 8V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

25nC @ 4.5V

Vgs (최대)

+10V, -8V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

4000pF @ 12.5V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

3.1W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

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