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메모리 IC

기록 47,332
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부품 번호
설명
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S29CL032J0JQAI000
S29CL032J0JQAI000

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 32M PARALLEL 80PQFP

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: CL-J
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 32Mb (1M x 32)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 40MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
  • 접근 시간: 54ns
  • 전압-공급: 1.65V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 80-BQFP
  • 공급자 장치 패키지: 80-PQFP (20x20)
재고 있음4,590
S29CL032J0MFAI030
S29CL032J0MFAI030

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 32M PARALLEL 80FBGA

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: CL-J
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 32Mb (1M x 32)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 56MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
  • 접근 시간: 54ns
  • 전압-공급: 1.65V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 80-LBGA
  • 공급자 장치 패키지: 80-FBGA (13x11)
재고 있음2,052
S29CL032J0PFFM000
S29CL032J0PFFM000

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 32M PARALLEL 80FBGA

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: CL-J
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 32Mb (1M x 32)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 66MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
  • 접근 시간: 54ns
  • 전압-공급: 1.65V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 80-LBGA
  • 공급자 장치 패키지: 80-FBGA (13x11)
재고 있음8,244
S29CL032J0PQFM010
S29CL032J0PQFM010

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 32M PARALLEL 80PQFP

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: CL-J
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 32Mb (1M x 32)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 66MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
  • 접근 시간: 54ns
  • 전압-공급: 1.65V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 80-BQFP
  • 공급자 장치 패키지: 80-PQFP (20x20)
재고 있음5,004
S29CL032J0RFFM010
S29CL032J0RFFM010

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 32M PARALLEL 80FBGA

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: CL-J
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 32Mb (1M x 32)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 75MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
  • 접근 시간: 54ns
  • 전압-공급: 1.65V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 80-LBGA
  • 공급자 장치 패키지: 80-FBGA (13x11)
재고 있음6,576
S29CL032J0RFFM033
S29CL032J0RFFM033

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 32M PARALLEL 80FBGA

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: CL-J
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 32Mb (1M x 32)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 75MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
  • 접근 시간: 54ns
  • 전압-공급: 1.65V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 80-LBGA
  • 공급자 장치 패키지: 80-FBGA (13x11)
재고 있음3,690
S29CL032J0RQAI030
S29CL032J0RQAI030

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 32M PARALLEL 80PQFP

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: CL-J
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 32Mb (1M x 32)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 75MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
  • 접근 시간: 54ns
  • 전압-공급: 1.65V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 80-BQFP
  • 공급자 장치 패키지: 80-PQFP (20x20)
재고 있음6,012
S29CL032J0RQFI020
S29CL032J0RQFI020

Cypress Semiconductor

기억

IC 32 MB FLASH MEMORY

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: *
  • 메모리 유형: -
  • 메모리 포맷: -
  • 기술: -
  • 메모리 크기: -
  • 메모리 인터페이스: -
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: -
  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: -
  • 패키지 / 케이스: -
  • 공급자 장치 패키지: -
재고 있음2,196
S29CL032J0RQFI030
S29CL032J0RQFI030

Cypress Semiconductor

기억

IC 32 MB FLASH MEMORY

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: *
  • 메모리 유형: -
  • 메모리 포맷: -
  • 기술: -
  • 메모리 크기: -
  • 메모리 인터페이스: -
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: -
  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: -
  • 패키지 / 케이스: -
  • 공급자 장치 패키지: -
재고 있음3,600
S29CL032J0RQFM030
S29CL032J0RQFM030

Cypress Semiconductor

기억

IC GATE NOR

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: -
  • 메모리 포맷: -
  • 기술: -
  • 메모리 크기: -
  • 메모리 인터페이스: -
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: -
  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: -
  • 패키지 / 케이스: -
  • 공급자 장치 패키지: -
재고 있음7,380
S29CL032J0RQFM033
S29CL032J0RQFM033

Cypress Semiconductor

기억

IC GATE NOR

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: -
  • 메모리 포맷: -
  • 기술: -
  • 메모리 크기: -
  • 메모리 인터페이스: -
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: -
  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: -
  • 패키지 / 케이스: -
  • 공급자 장치 패키지: -
재고 있음3,436
S29GL01GP11FAIR12
S29GL01GP11FAIR12

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 1G PARALLEL 64BGA

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: GL-P
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 1Gb (128M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 110ns
  • 접근 시간: 110ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 64-LBGA
  • 공급자 장치 패키지: 64-Fortified BGA (13x11)
재고 있음7,200
S29GL01GP11FAIR20
S29GL01GP11FAIR20

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 1G PARALLEL 64BGA

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: GL-P
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 1Gb (128M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 110ns
  • 접근 시간: 110ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 64-LBGA
  • 공급자 장치 패키지: 64-Fortified BGA (13x11)
재고 있음3,438
S29GL01GP11FFCR10
S29GL01GP11FFCR10

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 1G PARALLEL 64BGA

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: GL-P
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 1Gb (128M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 110ns
  • 접근 시간: 110ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 64-LBGA
  • 공급자 장치 패키지: 64-Fortified BGA (13x11)
재고 있음5,274
S29GL01GP11FFIR10
S29GL01GP11FFIR10

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 1G PARALLEL 64BGA

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: GL-P
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 1Gb (128M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 110ns
  • 접근 시간: 110ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 64-LBGA
  • 공급자 장치 패키지: 64-Fortified BGA (13x11)
재고 있음21,068
S29GL01GP11FFIR20
S29GL01GP11FFIR20

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 1G PARALLEL 64BGA

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: GL-P
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 1Gb (128M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 110ns
  • 접근 시간: 110ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 64-LBGA
  • 공급자 장치 패키지: 64-Fortified BGA (13x11)
재고 있음96
S29GL01GP11FFIR23
S29GL01GP11FFIR23

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 1G PARALLEL 64BGA

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: GL-P
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 1Gb (128M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 110ns
  • 접근 시간: 110ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 64-LBGA
  • 공급자 장치 패키지: 64-Fortified BGA (13x11)
재고 있음2,556
S29GL01GP11FFSS80
S29GL01GP11FFSS80

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 1G PARALLEL 64BGA

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: GL-P
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 1Gb (128M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 110ns
  • 접근 시간: 110ns
  • 전압-공급: -
  • 작동 온도: 0°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 64-LBGA
  • 공급자 장치 패키지: 64-Fortified BGA (13x11)
재고 있음5,796
S29GL01GP11TAIR10
S29GL01GP11TAIR10

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 1G PARALLEL 56TSOP

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: GL-P
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 1Gb (128M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 110ns
  • 접근 시간: 110ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 56-TSOP
재고 있음3,222
S29GL01GP11TFCR10
S29GL01GP11TFCR10

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 1G PARALLEL 56TSOP

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: GL-P
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 1Gb (128M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 110ns
  • 접근 시간: 110ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 56-TSOP
재고 있음5,274
S29GL01GP11TFCR20
S29GL01GP11TFCR20

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 1GBIT 110NS 56TSOP

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: GL-P
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 1Gb (128M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 110ns
  • 접근 시간: 110ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 56-TSOP
재고 있음2,520
S29GL01GP11TFCR20D
S29GL01GP11TFCR20D

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 1G PARALLEL 56TSOP

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: GL-P
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 1Gb (128M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 110ns
  • 접근 시간: 110ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 56-TSOP
재고 있음3,454
S29GL01GP11TFIR10
S29GL01GP11TFIR10

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 1G PARALLEL 56TSOP

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: GL-P
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 1Gb (128M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 110ns
  • 접근 시간: 110ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 56-TSOP
재고 있음2,756
S29GL01GP11TFIR10D
S29GL01GP11TFIR10D

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 1G PARALLEL 56TSOP

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: GL-P
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 1Gb (128M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 110ns
  • 접근 시간: 110ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 56-TSOP
재고 있음7,218
S29GL01GP11TFIR20
S29GL01GP11TFIR20

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 1G PARALLEL 56TSOP

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: GL-P
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 1Gb (128M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 110ns
  • 접근 시간: 110ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 56-TSOP
재고 있음2,408
S29GL01GP11TFIR20D
S29GL01GP11TFIR20D

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 1G PARALLEL 56TSOP

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: GL-P
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 1Gb (128M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 110ns
  • 접근 시간: 110ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 56-TSOP
재고 있음4,014
S29GL01GP12FAI010
S29GL01GP12FAI010

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 1G PARALLEL 64LBGA

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: GL-P
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 1Gb (128M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 120ns
  • 접근 시간: 120ns
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 64-LBGA
  • 공급자 장치 패키지: 64-FBGA (13x11)
재고 있음7,187
S29GL01GP12FAI020
S29GL01GP12FAI020

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 1G PARALLEL 64LBGA

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: GL-P
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 1Gb (128M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 120ns
  • 접근 시간: 120ns
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 64-LBGA
  • 공급자 장치 패키지: 64-FBGA (13x11)
재고 있음6,876
S29GL01GP12TFI010
S29GL01GP12TFI010

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 1G PARALLEL 56TSOP

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: GL-P
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 1Gb (128M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 120ns
  • 접근 시간: 120ns
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 56-TSOP
재고 있음6,578
S29GL01GP12TFI020
S29GL01GP12TFI020

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 1G PARALLEL 56TSOP

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: GL-P
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 1Gb (128M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 120ns
  • 접근 시간: 120ns
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 56-TSOP
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